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Indice prodotti > Isolatori > Optoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica

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Confronta componenti Datasheets Immagine Codice Digi-Key Codice produttore Fabbricante Descrizione Quantità disponibile
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Quantità minima di ordinazione Imballaggio Serie Stato componente Numero di canali Tensione - Isolamento Rapporto trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento di corrente (max) Tempo di accensione/spegnimento (tip.) Tempo di salita/discesa (tip.) Tipo di ingresso Tipo di uscita Tensione - Uscita (max) Corrente - Uscita/Canale Tensione-diretta Corrente - diretta c.c. (If) Vce saturazione (max) Temperatura di funzionamento Tipo di montaggio Contenitore / involucro Contenitore del fornitore
   
TLP291(GB-TP,SE Datasheet TLP291(GB-TP,SE - Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(GB-TPSETR-ND TLP291(GB-TP,SE OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 87.500 - Immediatamente Disponibile: 87.500 € 0,08188 2.500 Minimo : 2.500 Nastrati in bobina (nib)
Formato alternativo
-
Attivo 1 3750Vrms 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs c.c. Transistore 80V 50mA 1,25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C A montaggio superficiale 4-SOIC (0,179", 4,55mm di larghezza) 4-SO
TLP291(GB-TP,SE Datasheet TLP291(GB-TP,SE - Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(GB-TPSECT-ND TLP291(GB-TP,SE OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 88.760 - Immediatamente Disponibile: 88.760 € 0,41000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)
Formato alternativo
-
Attivo 1 3750Vrms 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs c.c. Transistore 80V 50mA 1,25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C A montaggio superficiale 4-SOIC (0,179", 4,55mm di larghezza) 4-SO
TLP291(GB-TP,SE Datasheet TLP291(GB-TP,SE - Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(GB-TPSEDKR-ND TLP291(GB-TP,SE OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 88.760 - Immediatamente Disponibile: 88.760 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®
Formato alternativo
-
Attivo 1 3750Vrms 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs c.c. Transistore 80V 50mA 1,25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C A montaggio superficiale 4-SOIC (0,179", 4,55mm di larghezza) 4-SO
TLP291(BLL-TP,SE Datasheet TLP291(BLL-TP,SE - Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(BLL-TPSETR-ND TLP291(BLL-TP,SE OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 30.000 - Immediatamente Disponibile: 30.000 € 0,08516 2.500 Minimo : 2.500 Nastrati in bobina (nib)
Formato alternativo
-
Attivo 1 3750Vrms 200% a 5mA 400% a 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs c.c. Transistore 80V 50mA 1,25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C A montaggio superficiale 4-SOIC (0,179", 4,55mm di larghezza) 4-SO
TLP291(BLL-TP,SE Datasheet TLP291(BLL-TP,SE - Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(BLL-TPSECT-ND TLP291(BLL-TP,SE OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 30.924 - Immediatamente Disponibile: 30.924 € 0,42000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)
Formato alternativo
-
Attivo 1 3750Vrms 200% a 5mA 400% a 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs c.c. Transistore 80V 50mA 1,25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C A montaggio superficiale 4-SOIC (0,179", 4,55mm di larghezza) 4-SO
TLP291(BLL-TP,SE Datasheet TLP291(BLL-TP,SE - Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(BLL-TPSEDKR-ND TLP291(BLL-TP,SE OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 30.924 - Immediatamente Disponibile: 30.924 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®
Formato alternativo
-
Attivo 1 3750Vrms 200% a 5mA 400% a 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs c.c. Transistore 80V 50mA 1,25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C A montaggio superficiale 4-SOIC (0,179", 4,55mm di larghezza) 4-SO
EL3H7(B)(TA)-VG Datasheet EL3H7(B)(TA)-VG - Everlight Electronics Co Ltd 1080-1197-2-ND EL3H7(B)(TA)-VG OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SSOP 25.000 - Immediatamente Disponibile: 25.000 € 0,08723 5.000 Minimo : 5.000 Nastrati in bobina (nib)
Formato alternativo
-
Attivo 1 3750Vrms 130% a 5mA 260% a 5mA
-
5µs, 3µs c.c. Transistore 80V 50mA 1,2V 50mA 200mV -55°C ~ 110°C A montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", 4,40mm di larghezza) 4-SSOP
