Hochleistungs-TVS-Dioden im SMD-Gehäuse

Die Modelle PTVS6-058C-SH und PTVS6-076C-SH von Bourns^® sind bidirektionale Hochstrom-TVS-Dioden für den Einsatz in Hochleistungs-DC-Busklemmanwendungen. Diese Komponenten bieten einen bidirektionalen Portschutz entsprechend IEC 61000-4-5 für 8/20 μs Überstromanforderungen und sind RoHS-konform. Im Vergleich zur konkurrierenden MOV-Technologie, bietet der Einsatz von Siliziumtechnologie bei den Leistungs-TVS-Produkten eine geringere Klemmspannung bei Überspannung, eine höhere Leistungsstabilität und eine erhöhte Zuverlässigkeit.

Das SMD-Gehäuse bietet eine Reduktion der Spitzenklemmspannung im Vergleich zu den äquivalenten Durchsteckeinheiten aufgrund seiner niedrigeren Leitungsinduktivität. Das Ergebnis ist eine reduzierte elektrische Beanspruchung der geschützten Schaltung. Darüber hinaus wird die Montage vereinfacht und die Kosten durch Beseitigen des zusätzlichen Konstruktionsschritt reduziert, wenn die Leistungs-TVS-Diode die einzige Durchgangsloch-Komponente auf der Leiterplatte ist.

Diese Komponenten weisen ein ausgezeichnetes Überlastverhalten über der Temperatur auf. Der maximale Stoßstrom bei 150 °C übertrifft 70 % des Nennwerts bei 25 °C.