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Transistor - FET, MOSFET - RF

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Quantità minima di ordinazione Imballaggio Serie Stato componente Tipo di transistore Frequenza Guadagno Tensione - Prova Corrente nominale (ampere) Cifra di rumore Corrente - Test Alimentazione - uscita Tensione, nominale Contenitore / involucro Contenitore del fornitore
   
BLP8G27-10Z Datasheet BLP8G27-10Z - Ampleon USA Inc. 568-12816-2-ND BLP8G27-10Z RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN 1.500 - Immediatamente Disponibile: 1.500 € 9,52104 500 Minimo : 500 Nastrati in bobina (nib)
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 2,14GHz 17dB 28V
-
-
110mA 2W 65V 16-VDFN Piazzola esposta 16-HVSON (6x4)
BLP8G27-10Z Datasheet BLP8G27-10Z - Ampleon USA Inc. 568-12816-1-ND BLP8G27-10Z RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN 1.669 - Immediatamente Disponibile: 1.669 € 14,20000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 2,14GHz 17dB 28V
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110mA 2W 65V 16-VDFN Piazzola esposta 16-HVSON (6x4)
BLP8G27-10Z Datasheet BLP8G27-10Z - Ampleon USA Inc. 568-12816-6-ND BLP8G27-10Z RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN 1.669 - Immediatamente Disponibile: 1.669 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 2,14GHz 17dB 28V
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110mA 2W 65V 16-VDFN Piazzola esposta 16-HVSON (6x4)
CGHV60040D-GP4 Datasheet CGHV60040D-GP4 - Cree/Wolfspeed CGHV60040D-GP4-ND CGHV60040D-GP4 RF MOSFET HEMT 50V DIE 290 - Immediatamente Disponibile: 290 € 31,60300 10 Minimo : 10 Vassoio GaN Attivo HEMT 6GHz 17dB 50V
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-
65mA 40W 150V Stampo Stampo
BLM8G0710S-60PBY Datasheet BLM8G0710S-60PBY - Ampleon USA Inc. 1603-1045-2-ND
BLM8G0710S-60PBY RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12112 500 - Immediatamente Disponibile: 500 € 36,29000 100 Minimo : 100 Nastrati in bobina (nib)
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS (doppio) 957,5MHz 36,2dB 28V
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-
60mA 6W 65V SOT-1211-2 16-HSOPF
BLM8G0710S-60PBY Datasheet BLM8G0710S-60PBY - Ampleon USA Inc. 1603-1045-1-ND
BLM8G0710S-60PBY RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12112 588 - Immediatamente Disponibile: 588 € 47,00000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS (doppio) 957,5MHz 36,2dB 28V
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60mA 6W 65V SOT-1211-2 16-HSOPF
BLM8G0710S-60PBY Datasheet BLM8G0710S-60PBY - Ampleon USA Inc. 1603-1045-6-ND
BLM8G0710S-60PBY RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12112 588 - Immediatamente Disponibile: 588 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS (doppio) 957,5MHz 36,2dB 28V
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60mA 6W 65V SOT-1211-2 16-HSOPF
BLM7G1822S-80PBGY Datasheet BLM7G1822S-80PBGY - Ampleon USA Inc. 568-12804-2-ND BLM7G1822S-80PBGY RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122 300 - Immediatamente Disponibile: 300 € 38,58020 100 Minimo : 100 Nastrati in bobina (nib)
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS (doppio) 2,17GHz 28dB 28V
-
-
240mA 8W 65V SOT-1212-2 16-HSOP
BLM7G1822S-80PBGY Datasheet BLM7G1822S-80PBGY - Ampleon USA Inc. 568-12804-1-ND BLM7G1822S-80PBGY RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122 325 - Immediatamente Disponibile: 325 € 49,05000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)
Formato alternativo
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Attivo LDMOS (doppio) 2,17GHz 28dB 28V
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240mA 8W 65V SOT-1212-2 16-HSOP
BLM7G1822S-80PBGY Datasheet BLM7G1822S-80PBGY - Ampleon USA Inc. 568-12804-6-ND BLM7G1822S-80PBGY RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122 325 - Immediatamente Disponibile: 325 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS (doppio) 2,17GHz 28dB 28V
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240mA 8W 65V SOT-1212-2 16-HSOP
MRF6V2150NBR1 Datasheet MRF6V2150NBR1 - NXP USA Inc. MRF6V2150NBR1TR-ND MRF6V2150NBR1 FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 500 - Immediatamente Disponibile: 500 € 47,16032
-
Nastrati in bobina (nib)
Formato alternativo
-
Non per nuovi progetti LDMOS 220MHz 25dB 50V
-
-
450mA 150W 110V TO-272BB TO-272 WB-4
MRF6V2150NBR1 Datasheet MRF6V2150NBR1 - NXP USA Inc. MRF6V2150NBR1CT-ND MRF6V2150NBR1 FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 996 - Immediatamente Disponibile: 996 € 60,25000
-
Nastrato (CT)
Formato alternativo
-
Non per nuovi progetti LDMOS 220MHz 25dB 50V
-
-
450mA 150W 110V TO-272BB TO-272 WB-4
