Vishay Semiconductor VS-MPY038P120/VS-MPX075P120 MAACPAK PressFit power modules increase efficiency and reliability for medium to high-frequency applications.
Die ESD-Schutzdioden VGSOT* von Vishay für eine oder zwei Leitungen sorgen für eine effizientere Wärmeableitung als Bauteile der vorherigen Generation.
Die oberflächenmontierbaren PAR-Überspannungsbegrenzer T15BxxA und T15BxxCA von Vishay sparen Platz auf der Leiterplatte und senken gleichzeitig die Kosten in Automobilanwendungen.
Die oberflächenmontierbaren Standard- und TMBS-Gleichrichter von Vishay bieten platzsparende, hocheffiziente Lösungen.
Die Siliziumkarbid-Schottky-Dioden von Vishay sind ideal für extrem schnelle, harte Schaltvorgänge über einen großen Temperaturbereich.
Die Siliziumkarbid-Schottky-Sperrschichtdioden VS-SCx von Vishay werden mit modernster Dünnwafer-Technologie hergestellt.
Information from Vishay on improved thermal performance and efficiency high-current ratings to 9 A.
Vishay's soldering recommendations for power DFN packages.
Information on Vishay's surface-mount TMBS and standard rectifiers.
Die TMBS®-Gleichrichter V6N3M103-M3/I und V6N3M103HM3/I von Vishay haben ein flaches DFN33A-Gehäuse mit seitlich benetzbaren Flanken.
Die Siliziumkarbid-Brückenmodule VS-SCx0BA120 von Vishay nutzen die hochentwickelte SiC-Schottky-Diodentechnologie.
Die 1.200-V-Hyperfast-Gleichrichter FRED Pt Gen 7 von Vishay bieten eine geringe Sperrschichtkapazität und Erholungszeit.
Verwendung von MPS-SiC-Dioden zur Minimierung von Verlusten in Hochfrequenz-Schaltnetzteilen
Datum der Veröffentlichung: 2024-09-19
SiC mit einem verschmolzenen PIN-Schottky-Design verbessert den Wirkungsgrad und die Zuverlässigkeit von Schaltnetzteilen, indem es hohe Strombelastbarkeit bei geringen Verlusten bietet.
Die ESD-Schutzdioden der Serie VETH100A1DD1 von Vishay entsprechen den 100Base-T1- und 1000Base-T1-Spezifikationen der OPEN Alliance.
Die 1.200-V-SiC-Schottky-Dioden der Generation 3 von Vishay weisen einen geringeren Durchlassspannungsabfall, kapazitive Ladung und Sperrstrom auf.
Die Siliziumkarbid-Schottky-Trägerdioden von Vishay weisen praktisch keine Erholungsschwäche und keine Schaltverluste auf.
Die TVS-Dioden von Vishay im DFN3820-A-Gehäuse bieten eine Pulsspitzenleistung von 600 W bei 10/1.000 μs und einen niedrigen Ableitstrom von nur 1 μA.
Die Soft-Recovery-Dioden VS-VSUD505CW60 und VS-VSUD510CW60 von Vishay bieten eine höhere Lebenserwartung als Komponenten der vorherigen Generationen.
Die IGBT-Leistungsmodule VS-GTxxxTS065x von Vishay verfügen über ein neuentwickeltes INT-A-PAK-Gehäuse.
Die Kleinsignal-Zenerdioden von Vishay bieten eine kompakte und hochfunktionale Lösung für verschiedene Anwendungen.

