Indice prodotti > Dispositivi a semiconduttore discreti > Transistor - IGBT - Singoli

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Imballaggio Serie Stato componente Tipo IGBT Tensione di rottura collettore-emettitore (max) Corrente di collettore (Ic) (max) Corrente - pulsata collettore (Icm) Vce(on) (max) a Vge, Ic Potenza max Energia di commutazione Tipo di ingresso Carica del gate Td (on/off) a 25 °C Condizione di test Tempo di ripristino inverso (trr) Temperatura di funzionamento Tipo di montaggio Contenitore / involucro Contenitore del fornitore
   
NGD8201ANT4G Datasheet NGD8201ANT4G - Littelfuse Inc. NGD8201ANT4GOSTR-ND IGBT 440V 20A 125W DPAK 10.000 - Immediatamente Disponibile: 10.000 € 0,48542 2.500 Minimo : 2.500 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
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Attivo
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440V 20A 50A 1,9 V a 4,5 V, 20 A 125W
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Logici
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-/5 µs 300 V, 9 A, 1 kOhm, 5 V
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-55 °C ~ 175 °C (TJ) Montaggio superficiale (SMD, SMT) TO-252-3, DPak (2 conduttori+ linguetta), SC-63