EL3H7(B)(TA)-VG Datasheet EL3H7(B)(TA)-VG - Everlight Electronics Co Ltd 1080-1197-1-ND EL3H7(B)(TA)-VG OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SSOP 29.823 - Immediatamente Disponibile: 29.823 € 0,45000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)
Formato alternativo
-
Attivo 1 3750Vrms 130% a 5mA 260% a 5mA
-
5µs, 3µs c.c. Transistore 80V 50mA 1,2V 50mA 200mV -55°C ~ 110°C A montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", 4,40mm di larghezza) 4-SSOP
EL3H7(B)(TA)-VG Datasheet EL3H7(B)(TA)-VG - Everlight Electronics Co Ltd 1080-1197-6-ND EL3H7(B)(TA)-VG OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SSOP 29.823 - Immediatamente Disponibile: 29.823 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®
Formato alternativo
-
Attivo 1 3750Vrms 130% a 5mA 260% a 5mA
-
5µs, 3µs c.c. Transistore 80V 50mA 1,2V 50mA 200mV -55°C ~ 110°C A montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", 4,40mm di larghezza) 4-SSOP
TLP185(GB-TPL,SE Datasheet TLP185(GB-TPL,SE - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GB-TPLSETR-ND TLP185(GB-TPL,SE OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 66.000 - Immediatamente Disponibile: 66.000 € 0,09662 3.000 Minimo : 3.000 Nastrati in bobina (nib)
Formato alternativo
-
Attivo 1 3750Vrms 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs c.c. Transistore 80V 50mA 1,25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C A montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", 4,40mm di larghezza), 4 conduttori 6-SO, 4 cavi
TLP185(GB-TPL,SE Datasheet TLP185(GB-TPL,SE - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GB-TPLSECT-ND TLP185(GB-TPL,SE OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 68.037 - Immediatamente Disponibile: 68.037 € 0,38000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)
Formato alternativo
-
Attivo 1 3750Vrms 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs c.c. Transistore 80V 50mA 1,25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C A montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", 4,40mm di larghezza), 4 conduttori 6-SO, 4 cavi
TLP185(GB-TPL,SE Datasheet TLP185(GB-TPL,SE - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GB-TPLSEDKR-ND TLP185(GB-TPL,SE OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 68.037 - Immediatamente Disponibile: 68.037 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®
Formato alternativo
-
Attivo 1 3750Vrms 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs c.c. Transistore 80V 50mA 1,25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C A montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", 4,40mm di larghezza), 4 conduttori 6-SO, 4 cavi
EL3H7(TA)-VG Datasheet EL3H7(TA)-VG - Everlight Electronics Co Ltd 1080-1198-2-ND EL3H7(TA)-VG OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SSOP 80.000 - Immediatamente Disponibile: 80.000 € 0,09799 5.000 Minimo : 5.000 Nastrati in bobina (nib)
Formato alternativo
-
Attivo 1 3750Vrms 50% a 5mA 600% a 5mA
-
5µs, 3µs c.c. Transistore 80V 50mA 1,2V 50mA 200mV -55°C ~ 110°C A montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", 4,40mm di larghezza) 4-SSOP
EL3H7(TA)-VG Datasheet EL3H7(TA)-VG - Everlight Electronics Co Ltd 1080-1198-1-ND EL3H7(TA)-VG OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SSOP 82.507 - Immediatamente Disponibile: 82.507 € 0,46000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)
Formato alternativo
-
Attivo 1 3750Vrms 50% a 5mA 600% a 5mA
-
5µs, 3µs c.c. Transistore 80V 50mA 1,2V 50mA 200mV -55°C ~ 110°C A montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", 4,40mm di larghezza) 4-SSOP
EL3H7(TA)-VG Datasheet EL3H7(TA)-VG - Everlight Electronics Co Ltd 1080-1198-6-ND EL3H7(TA)-VG OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SSOP 82.507 - Immediatamente Disponibile: 82.507 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®
Formato alternativo
-
Attivo 1 3750Vrms 50% a 5mA 600% a 5mA
-
5µs, 3µs c.c. Transistore 80V 50mA 1,2V 50mA 200mV -55°C ~ 110°C A montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", 4,40mm di larghezza) 4-SSOP
TLP185(GB-TPR,E) Datasheet TLP185(GB-TPR,E) - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GB-TPRE)TR-ND TLP185(GB-TPR,E) OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 129.000 - Immediatamente Disponibile: 129.000 € 0,10358 3.000 Minimo : 3.000 Nastrati in bobina (nib)
Formato alternativo
-
Attivo 1 3750Vrms 100% a 5mA 400% a 5mA 9µs, 9µs 5µs, 9µs c.c. Transistore 80V 50mA 1,25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C A montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", 4,40mm di larghezza), 4 conduttori 6-SO, 4 cavi
TLP185(GB-TPR,E) Datasheet TLP185(GB-TPR,E) - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GB-TPRE)CT-ND TLP185(GB-TPR,E) OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 129.982 - Immediatamente Disponibile: 129.982 € 0,45000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)
