Isolierte DC/DC-Wandler für IGBT, SiC und GaN

DC/DC-Wandler für Anwendungen, die eine hohe Isolierung von bis zu 10 kVDC erfordern.

Die Wandler von RECOM für IGBT-Anwendungen verfügen als einteilige Lösung über asymmetrische Ausgänge von +15 V und -9 V. Wandler mit Ausgängen mit +20 V und -5 V werden für SiC MOSFETs eingesetzt, während für die zweite Generation von SiC MOSFETs Wandler mit Ausgängen mit +15 V und -3 V entwickelt wurden. Für GaN-Bausteine bietet RECOM auch Varianten mit +6 V und +9 V an, die für die GaN-HEMT-Technologie benötigt werden. Sämtliche Wandler für Gate-Treiber von RECOM weisen eine hohe Isolierung (bis zu 6,4 kV) auf, die den durch die hohe Schaltfrequenz auftretenden Belastungen widerstehen kann, und werden in kompakten Gehäusen geliefert

 

  • IGBT
  • SiC
  • GaN
  • Referenzdesign

Hoch isolierte DC/DC-Wandler zur Verlängerung der Lebensdauer von IGBT-Treibern

IGBT-Controller werden typischerweise für Wechselrichter verwendet. Häufig dienen Optokoppler als Isolierung für das Steuersignal, aber es wird auch eine Isolierung auf der Leistungsseite für die hohen Schwebespannungen benötigt. Ein RECOM-Wandler bietet eine einfache Möglichkeit, die Isolierungsanforderungen zu erfüllen und die geeignete Gate-Spannung für IGBT-Anwendungen bereitzustellen.

 

Merkmale

  • Asymmetrische Ausgänge +15 V/-9 V
  • Wirkungsgrad von bis zu 86 %
  • Hohe Isolierung von bis zu 6,4 kVDC/1 s
  • Betriebstemperaturbereich bis 90 °C
  • EN-zertifiziert
  • 3 Jahre Garantie

Anwendungen

  • Frequenzumrichter (VFD)
  • IGBT-Gate-Treiberschaltungen
  • Motorsteuerungen
  • Universalwechselrichter
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
  • Schweißgeräte

 

  Modell Versorgung VIN VOUT Isolierung Zert. Gehäuse
Recom RH-xx1509D RH-xx1509D 1 W 5, 12, 24 +15 V/-9 V 3 kV DC oder 4 kV DC EN SIP7
Recom RP-xx1509D RP-xx1509D 1 W 5, 12, 24 +15 V/-9 V 5,2 kV DC EN SIP7
Recom RxxP1509D RxxP1509D 1 W 5, 12, 24 +15 V/-9 V 6,4 kV DC EN SIP7
Recom RKZ-xx1509D RKZ-xx1509D 2 W 5, 12, 24 +15 V/-9 V 3 kV DC oder 4 kV DC EN SIP7
Recom RGZ-xx1509D RGZ-xx1509D 2 W 5, 12, 24 +15 V/-9 V 3 kV DC oder 4 kV DC EN DIP14
Recom RxxP21509D RxxP21509D 2 W 5, 12, 24 +15 V/-9 V 6,4 kV DC EN SIP7

Hoch isolierte DC/DC-Wandler mit asymmetrischem Ausgang für SiC-MOSFETs

Um die anspruchsvollen Anforderungen von MOSFETs zu erfüllen, hat RECOM Serien von DC/DC-Wandlern für SiC-MOSFETs entwickelt, die mit einer Isolierung von 3 kV DC, 4 kV DC, 5,2 kV DC und sogar 6,4 kV DC geliefert werden, um sicherzustellen, dass die Isolierungsbarriere auch den anspruchsvollsten Tests standhält. Die verschiedenen Serien sind mit Eingangsspannungen von 5 V, 12 V, 15 V und 24 V lieferbar und verfügen über asymmetrische Ausgänge mit +20 V und -5 V, sodass SiC MOSFETs effektiv und effizient geschaltet werden können.

