Indice prodotti > Dispositivi a semiconduttore discreti > Transistor - FET, MOSFET - RF

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MMBFJ310LT1G Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor MMBFJ310LT1GOSTR-ND RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 15.000 - Immediatamente Disponibile: 15.000 € 0,12274 3.000 Minimo : 3.000 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
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Attivo JFET a canale N
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12 dB 10V 60 mA
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10mA
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25V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ310LT1G Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor MMBFJ310LT1GOSCT-ND RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 17.000 - Immediatamente Disponibile: 17.000 € 0,44000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
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Attivo JFET a canale N
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12 dB 10V 60 mA
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10mA
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25V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ310LT1G Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor MMBFJ310LT1GOSDKR-ND RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 17.000 - Immediatamente Disponibile: 17.000 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
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Attivo JFET a canale N
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12 dB 10V 60 mA
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10mA
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25V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
CE3512K2-C1 Datasheet CE3512K2-C1 - CEL CE3512K2-C1TR-ND RF FET 4V 12GHZ 4MICROX 10.000 - Immediatamente Disponibile: 10.000 € 0,35512 10.000 Minimo : 10.000 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
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Attivo pHEMT FET 12GHz 13,7 dB 2V 15 mA 0,5 dB 10mA 125 mW 4V 4-Micro-X 4-Micro-X
CE3512K2-C1 Datasheet CE3512K2-C1 - CEL CE3512K2-C1CT-ND RF FET 4V 12GHZ 4MICROX 16.048 - Immediatamente Disponibile: 16.048 € 1,00000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
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Attivo pHEMT FET 12GHz 13,7 dB 2V 15 mA 0,5 dB 10mA 125 mW 4V 4-Micro-X 4-Micro-X
CE3512K2-C1 Datasheet CE3512K2-C1 - CEL CE3512K2-C1DKR-ND RF FET 4V 12GHZ 4MICROX 16.048 - Immediatamente Disponibile: 16.048 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
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Attivo pHEMT FET 12GHz 13,7 dB 2V 15 mA 0,5 dB 10mA 125 mW 4V 4-Micro-X 4-Micro-X
PD85004 Datasheet PD85004 - STMicroelectronics 497-8291-2-ND FET RF 40V 870MHZ 5.000 - Immediatamente Disponibile: 5.000 € 1,40680 2.500 Minimo : 2.500 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS 870MHz 17 dB 13,6V 2 A
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50mA 4 W 40V TO-243AA SOT-89
PD85004 Datasheet PD85004 - STMicroelectronics 497-8291-1-ND FET RF 40V 870MHZ 5.167 - Immediatamente Disponibile: 5.167 € 2,89000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS 870MHz 17 dB 13,6V 2 A
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50mA 4 W 40V TO-243AA SOT-89
PD85004 Datasheet PD85004 - STMicroelectronics 497-8291-6-ND FET RF 40V 870MHZ 5.167 - Immediatamente Disponibile: 5.167 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS 870MHz 17 dB 13,6V 2 A
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50mA 4 W 40V TO-243AA SOT-89
BLP9G0722-20GZ Datasheet BLP9G0722-20GZ - Ampleon USA Inc. 1603-1103-2-ND RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1 500 - Immediatamente Disponibile: 500 € 11,85368 500 Minimo : 500 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS 400MHz ~ 2,7GHz 19 dB 28V 1,4µA
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180mA 43 dBm 65V SOT-1483-1 SOT1483-1
BLP9G0722-20GZ Datasheet BLP9G0722-20GZ - Ampleon USA Inc. 1603-1103-1-ND RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1 532 - Immediatamente Disponibile: 532 € 17,68000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS 400MHz ~ 2,7GHz 19 dB 28V 1,4µA
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180mA 43 dBm 65V SOT-1483-1 SOT1483-1
BLP9G0722-20GZ Datasheet BLP9G0722-20GZ - Ampleon USA Inc. 1603-1103-6-ND RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1 532 - Immediatamente Disponibile: 532 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS 400MHz ~ 2,7GHz 19 dB 28V 1,4µA
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180mA 43 dBm 65V SOT-1483-1 SOT1483-1
PD55008-E Datasheet PD55008-E - STMicroelectronics 497-5299-5-ND FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 139 - Immediatamente Disponibile: 139 € 13,62000 1 Minimo : 1 Tubo?