Formato alternativo
-
Attivo 1 3750Vrms 100% a 5mA 400% a 5mA 9µs, 9µs 5µs, 9µs c.c. Transistore 80V 50mA 1,25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C A montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", 4,40mm di larghezza), 4 conduttori 6-SO, 4 cavi
TLP185(GB-TPR,E) Datasheet TLP185(GB-TPR,E) - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GB-TPRE)DKR-ND TLP185(GB-TPR,E) OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 129.982 - Immediatamente Disponibile: 129.982 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®
Formato alternativo
-
Attivo 1 3750Vrms 100% a 5mA 400% a 5mA 9µs, 9µs 5µs, 9µs c.c. Transistore 80V 50mA 1,25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C A montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", 4,40mm di larghezza), 4 conduttori 6-SO, 4 cavi
TLP185(GR-TPR,E) Datasheet TLP185(GR-TPR,E) - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GR-TPRE)TR-ND TLP185(GR-TPR,E) OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 60.000 - Immediatamente Disponibile: 60.000 € 0,10358 3.000 Minimo : 3.000 Nastrati in bobina (nib)
Formato alternativo
-
Attivo 1 3750Vrms 100% a 5mA 300% a 5mA 9µs, 9µs 5µs, 9µs c.c. Transistore 80V 50mA 1,25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C A montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", 4,40mm di larghezza), 4 conduttori 6-SO, 4 cavi
TLP185(GR-TPR,E) Datasheet TLP185(GR-TPR,E) - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GR-TPRE)CT-ND TLP185(GR-TPR,E) OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 61.604 - Immediatamente Disponibile: 61.604 € 0,45000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)
Formato alternativo
-
Attivo 1 3750Vrms 100% a 5mA 300% a 5mA 9µs, 9µs 5µs, 9µs c.c. Transistore 80V 50mA 1,25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C A montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", 4,40mm di larghezza), 4 conduttori 6-SO, 4 cavi
TLP185(GR-TPR,E) Datasheet TLP185(GR-TPR,E) - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GR-TPRE)DKR-ND TLP185(GR-TPR,E) OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 61.604 - Immediatamente Disponibile: 61.604 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®
Formato alternativo
-
Attivo 1 3750Vrms 100% a 5mA 300% a 5mA 9µs, 9µs 5µs, 9µs c.c. Transistore 80V 50mA 1,25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C A montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", 4,40mm di larghezza), 4 conduttori 6-SO, 4 cavi
TLP183(GB-TPL,E Datasheet TLP183(GB-TPL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(GB-TPLETR-ND TLP183(GB-TPL,E OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 39.000 - Immediatamente Disponibile: 39.000 € 0,10508 3.000 Minimo : 3.000 Nastrati in bobina (nib)
Formato alternativo
-
Attivo 1 3750Vrms 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs c.c. Transistore 80V 50mA 1,25V 50mA 300mV -55°C ~ 125°C A montaggio superficiale 6-SOIC (0,179", 4,55mm di larghezza), 4 conduttori 6-SO, 4 cavi
TLP183(GB-TPL,E Datasheet TLP183(GB-TPL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(GB-TPLECT-ND TLP183(GB-TPL,E OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 40.065 - Immediatamente Disponibile: 40.065 € 0,45000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)
Formato alternativo
-
Attivo 1 3750Vrms 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs c.c. Transistore 80V 50mA 1,25V 50mA 300mV -55°C ~ 125°C A montaggio superficiale 6-SOIC (0,179", 4,55mm di larghezza), 4 conduttori 6-SO, 4 cavi
TLP183(GB-TPL,E Datasheet TLP183(GB-TPL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(GB-TPLEDKR-ND TLP183(GB-TPL,E OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 40.065 - Immediatamente Disponibile: 40.065 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®
Formato alternativo
-
Attivo 1 3750Vrms 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs c.c. Transistore 80V 50mA 1,25V 50mA 300mV -55°C ~ 125°C A montaggio superficiale 6-SOIC (0,179", 4,55mm di larghezza), 4 conduttori 6-SO, 4 cavi
EL3H7(C)(TA)-VG Datasheet EL3H7(C)(TA)-VG - Everlight Electronics Co Ltd 1080-1537-2-ND EL3H7(C)(TA)-VG OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SSOP 55.000 - Immediatamente Disponibile: 55.000 € 0,10959 5.000 Minimo : 5.000 Nastrati in bobina (nib)
Formato alternativo
-
Attivo 1 3750Vrms 200% a 5mA 400% a 5mA
-
5µs, 3µs c.c. Transistore 80V 50mA 1,2V 50mA 200mV -55°C ~ 110°C A montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", 4,40mm di larghezza) 4-SSOP
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