EliteSiC von onsemi

Entwicklung einer internen Lieferkette zur Sicherstellung der Versorgung der Kundschaft mit SiC-Komponenten, um das schnelle Wachstum des nachhaltigen Ökosystems zu unterstützen.

EliteSiC von onsemi erfüllt die Anforderungen anspruchsvoller Anwendungen wie Solar-Wechselrichter, Ladegeräte für Elektrofahrzeuge und unterbrechungsfreie Stromversorgungen. Bei den Komponenten handelt es sich um ein umfassendes Portfolio an energieeffizienten Siliziumkarbid-(SiC)-Dioden, -MOSFETs, -Modulen und -Gate-Treibern.

Merkmale/Funktionen

  • Bewährte Qualität/robustes planares Design
    • Prozessbegleitende Kontrolle und Einbrennen
    • Defektüberwachung während der Herstellung
    • 100-prozentige Avalanche-Prüfung aller Chips
    • Keine Drift von Schwellenwerten oder Parametern
    • Hochzuverlässiges Gate-Oxid
    • Automobiltechnikzulassung gemäß AEC-Q100
  • Erstklassige Design-Tools
    • Physisch genaue und skalierbare Simulationsmodelle
    • Anwendungshinweise und Entwicklungsleitfäden
  • Vollständig integrierte Fertigung
    • Formung von Pulver zu Produkten
  • Kfz- oder Industriegüte bei allen Werten und Gehäusen
  • SiC-Angebot der 3. Generation
    • Optimierung für Hochtemperaturbetrieb
      • Dioden: geringe Abhängigkeit des Reihenwiderstands von der Temperatur
      • MOSFETs: stabile Sperrverzögerung über Temperatur
    • Verbesserte parasitäre Kapazitäten für effiziente Hochfrequenz-Anwendungen
    • Großer Chip mit niedrigem RDS(on) verfügbar
  • Breites Angebot in Standard- und kundenspezifischen maßgefertigten integrierten Leistungsmodulen (Power Integrated Module, PIM)
  • Große Auswahl an Spannungen und RDS(on)-Werten in 3- und 4-poligen Gehäusen erhältlich

Zusätzliche Ressourcen

SiC-Webinar mit Hunter Freberg

Dioden

Diese Produkte nutzen eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit als Silizium bietet.

MOSFET

Diese Produkte sind auf Schnelligkeit und Robustheit ausgelegt und bieten Systemvorteile, die von einem hohen Wirkungsgrad bis zu einer geringeren Größe und gesenkten Kosten reichen.

IGBT

Bipolare Transistoren mit isoliertem Gate (Insulated Gate Bipolar Transistors, IGBTs), die maximale Zuverlässigkeit bei der hochleistungsfähigen Leistungswandlung bieten.

Dioden

Diese Produkte nutzen eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit als Silizium bietet.

D1

Merkmale:

  • Spannungen: 650 V, 1200 V und 1700 V
  • Gehäuse: D2PAK2, D2PAK3, TO-220-2, TO-247-2, TO-247-3
  • Großer Chip mit niedrigem thermischen Widerstand (Rth)
  • Optimierung für hohen nicht wiederkehrenden Durchlassstrom (IFSM)
  • Anwendungen: Vienna-Gleichrichter-Eingangsstufen

D2

Merkmale:

  • Spannungen: 650 V
  • Gehäuse: DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, TO-247-3
  • Niedrige kapazitive Ladung (QC)
  • Optimierung für schnelles Schalten mit niedriger Durchlassspannung
  • Anwendungen: Leistungsfaktorkorrektur und Ausgangsgleichrichtung

D3

Merkmale:

  • Spannungen: 1200 V
  • Gehäuse: TO-247-2LD, TO-247-3LD
  • Niedrige kapazitive Ladung (QC) und Durchlassspannung (VF)
  • Optimierung für Hochtemperaturbetrieb mit geringer Temperaturabhängigkeit des Reihenwiderstands
  • Anwendungen: Leistungsfaktorkorrektur und Ausgangsgleichrichtung bei hohen Leistungen

MOSFET

Diese Produkte sind auf Schnelligkeit und Robustheit ausgelegt und bieten Systemvorteile, die von einem hohen Wirkungsgrad bis zu einer geringeren Größe und gesenkten Kosten reichen.

M1

Merkmale:

  • Spannungen: 1200 V und 1700 V
  • Gehäuse: D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD, Bare-Die-Gehäuse
  • Maximale Gate-to-Source-Spannung: +22 V/-10 V
  • Niedriger RDS(on) und hohe Kurzschlussfestigkeit (SCWT)
  • Ausgewogene Schalt- und Leitungsverluste
  • Eignung als Ersatz für 1200-V-IGBTs

M2

Merkmale:

  • Spannungen: 650 V, 750 V und 1200 V
  • Gehäuse: D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, TO-247-4LD
  • Maximale Gate-to-Source-Spannung: +22 V/-8V
  • Niedriger RDS(on) und hohe Kurzschlussfestigkeit (SCWT)
  • Optimierung für niedrigsten RDS(on) für Anwendungen mit niedrigen Schaltgeschwindigkeiten
  • Eignung als Ersatz für SuperFET™

M3S

Merkmale:

  • Optimierung für Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen und hart geschalteten Topologien
  • Ca. 40 % geringere Gesamtschaltverluste (Etot) gegenüber vergleichbaren M1 mit 1200 V und 20 mΩ
  • Anwendungen: Solar, Onboard-Ladegeräte und Ladestationen für Elektrofahrzeuge
  • Kurzschlussfest

M3P

Merkmale:

  • Spannungen: 1200 V
  • Gehäuse: D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD
  • Maximale Gate-to-Source-Spannung: +22 V/-10V
  • Verbesserte parasitäre Kapazitäten (Coss, Ciss, Crss)
  • Optimierung für Hochtemperaturbetrieb mit stabiler Sperrverzögerung über Temperatur (bei M3S mit 1200 V und 22 mΩ etwa 46 % niedrigere Qrr im Vergleich zu 1200 V und 20 mΩ)
  • Eignung als Ersatz für 1200-V-IGBTs

IGBT

Bipolare Transistoren mit isoliertem Gate (Insulated Gate Bipolar Transistors, IGBTs), die maximale Zuverlässigkeit bei der hochleistungsfähigen Leistungswandlung bieten.

FS4

Merkmale:

  • Maximale Sperrschichttemperatur (TJ): 175 °C
  • Positiver Temperaturkoeffizient für einfachen Parallelbetrieb
  • Hohe Strombelastbarkeit
  • VCE(sat) = 1,6 V (typ.) bei IC = bis zu 75 A und niedriger Sättigungsspannung
  • 100% der Teile ILM-getestet
  • Schnelles Schalten
  • Enge Parameterverteilung
  • Keine Sperrverzögerung/keine Durchlassverzögerung
  • AEC-Q101-konform und PPAP-tauglich