Indice prodotti > Dispositivi a semiconduttore discreti > Transistor - FET, MOSFET - RF

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FabbricanteImballaggioSerieStato componenteTipo di transistoreFrequenzaGuadagnoTensione - ProvaCorrente nominaleCifra di rumoreCorrente - TestAlimentazione - uscitaTensione, nominaleContenitore / involucroContenitore del fornitore
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Imballaggio Serie Stato componente Tipo di transistore Frequenza Guadagno Tensione - Prova Corrente nominale Cifra di rumore Corrente - Test Alimentazione - uscita Tensione, nominale Contenitore / involucro Contenitore del fornitore
   
PD55003L-E Datasheet PD55003L-E - STMicroelectronics 497-6472-2-ND TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT 3.000 - Immediatamente
€ 4,06238 3.000 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS 500 MHz 19 dB 12,5V 2,5 A
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50mA 3 W 40V 8-PowerVDFN PowerFLAT™ (5x5)
PD55003L-E Datasheet PD55003L-E - STMicroelectronics 497-6472-1-ND TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT 4.503 - Immediatamente
€ 7,66000 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS 500 MHz 19 dB 12,5V 2,5 A
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50mA 3 W 40V 8-PowerVDFN PowerFLAT™ (5x5)
PD55003L-E Datasheet PD55003L-E - STMicroelectronics 497-6472-6-ND TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT 4.503 - Immediatamente
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS 500 MHz 19 dB 12,5V 2,5 A
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50mA 3 W 40V 8-PowerVDFN PowerFLAT™ (5x5)
BLP7G22-10Z Datasheet BLP7G22-10Z - Ampleon USA Inc. 568-12532-2-ND RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN 1.000 - Immediatamente
€ 8,98238 500 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 2,14 GHz 16 dB 28V
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110mA 2 W 65V 12-VDFN Piazzola esposta 12-HVSON (6x4)
BLP7G22-10Z Datasheet BLP7G22-10Z - Ampleon USA Inc. 568-12532-1-ND RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN 1.332 - Immediatamente
€ 13,40000 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 2,14 GHz 16 dB 28V
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110mA 2 W 65V 12-VDFN Piazzola esposta 12-HVSON (6x4)
BLP7G22-10Z Datasheet BLP7G22-10Z - Ampleon USA Inc. 568-12532-6-ND RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN 1.332 - Immediatamente
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 2,14 GHz 16 dB 28V
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110mA 2 W 65V 12-VDFN Piazzola esposta 12-HVSON (6x4)
PD55003-E Datasheet PD55003-E - STMicroelectronics 497-5297-5-ND FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 700 - Immediatamente
€ 10,72000 1 Tubo?
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Attivo LDMOS 500 MHz 17 dB 12,5V 2,5 A
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50mA 3 W 40V PowerSO-10 piazzola parte inferiore esposta 10-PowerSO
PD55008-E Datasheet PD55008-E - STMicroelectronics 497-5299-5-ND FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 405 - Immediatamente
€ 13,41000 1 Tubo?
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Attivo LDMOS 500 MHz 17 dB 12,5V 4 A
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150mA 8 W 40V PowerSO-10 piazzola parte inferiore esposta 10-PowerSO
NPTB00004A Datasheet NPTB00004A - M/A-Com Technology Solutions 1465-1410-ND HEMT N-CH 28V 5W DC-6GHZ 8SOIC 757 - Immediatamente
€ 16,53000 1 Tubo?
