Indice prodotti > Dispositivi a semiconduttore discreti > Transistor - FET, MOSFET - RF

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Imballaggio Serie Stato componente Tipo di transistore Frequenza Guadagno Tensione - Prova Corrente nominale Cifra di rumore Corrente - Test Alimentazione - uscita Tensione, nominale Contenitore / involucro Contenitore del fornitore
   
CE3512K2 Datasheet CE3512K2 - CEL CE3512K2-ND RF FET 4V 12GHZ 4MICROX 2.309 - Immediatamente Disponibile: 2.309 € 1,25000 1 Minimo : 1 Per strip
Formato alternativo
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Attivo pHEMT FET 12 GHz 13,7 dB 2V 15 mA 0,5 dB 10mA 125 mW 4V 4-Micro-X 4-Micro-X
PD85004 Datasheet PD85004 - STMicroelectronics 497-8291-2-ND FET RF 40V 870MHZ 2.500 - Immediatamente Disponibile: 2.500 € 1,38489 2.500 Minimo : 2.500 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS 870 MHz 17 dB 13,6V 2 A
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50mA 4 W 40V TO-243AA SOT-89
PD85004 Datasheet PD85004 - STMicroelectronics 497-8291-1-ND FET RF 40V 870MHZ 4.227 - Immediatamente Disponibile: 4.227 € 2,84000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS 870 MHz 17 dB 13,6V 2 A
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50mA 4 W 40V TO-243AA SOT-89
PD85004 Datasheet PD85004 - STMicroelectronics 497-8291-6-ND FET RF 40V 870MHZ 4.227 - Immediatamente Disponibile: 4.227 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS 870 MHz 17 dB 13,6V 2 A
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50mA 4 W 40V TO-243AA SOT-89
PD55003L-E Datasheet PD55003L-E - STMicroelectronics 497-6472-2-ND TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT 3.000 - Immediatamente Disponibile: 3.000 € 4,06095 3.000 Minimo : 3.000 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS 500 MHz 19 dB 12,5V 2,5 A
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50mA 3 W 40V 8-PowerVDFN PowerFLAT™ (5x5)
PD55003L-E Datasheet PD55003L-E - STMicroelectronics 497-6472-1-ND TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT 4.438 - Immediatamente Disponibile: 4.438 € 7,66000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS 500 MHz 19 dB 12,5V 2,5 A
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50mA 3 W 40V 8-PowerVDFN PowerFLAT™ (5x5)
PD55003L-E Datasheet PD55003L-E - STMicroelectronics 497-6472-6-ND TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT 4.438 - Immediatamente Disponibile: 4.438 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS 500 MHz 19 dB 12,5V 2,5 A
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50mA 3 W 40V 8-PowerVDFN PowerFLAT™ (5x5)
BLP8G27-10Z Datasheet BLP8G27-10Z - Ampleon USA Inc. 568-12816-2-ND RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN 500 - Immediatamente Disponibile: 500 € 8,97922 500 Minimo : 500 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 2,14 GHz 17 dB 28V
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110mA 2 W 65V 16-VDFN Piazzola esposta 16-HVSON (6x4)
BLP8G27-10Z Datasheet BLP8G27-10Z - Ampleon USA Inc. 568-12816-1-ND RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN 776 - Immediatamente Disponibile: 776 € 13,39000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 2,14 GHz 17 dB 28V
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110mA 2 W 65V 16-VDFN Piazzola esposta 16-HVSON (6x4)
BLP8G27-10Z Datasheet BLP8G27-10Z - Ampleon USA Inc. 568-12816-6-ND RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN 776 - Immediatamente Disponibile: 776 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 2,14 GHz 17 dB 28V
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110mA 2 W 65V 16-VDFN Piazzola esposta 16-HVSON (6x4)
PD55003-E Datasheet PD55003-E - STMicroelectronics 497-5297-5-ND FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 700 - Immediatamente Disponibile: 700 € 10,72000 1 Minimo : 1 Tubo?
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Attivo LDMOS 500 MHz 17 dB 12,5V 2,5 A
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50mA 3 W 40V PowerSO-10 piazzola parte inferiore esposta 10-PowerSO
PD20010-E Datasheet PD20010-E - STMicroelectronics 497-13044-5-ND TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF 502 - Immediatamente Disponibile: 502 € 15,51000 1 Minimo : 1 Tubo?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS 2 GHz 11 dB 13,6V 5 A
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150mA 10 W 40V PowerSO-10RF piazzola parte inferiore esposta (2 conduttori formati) PowerSO-10RF (conduttore formato)
NPTB00004A Datasheet NPTB00004A - M/A-Com Technology Solutions 1465-1410-ND HEMT N-CH 28V 5W DC-6GHZ 8SOIC 673 - Immediatamente Disponibile: 673 € 16,52000 1 Minimo : 1 Tubo?