MRF6V2150NBR1 Datasheet MRF6V2150NBR1 - NXP USA Inc. MRF6V2150NBR1DKR-ND MRF6V2150NBR1 FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 996 - Immediatamente Disponibile: 996 Digi-Reel®
-
Digi-Reel®
Formato alternativo
-
Non per nuovi progetti LDMOS 220MHz 25dB 50V
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-
450mA 150W 110V TO-272BB TO-272 WB-4
BLF871,112 Datasheet BLF871,112 - Ampleon USA Inc. 568-4737-ND
BLF871,112 RF FET LDMOS 89V 19DB SOT467C 202 - Immediatamente Disponibile: 202 € 119,08000
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Vassoio
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Obsoleto LDMOS 860MHz 19dB 40V
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500mA 100W 89V SOT467C SOT467C
BLF888B,112 Datasheet BLF888B,112 - Ampleon USA Inc. 568-12830-ND BLF888B,112 RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A 154 - Immediatamente Disponibile: 154 € 205,09000
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Vassoio
-
Non per nuovi progetti LDMOS (doppio), sorgente comune 860MHz 21dB 50V
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1,3A 250W 104V SOT539A SOT539A
CE3512K2-C1 Datasheet CE3512K2-C1 - CEL CE3512K2-C1TR-ND CE3512K2-C1 RF FET 4V 12GHZ 4MICROX 9.365 - Immediatamente Disponibile: 9.365 € 0,37069 10.000 Minimo : 10.000 Nastrati in bobina (nib)
Formato alternativo
-
Attivo pHEMT FET 12GHz 13,7dB 2V 15mA 0,5dB 10mA 125mW 4V 4-Micro-X 4-Micro-X
CE3512K2-C1 Datasheet CE3512K2-C1 - CEL CE3512K2-C1CT-ND CE3512K2-C1 RF FET 4V 12GHZ 4MICROX 9.420 - Immediatamente Disponibile: 9.420 € 0,99000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)
Formato alternativo
-
Attivo pHEMT FET 12GHz 13,7dB 2V 15mA 0,5dB 10mA 125mW 4V 4-Micro-X 4-Micro-X
CE3512K2-C1 Datasheet CE3512K2-C1 - CEL CE3512K2-C1DKR-ND CE3512K2-C1 RF FET 4V 12GHZ 4MICROX 9.420 - Immediatamente Disponibile: 9.420 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®
Formato alternativo
-
Attivo pHEMT FET 12GHz 13,7dB 2V 15mA 0,5dB 10mA 125mW 4V 4-Micro-X 4-Micro-X
PD85004 Datasheet PD85004 - STMicroelectronics 497-8291-2-ND PD85004 FET RF 40V 870MHZ 7.500 - Immediatamente Disponibile: 7.500 € 1,46845 2.500 Minimo : 2.500 Nastrati in bobina (nib)
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS 870MHz 17dB 13,6V 2A
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50mA 4W 40V TO-243AA SOT-89
PD85004 Datasheet PD85004 - STMicroelectronics 497-8291-1-ND PD85004 FET RF 40V 870MHZ 8.155 - Immediatamente Disponibile: 8.155 € 2,91000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS 870MHz 17dB 13,6V 2A
-
50mA 4W 40V TO-243AA SOT-89
PD85004 Datasheet PD85004 - STMicroelectronics 497-8291-6-ND PD85004 FET RF 40V 870MHZ 8.155 - Immediatamente Disponibile: 8.155 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS 870MHz 17dB 13,6V 2A
-
50mA 4W 40V TO-243AA SOT-89
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-2-ND BLP10H610AZ RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 660 - Immediatamente Disponibile: 660 € 19,38517 60 Minimo : 60 Nastrati in bobina (nib)
Formato alternativo
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Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 860MHz 22dB 50V
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60mA 10W 104V 12-VDFN Piazzola esposta 12-HVSON (6x5)
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-1-ND BLP10H610AZ RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 684 - Immediatamente Disponibile: 684 € 22,67000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)
Formato alternativo
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Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 860MHz 22dB 50V
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60mA 10W 104V 12-VDFN Piazzola esposta 12-HVSON (6x5)
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-6-ND BLP10H610AZ RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 684 - Immediatamente Disponibile: 684 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®
Formato alternativo
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Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 860MHz 22dB 50V
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60mA 10W 104V 12-VDFN Piazzola esposta 12-HVSON (6x5)
BLM7G1822S-40PBGY Datasheet BLM7G1822S-40PBGY - Ampleon USA Inc. 568-12800-2-ND BLM7G1822S-40PBGY RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 200 - Immediatamente Disponibile: 200 € 29,03490 100 Minimo : 100 Nastrati in bobina (nib)
Formato alternativo
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Attivo LDMOS (doppio) 1,81GHz ~ 2,17GHz 31,5dB 28V
-
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40mA 4W 65V SOT-1212-3 16-HSOP
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