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Attivo HEMT 0 Hz ~ 6 GHz 14,8 dB 28V 1,4 A
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50mA 4 W 100V 8-SOIC (0,154", 3,90 mm di larghezza) 8-SOIC
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-2-ND RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 480 - Immediatamente
€ 18,28833 60 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 860 MHz 22 dB 50V
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60mA 10 W 104V 12-VDFN Piazzola esposta 12-HVSON (6x5)
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-1-ND RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 501 - Immediatamente
€ 21,39000 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 860 MHz 22 dB 50V
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60mA 10 W 104V 12-VDFN Piazzola esposta 12-HVSON (6x5)
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-6-ND RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 501 - Immediatamente
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 860 MHz 22 dB 50V
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60mA 10 W 104V 12-VDFN Piazzola esposta 12-HVSON (6x5)
CGH60008D-GP4 Datasheet CGH60008D-GP4 - Cree/Wolfspeed CGH60008D-ND RF MOSFET HEMT 28V DIE 439 - Immediatamente
€ 20,16700 10 Vassoio? GaN Attivo HEMT 6 GHz 15 dB 28V
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100mA 8 W 84V Stampo Stampo
CGH40006S Datasheet CGH40006S - Cree/Wolfspeed CGH40006STR-ND RF MOSFET HEMT 28V 6QFN-EP 1.200 - Immediatamente
€ 25,19570 200 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
GaN Attivo HEMT 0 Hz ~ 6 GHz 12 dB 28V
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100mA 8 W 84V 6-VDFN Piazzola esposta 6-QFN-EP (3x3)
CGH40006S Datasheet CGH40006S - Cree/Wolfspeed CGH40006SCT-ND RF MOSFET HEMT 28V 6QFN-EP 1.283 - Immediatamente
€ 28,22000 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
GaN Attivo HEMT 0 Hz ~ 6 GHz 12 dB 28V
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100mA 8 W 84V 6-VDFN Piazzola esposta 6-QFN-EP (3x3)
CGH40006S Datasheet CGH40006S - Cree/Wolfspeed CGH40006SDKR-ND RF MOSFET HEMT 28V 6QFN-EP 1.283 - Immediatamente
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
GaN Attivo HEMT 0 Hz ~ 6 GHz 12 dB 28V
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100mA 8 W 84V 6-VDFN Piazzola esposta 6-QFN-EP (3x3)
PD57018-E Datasheet PD57018-E - STMicroelectronics 497-5305-5-ND FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 272 - Immediatamente
€ 27,66000 1 Tubo?
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Attivo LDMOS 945 MHz 16,5 dB 28V 2,5 A
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100mA 18 W 65V PowerSO-10 piazzola parte inferiore esposta 10-PowerSO
BLF6G27-10G,118 Datasheet BLF6G27-10G,118 - Ampleon USA Inc. BLF6G27-10G,118-ND RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C 0
Tempi di consegna standard 13 settimane
€ 26,96020 100
Non in stock
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Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS 2,5 GHz ~ 2,7 GHz 19 dB 28V 3,5 A
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130mA 2 W 65V SOT-975C CDFM2
BLF6G27-10G,112 Datasheet BLF6G27-10G,112 - Ampleon USA Inc. 568-8633-ND RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C 256 - Immediatamente
€ 33,28000 1 Sfuso?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS 2,5 GHz ~ 2,7 GHz 19 dB 28V 3,5 A
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130mA 2 W 65V SOT-975C CDFM2
BLF640U Datasheet BLF640U - Ampleon USA Inc. 568-12824-ND RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 237 - Immediatamente
€ 33,28000 1 Vassoio?
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Attivo LDMOS 2,11 GHz ~ 2,17 GHz 18,5 dB 28V
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100mA 700 mW 65V SOT-538A 2-CSMD
IXZ2210N50L2 Datasheet IXZ2210N50L2 - IXYS-RF IXZ2210N50L2-ND RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275 1.212 - Immediatamente
€ 37,86000 1 Tubo? Z-MOS™ Attivo 2 canali N (doppio) 70 MHz 17 dB 100V 10 A
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270 W 500V 8-SMD, tampone esposto conduttore piatto
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CGHV27030S Datasheet CGHV27030S - Cree/Wolfspeed CGHV27030STR-ND RF MOSFET HEMT 50V 12DFN 500 - Immediatamente
€ 43,62944 250 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
GaN Attivo HEMT 6 GHz 20,4 dB 50V
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130mA 30 W 125V 12-VFDFN Piazzola esposta 12-DFN (4x3)
CGHV27030S Datasheet CGHV27030S - Cree/Wolfspeed CGHV27030SCT-ND RF MOSFET HEMT 50V 12DFN 664 - Immediatamente
€ 48,86000 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
GaN Attivo HEMT 6 GHz 20,4 dB 50V
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130mA 30 W 125V 12-VFDFN Piazzola esposta 12-DFN (4x3)
CGHV27030S Datasheet CGHV27030S - Cree/Wolfspeed CGHV27030SDKR-ND RF MOSFET HEMT 50V 12DFN 664 - Immediatamente
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
GaN Attivo HEMT 6 GHz 20,4 dB 50V
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130mA 30 W 125V 12-VFDFN Piazzola esposta 12-DFN (4x3)
CGH40006P Datasheet CGH40006P - Cree/Wolfspeed CGH40006P-ND RF MOSFET HEMT 28V 440109 784 - Immediatamente
€ 48,36000 1 Tubo? GaN Attivo HEMT 0 Hz ~ 6 GHz 13 dB 28V 3,5 A
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100mA 8 W 84V 440109 440109
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