Der ADRF5020 von
Analog Devices ist ein mithilfe eines Siliziumverfahrens hergestellter einpoliger Universal-Wechsel(SPDT)-Schalter. Er befindet sich in einem 3 × 3 mm kleinen 20-poligen LGA(Land Grid Array)-Gehäuse und bietet hohe Isolation und niedrige Einfügungsdämpfung von 100 MHz bis 30 GHz. Dieser Breitband-Schalter benötigt duale Versorgungsspannung, + 3,3 V und - 2,5 V, und bietet CMOS/LVTTL-Logik-kompatible Steuerung. Zu den Anwendungen gehören HF- und Mikrowellen-Test- und Messgeräte, eine Alternative zu PIN-Dioden-basierten-Schaltern, Militär-Funkgeräte, Radar, elektronische Schutzsysteme, 5G-Mobilfunk-Infrastruktur und HF-Front-Ends.
| Merkmale |
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- Ultrabreitbandfrequenzbereich: 100 MHz bis 30 GHz
- Niedrige Einfügungsdämpfung und lineare Eigenschaften
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- Hergestellt mit der fortschrittlichen Siliziumtechnologie
- Kompaktes RoHS-Gehäuse in STM-Form
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Der ADRF5130 ist ein leistungsstarker reflektiver Silizium-Wechsel(SPDT)-Schalter mit einem Frequenzbereich von 0,7 GHz bis 3,5 GHz in einem unbedrahteten, oberflächenmontierbaren Gehäuse. Der Schalter ist ideal für Hochleistungs- und Mobilfunk-Infrastruktur-Anwendungen wie Long-Term-Evolution(LTE)-Basisstationen. Der ADRF5130 verfügt über eine hohe Leistungsaufnahme von 43 dBm (Maximum), einen niedrigen Einfügungsverlust von 0,6 dB, einen Interceptpunkt dritter Ordnung von 68 dBm (typisch) und eine 0,1dB-Kompression (P0.1dB) von 46 dBm. Die On-Chip-Schaltung arbeitet bei einer einzigen positiven Versorgungsspannung von 5 V und typischem Versorgungsstrom von 1,06 mA, womit der ADRF5130 eine ideale Alternative zu PIN-Dioden-basierten-Switches darstellt. Die Komponente wird in einem RoHS-konformen, kompakten, 24-poligen, 4-x-4-mm-LFCSP-Gehäuse geliefert. Zu den Anwendungen gehören HF-Frontends für Mobilfunk-Infrastruktur-MIMO-Systeme für LNA-Schutz, Mobilfunk-Repeater-Antennenschalter, tragbare und modulare HF-Test- und Messtechnik sowie PIN-Diodenersatz für Hochleistungs-HF-Anwendungen.
| Merkmale |
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- 44 W Spitzenstrombelastbarkeit
- Niedriger Versorgungsstrom und -spannung
- Keine externen Komponenten für Vorspannungserzeugung
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- Hergestellt mit der fortschrittlichen Siliziumtechnologie
- Kompaktes RoHS SMT-Gehäuse
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