 

Merkmale

  • Stromverteilung
  • Asymmetrische Ausgänge +20/-05 VDC oder +15/-03 VDC
  • Wirkungsgrad bis zu 87 %
  • Hohe Isolierung von bis zu 6,4 kV DC/1 s
  • Optionaler Kurzschluss-Dauerschutz
  • Großer Betriebstemperaturbereich von -40 bis +90 °C
  • UL60950-zertifiziert, IEC/EN60950-zertifiziert
  • 3 Jahre Garantie

Anwendungen

  • DC/AC-Wechselrichter
  • Erneuerbare Energien
  • Smart Grids (intelligente Stromnetze)
  • Motorantriebe

 

  Modell Versorgung VIN VOUT Isolierung Zert. Gehäuse
Recom RxxP21503D RxxP21503D 2 W 15, 12, 24 +15/-03 V DC 5,2 kV DC Zertifiziert gemäß EN-60950-1 SIP7
Recom RKZ-xx2005D RKZ-xx2005D 2 W 5, 12, 15, 24 +20/-05 VDC 3 kV DC oder 4 kV DC Zertifiziert gemäß UL60950-1
CSA C22.2 Nr. 60950-1-07
IEC/EN60950-1-zertifiziert
EN55022
SIP7
Recom RxxP22005D RxxP22005D 2 W 5, 12, 15, 24 +20/-05 VDC 5,2 kV DC Zertifiziert gemäß UL60950-1
CSA C22.2 Nr. 60950-1-03
IEC/EN60950-1-zertifiziert
EN55022
SIP7

DC/DC-Netzteile für schnellschaltende GaN-Treiber

Die Serien RP-xx06S und RxxP06S werden in einem SIP-Gehäuse geliefert und verfügen über eine Ausgangsspannung von +6 V. Der interne Schalenkern-Transformator verfügt über eine Isolierung von bis zu 6,4 kV DC, damit die Isolierungsbarriere auch bei widrigsten Betriebsbedingungen standhält.Diese Wandler sind auch mit Eingangsspannungen von 5 V, 12 V, 15 V und 24 V verfügbar. Dabei haben einige Modelle einen +9 V-Ausgang, der mittels einer Zener-Diodenschaltung in +6 V und -3 V aufgeteilt werden kann, um auch eine negative Schalt-Gate-Spannung bereitzustellen. Diese Wandler verfügen auch über eine niedrige Isolierungskapazität (<10 pF) und sind IEC/EN-60950-1-zertifiziert.

 

Merkmale

  • 6 V-Ausgang für GaN-Treiber-Anwendungen
  • Bis zu 6,4 kV DC/s Isolierung in kompaktem Format
  • Geringe Isolierungskapazität (max. 10 pF)
  • Zertifiziert gemäß UL/IEC/EN62368-1 und IEC/EN60950-1 (RxxP06S)
  • Zertifiziert gemäß UL/IEC60950 und IEC/EN60601-1 (RP-xx06S)

Anwendungen

  • DC/AC-Wechselrichter
  • Erneuerbare Energien
  • Smart Grids (intelligente Stromnetze)
  • Motorantriebe

 

  Modell Versorgung VIN VOUT Isolierung Zert. Gehäuse
Recom RP-xx06S RP-xx06S 1 W 5, 12, 15, 24 6 5,2 kV (5200 V) UL/IEC60950-zertifiziert SIP7
Recom RxxP06S RxxP06S 1 W 5, 12, 15, 24 6 6,4 kV (6400 V) UL/IEC62368-zertifiziert SIP7

Isolierte DC/DC-Wandler für IGBT / SiC / GaN

Der R-REF01-HB kann verwendet werden, um Vorwärts-, Rückkopplungs-, Buck- und Boost-Topologien zu evaluieren. Das Referenzdesign besteht aus einem Halbbrücken-Layout mit einer voll isolierten Treiberstufe und isolierten Spannungsversorgungen für die Low- und High-Side-Schalttransistoren. Die Plattform R-REF01-HB kann verwendet werden, um die reale Performance verschiedener Hochleistungs-IGBT-, SiC- der 1./2. Generation, GaN-, MOSFET- und Cascode-Schalttechnologien zu vergleichen.

Merkmale

  • Sehr schnelles Schalten bis 1000 V bei bis zu 10 A Gate-Ansteuerstrom
  • Halbbrückenspannung von bis zu 1 kV
  • TTL-kompatibler Signaleingang
  • Separater Eingang für Low- und High-Side-Schalter zur Nutzung mit verschiedenen Topologien

Anwendungen

  • IGBT-, SiC- und GaN-Treiberschaltungen
  • Motorsteuerungen
  • Universalwechselrichter
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
  • Schweißgeräte

 

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