Hochleistungsfähige uni-/bidirektionale ESD-Dioden
ESD-Schutzkomponenten von MCC mit RDL-Technologie optimieren Dichte und Wärmeableitung in kompaktem CSP1006-2-Gehäuse
Die uni-/bidirektionalen ESD-Schutzkomponenten CSPSBHC4V8LB, CSPSBHC6V3LB und CSPHC4V8L von MCC sind auf höchste Performance ausgelegt. Sie nutzen die innovative RDL-Technologie (Redistribution Layer), um das Anschlusspad des Chips mit dem Anschlusspad des Gehäuses zu verbinden, was hohe Leistungen und ein kompaktes CSP1006-2-Gehäuse ermöglicht. Diese Dioden optimieren die Leistungsdichte des Gehäuses, die elektrische Performance und die Wärmeableitung.
Mit Spitzenimpulsströmen von 1350 W bis 1600 W und einer VRWM zwischen 3,3 V und 4,8 V bieten diese ESD-Dioden einen robusten und zuverlässigen Schutz vor elektrostatischen Entladungen. Eine niedrige Klemmspannung von 15 V bis 16,5 V trägt weiter zu ihrer hohen Performance bei.
Diese ESD-Dioden wurden streng nach der Norm IEC 61000-4-2 (ESD) auf ihre Immunität geprüft und widerstehen Luftentladungen von ±30 kV und Kontaktentladungen von ±30 kV. Die Dioden entsprechen der Norm IEC 61000-4-5 (Blitzschlag) mit 90 A/100 A (8/20 μs) und gewährleisten einen zuverlässigen Schutz in schwierigen Umgebungen.
Von Verbrauchertechnik bis hin zu kritischen Telekommunikationsanwendungen sind die leistungsstarken ESD-Dioden von MCC die ideale Lösung für einen absolut zuverlässigen Betrieb.
- RDL-Technologie: reduzierte Größe und optimierte Performance
- Hoher Spitzenimpulsstrom (PPK): 1350 W bis 1600 W
- VRWM-Bereich: 3,3 V bis 4,8 V
- Extrem kompaktes Gehäuse: CSP1006-2
- Niedrige Klemmspannung: 15 V bis 16,5 V
- Geprüfte Immunität gemäß IEC 61000-4-2 (ESD):
- Luftentladung: ±30 kV
- Kontaktentladung: ±30 kV
- Konformität mit IEC 61000-4-5 (Blitzschlag): 90 A/100 A (8/20 μs)
- Verbrauchergeräte
- Smartphones
- Tablets
- Wearable-Technologie
- Computer
- Laptops
- Desktop-Computer
- Server
- Industrielle Anwendungen
- Automatisierungssysteme
- Steuertafeln
- Fertigungsanlagen
- Telekommunikation
- Netzwerkgeräte
- Telekommunikationsinfrastruktur
- Mobilfunkbasisstationen
Uni/Bidirectional High-Power ESD Diodes
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Spannung - Rückwärts-Sperrsp. (typ.) | Spannung - Durchbruch (Min.) | Spannung - Klemmung (Max.) bei Ipp | Strom - Spitzenimpuls (10/1000µs) | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | CSPSBHC4V8LB-TP | TVS DIODE 4.8VWM 16VC CSP1006-2 | 4,8V (max.) | 5V | 16V | 100 A (8/20µs) | 18525 - Sofort | $0.32 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | CSPSBHC6V3LB-TP | TVS DIODE 6.3VWM 16.5V CSP10062 | 6,3V (max.) | 6,5V | 16,5V | 90 A (8/20µs) | 14690 - Sofort | $0.32 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | CSPHC4V8L-TP | TVS DIODE 4.8VWM 15VC CSP1006-2 | 4,8V (max.) | 5V | 15V | 90 A (8/20µs) | 2070 - Sofort | $0.24 | Details anzeigen |