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Attivo LDMOS 500MHz 17 dB 12,5V 4 A
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150mA 8 W 40V PowerSO-10 piazzola parte inferiore esposta 10-PowerSO
275-102N06A-00 Datasheet 275-102N06A-00 - IXYS-RF 275-102N06A-00-ND
RF MOSFET N-CHANNEL DE275 493 - Immediatamente Disponibile: 493 € 15,87000 1 Minimo : 1 Tubo? DE Attivo Canale N
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8 A
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590 W 1000V 6-SMD, Piazzola esposta per conduttore piatto DE275
NPTB00004A Datasheet NPTB00004A - M/A-Com Technology Solutions 1465-1410-ND HEMT N-CH 28V 5W DC-6GHZ 8SOIC 218 - Immediatamente Disponibile: 218 € 16,79000 1 Minimo : 1 Tubo?
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Attivo HEMT 0 Hz ~ 6GHz 14,8 dB 28V 1,4 A
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50mA 4 W 100V 8-SOIC (0,154", 3,90mm di larghezza) 8-SOIC
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-2-ND RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 840 - Immediatamente Disponibile: 840 € 18,57117 60 Minimo : 60 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 860MHz 22 dB 50V
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60mA 10 W 104V 12-VDFN Piazzola esposta 12-HVSON (6x5)
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-1-ND RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 866 - Immediatamente Disponibile: 866 € 21,72000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 860MHz 22 dB 50V
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60mA 10 W 104V 12-VDFN Piazzola esposta 12-HVSON (6x5)
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-6-ND RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 866 - Immediatamente Disponibile: 866 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 860MHz 22 dB 50V
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60mA 10 W 104V 12-VDFN Piazzola esposta 12-HVSON (6x5)
CGH60008D-GP4 Datasheet CGH60008D-GP4 - Cree/Wolfspeed CGH60008D-ND RF MOSFET HEMT 28V DIE 219 - Immediatamente Disponibile: 219 € 20,48200 10 Minimo : 10 Vassoio? GaN Attivo HEMT 6GHz 15 dB 28V
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100mA 8 W 84V Stampo Stampo
CGH40006S Datasheet CGH40006S - Cree/Wolfspeed CGH40006STR-ND RF MOSFET HEMT 28V 6QFN-EP 2.600 - Immediatamente Disponibile: 2.600 € 25,58525 200 Minimo : 200 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
GaN Attivo HEMT 0 Hz ~ 6GHz 12 dB 28V
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100mA 8 W 84V 6-VDFN Piazzola esposta 6-QFN-EP (3x3)
CGH40006S Datasheet CGH40006S - Cree/Wolfspeed CGH40006SCT-ND RF MOSFET HEMT 28V 6QFN-EP 2.822 - Immediatamente Disponibile: 2.822 € 28,65000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
GaN Attivo HEMT 0 Hz ~ 6GHz 12 dB 28V
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100mA 8 W 84V 6-VDFN Piazzola esposta 6-QFN-EP (3x3)
CGH40006S Datasheet CGH40006S - Cree/Wolfspeed CGH40006SDKR-ND RF MOSFET HEMT 28V 6QFN-EP 2.822 - Immediatamente Disponibile: 2.822 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
GaN Attivo HEMT 0 Hz ~ 6GHz 12 dB 28V
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100mA 8 W 84V 6-VDFN Piazzola esposta 6-QFN-EP (3x3)
PD57018-E Datasheet PD57018-E - STMicroelectronics 497-5305-5-ND FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 301 - Immediatamente Disponibile: 301 € 28,09000 1 Minimo : 1 Tubo?
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Attivo LDMOS 945MHz 16,5 dB 28V 2,5 A
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100mA 18 W 65V PowerSO-10 piazzola parte inferiore esposta 10-PowerSO
BLF6G21-10G,135 Datasheet BLF6G21-10G,135 - Ampleon USA Inc. BLF6G21-10G,135-ND RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 0 Disponibile: 0
Tempi di consegna standard 13 settimane
€ 24,54222 500
Non in stock
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Minimo : 500
Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS 2,11GHz ~ 2,17GHz 18,5 dB 28V
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100mA 700 mW 65V SOT-538A 2-CSMD
BLF6G21-10G,112 Datasheet BLF6G21-10G,112 - Ampleon USA Inc. 568-5104-ND RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 561 - Immediatamente Disponibile: 561 € 33,03000 1 Minimo : 1 Vassoio?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS 2,11GHz ~ 2,17GHz 18,5 dB 28V
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100mA 700 mW 65V SOT-538A 2-CSMD
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