Anreicherungsmodus-GaN-Leistungstransistor EPC2218

GaN-Transistor von EPC mit 3,2 mΩ, 100 V und 231 A (gepulst) bietet hohe Leistungseffizienz und Schaltfrequenz

Abbildung: Anreicherungsmodus-GaN-Leistungstransistor EPC2218 von EPCDie Transistoren EPC2218 und die dazugehörigen Entwicklungs-/Evaluierungsboards von EPC bieten Anreicherungsmodus-GaN-FET mit 100 V und 60 A bzw. 231 Agepulst. Die Transistoren werden nur in passivierter Chipform mit Lötstegen und einer Größe von 3,5 mm x 1,95 mm angeboten. Der EPC2218 ist ideal für 48-VOUT-Synchrongleichrichtung, Audioverstärker der Klasse D, Infotainment-Systeme, DC/DC-Wandler und LiDAR für autonome Fahrzeuge, Robotik und Drohnen.

Merkmale

  • Höhere Schaltfrequenz für geringere Schaltverluste und niedrigere Treiberleistung
  • Höherer Wirkungsgrad für geringere Leit- und Schaltverluste sowie null Sperrverzögerungsverluste
  • Kleinere Grundfläche ermöglicht höhere Leistung
Anwendungen
  • DC/DC-Wandler
  • BLDC-Motorantriebe
  • Synchrongleichrichtung für AC/DC- und DC/DC-Wandlung
  • LiDAR/Impulsleistung
  • Lastpunkt-Wandler (Point-of-load, POL)
  • Audioverstärker der Klasse D
  • LED-Beleuchtung

EPC2218 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
GANFET N-CH 100V DIEEPC2218GANFET N-CH 100V DIE0 - Sofort$6.42Details anzeigen

Evaluation Boards

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
EVAL BOARD FOR EPC2218EPC9153EVAL BOARD FOR EPC22184 - Sofort$415.05Details anzeigen
EVAL BOARD FOR EPC2218EPC90123EVAL BOARD FOR EPC221822 - Sofort$170.11Details anzeigen
Veröffentlicht: 2021-01-07