AEM Central Semiconductor

N-Kanal-MOSFETs aus Siliziumkarbid

Leistungsfähige 1.700-V-SiC-MOSFETs von Central Semiconductor sind für effizienten, zuverlässigen Einsatz in Elektrofahrzeugen und Leistungselektronik optimiert

Abbildung: Siliziumkarbid-N-Kanal-MOSFET von Central SemiconductorDie Siliziumkarbid-N-Kanal-MOSFETs von Central Semiconductor sind für schnelles Schalten sowie Anwendungen mit kurzer Sperrverzögerung ausgelegt.

Merkmale/Funktionen
  • Extrem niedriger Durchlasswiderstand für minimierte Leitungsverluste und höhere Energieeffizienz
  • Niedrige Eingangskapazität für schnelles, frequenzabhängiges Schalten
  • Ausgezeichnete thermische Stabilität mit Sperrschicht-Betriebstemperatur von bis zu +175 °C
  • Hohe Sperrspannung von 1.700 V in TO-247-Gehäuse für vielseitige Stromversorgungs- und Batteriesystemanwendungen
  • Optimierung für effiziente, kostengünstige Leistungselektronik in Elektrofahrzeugen
Anwendungen/Zielmärkte
  • Laden von Elektrofahrzeugen

Silicon Carbide N-Channel MOSFETs

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHANCDMS24720-170 SL1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN30 - Sofort$76.07Details anzeigen
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHANCDMS24740-170 SL1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN29 - Sofort$30.69Details anzeigen
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHANCDMS24780-170 SL1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN0 - Sofort$23.26Details anzeigen
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHANCDMS24760-170 SL1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN0 - Sofort$26.56Details anzeigen
Veröffentlicht: 2025-11-19