Fortschrittliche Trench-MOSFETs und p-Kanal-MOSFETs

Entdecken Sie die hochmodernen Funktionen und vielseitigen Anwendungen der Trench- und P-Kanal-MOSFETs von Nexperia, die für optimale Effizienz und Zuverlässigkeit ausgelegt sind

Bild der von Nexperia Advanced Trench-MOSFETs und p-Kanal-MOSFETsDie Nexperia-Reihe von Trench- und P-Kanal-MOSFETs ist dafür konzipiert, überragende Leistung in einem kompakten Formfaktor zu liefern. Diese MOSFETs nutzen die fortschrittliche Trench-Technologie, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand, hohe Schaltgeschwindigkeiten und eine niedrige Gate-Ladung zu ermöglichen, wodurch sie sich für eine Vielzahl von Anwendungen eignen. Das MLPAK33-Gehäuse sorgt für ein effizientes Wärmemanagement und Platz sparende Vorteile, wodurch sich diese Komponenten ideal für moderne elektronische Designs eignen. Ob in DC/DC-Wandlern, Batteriemanagementsystemen oder Lastschaltern, Nexperia-MOSFETs bieten eine unvergleichliche Effizienz und Zuverlässigkeit.

Merkmale/Funktionen
  • Extrem niedriger Betriebswiderstand
  • Schalten mit hohen Geschwindigkeiten
  • Geringe Gate-Ladung
  • Logikpegel-Kompatibilität
  • Trench-MOSFET-Technologie
  • MLPAK33-Gehäuse (3,3 mm x 3,3 mm Grundfläche)
  • Niedriger Wärmewiderstand
  • Superschnelles Schalten mit weicher Erholung der Body-Diode
  • Geringes Spiking und Ringing für niedrige EMI-Designs
  • Kunststoffgehäuse für oberflächenmontierte Bauteile (SMD)
  • Hoher Systemwirkungsgrad bei höheren Schaltfrequenzen
  • Großer Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C
  • Hohe Verlustleistungsfähigkeit
  • Kompaktes und platzsparendes Design
  • RoHS-konform
Anwendungen/Zielmärkte
  • DC/DC-Wandler
  • Batteriemanagementsysteme
  • Low-Side-Lastschalter
  • Schaltanwendungen
  • Überspannungsbegrenzungs-Schaltkreise
  • Automobilanwendungen
  • Industrielle Stromversorgungen
  • Verbraucherelektronik
  • Mobilgeräte
  • Computeranwendungen
  • Wearable-Technologie
  • Energieverwaltungseinheiten
  • LED-Treiber
  • Motorsteuerkreise
  • Telekommunikationsanlagen

Advanced Trench MOSFETs and P-Channel MOSFETs

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
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N-CHANNEL 100 V, 40 MOHM, STANDAPXN040-100QSJN-CHANNEL 100 V, 40 MOHM, STANDA0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33PXN012-60QLJPXN012-60QL/SOT8002/MLPAK330 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
Veröffentlicht: 2025-03-24