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Attivo HEMT 0 Hz ~ 6 GHz 14,8 dB 28V 1,4 A
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50mA 4 W 100V 8-SOIC (0,154", 3,90 mm di larghezza) 8-SOIC
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-2-ND RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 1.080 - Immediatamente Disponibile: 1.080 € 18,28200 60 Minimo : 60 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 860 MHz 22 dB 50V
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60mA 10 W 104V 12-VDFN Piazzola esposta 12-HVSON (6x5)
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-1-ND RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 1.102 - Immediatamente Disponibile: 1.102 € 21,38000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 860 MHz 22 dB 50V
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60mA 10 W 104V 12-VDFN Piazzola esposta 12-HVSON (6x5)
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-6-ND RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 1.102 - Immediatamente Disponibile: 1.102 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 860 MHz 22 dB 50V
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60mA 10 W 104V 12-VDFN Piazzola esposta 12-HVSON (6x5)
CGH60008D-GP4 Datasheet CGH60008D-GP4 - Cree/Wolfspeed CGH60008D-ND RF MOSFET HEMT 28V DIE 439 - Immediatamente Disponibile: 439 € 20,16300 10 Minimo : 10 Vassoio? GaN Attivo HEMT 6 GHz 15 dB 28V
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100mA 8 W 84V Stampo Stampo
475-102N21A-00 Datasheet 475-102N21A-00 - IXYS-RF 475-102N21A-00-ND
RF MOSFET N-CHANNEL DE475 222 - Immediatamente Disponibile: 222 € 32,06000 1 Minimo : 1 Tubo? DE Attivo Canale N
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24 A
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1800 W 1000V 6-SMD, Piazzola esposta per conduttore piatto DE475
BLF6G21-10G,135 Datasheet BLF6G21-10G,135 - Ampleon USA Inc. BLF6G21-10G,135-ND RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 0 Disponibile: 0
Tempi di consegna standard 13 settimane
€ 24,16008 500
Non in stock
?
Minimo : 500
Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS 2,11 GHz ~ 2,17 GHz 18,5 dB 28V
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100mA 700 mW 65V SOT-538A 2-CSMD
BLF6G21-10G,112 Datasheet BLF6G21-10G,112 - Ampleon USA Inc. 568-5104-ND RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 461 - Immediatamente Disponibile: 461 € 32,52000 1 Minimo : 1 Vassoio?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS 2,11 GHz ~ 2,17 GHz 18,5 dB 28V
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100mA 700 mW 65V SOT-538A 2-CSMD
BLF640U Datasheet BLF640U - Ampleon USA Inc. 568-12824-ND RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 520 - Immediatamente Disponibile: 520 € 33,27000 1 Minimo : 1 Vassoio?
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Attivo LDMOS 2,11 GHz ~ 2,17 GHz 18,5 dB 28V
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100mA 700 mW 65V SOT-538A 2-CSMD
IXZ2210N50L2 Datasheet IXZ2210N50L2 - IXYS-RF IXZ2210N50L2-ND RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275 1.076 - Immediatamente Disponibile: 1.076 € 37,84000 1 Minimo : 1 Tubo? Z-MOS™ Attivo 2 canali N (doppio) 70 MHz 17 dB 100V 10 A
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270 W 500V 8-SMD, tampone esposto conduttore piatto
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CGHV27030S Datasheet CGHV27030S - Cree/Wolfspeed CGHV27030STR-ND RF MOSFET HEMT 50V 12DFN 250 - Immediatamente Disponibile: 250 € 43,61052 250 Minimo : 250 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
GaN Attivo HEMT 6 GHz 20,4 dB 50V
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130mA 30 W 125V 12-VFDFN Piazzola esposta 12-DFN (4x3)
CGHV27030S Datasheet CGHV27030S - Cree/Wolfspeed CGHV27030SCT-ND RF MOSFET HEMT 50V 12DFN 469 - Immediatamente Disponibile: 469 € 48,85000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
GaN Attivo HEMT 6 GHz 20,4 dB 50V
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130mA 30 W 125V 12-VFDFN Piazzola esposta 12-DFN (4x3)
CGHV27030S Datasheet CGHV27030S - Cree/Wolfspeed CGHV27030SDKR-ND RF MOSFET HEMT 50V 12DFN 469 - Immediatamente Disponibile: 469 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
GaN Attivo HEMT 6 GHz 20,4 dB 50V
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130mA 30 W 125V 12-VFDFN Piazzola esposta 12-DFN (4x3)
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