DMTHxxxxSPGWQ 100-V-PowerDI-8080-Automobil-MOSFET

Diodes erweitert sein Portfolio an thermisch effizienten PowerDI8080-5-MOSFETs um den automobilkonformen 100-V-MOSFET mit extrem niedrigem R_(DSON) neben MOSFETs mit Nennspannungen von 40 V bis 80 V. Das Portfolio ist auf Hochleistungs-BLDC-Motoren und DC/DC-Wandler in ICE-, Elektro- und Hybridfahrzeugen ausgerichtet.

Anwendungen wie Batterietrennschalter, Onboard-Ladegeräte und 48-V-Hochleistungs-BLDC-Motorantriebe können Leitungsverluste reduzieren und die Effizienz maximieren, indem sie den maximalen Drain-Source-Durchlasswiderstand von 1,5 mΩ des 100-V-MOSFETs DMTH10H1M7SPGWQ nutzen.

Der 40-V-MOSFET DMTH4M40SPGWQ im Gullwing-Gehäuse hat einen maximalen Widerstand von 0,4 mΩ R_(DSON), das ist einer der niedrigsten in der Branche. Dies ist ideal für 12-V-BLDC-Motoren und DC/DC-Anwendungen. Der MTH6M70SPGWQ mit 60 V Nennspannung bietet hohe Leistung für 24-V-Anwendungen.

Das PowerDI8080-5-Gehäuse verbraucht eine Leiterplattenfläche von 64 mm², also 40 % weniger als das TO-263-Gehäuseformat. Es hat außerdem ein Offboard-Profil von nur 1,7 mm, also 63 % niedriger als das TO-263 (D2PAK).

Die Kupfer-Clip-Verbindung zwischen dem Chip und den Anschlüssen ermöglicht einen niedrigen Übergangswiderstand von nur 0,3 °C/W, so dass das PowerDI8080-5 Ströme von bis zu 847 A verarbeiten kann und eine achtmal höhere Leistungsdichte als das TO-263-Gehäuse aufweist.

Standardkonforme Versionen sind ebenfalls verfügbar und eignen sich für industrielle und kommerzielle Anwendungen.