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Indice prodotti > Dispositivi a semiconduttore discreti > Transistor - FET, MOSFET - RF

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Confronta componenti Datasheets Immagine Codice Digi-Key Codice produttore Fabbricante Descrizione Quantità disponibile
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EUR
Quantità minima di ordinazione Imballaggio Serie Stato componente Tipo di transistore Frequenza Guadagno Tensione - Prova Corrente nominale (ampere) Cifra di rumore Corrente - Test Alimentazione - uscita Tensione, nominale Contenitore / involucro Contenitore del fornitore
   
PD85004 Datasheet PD85004 - STMicroelectronics 497-8291-2-ND PD85004 FET RF 40V 870MHZ 5.000 - Immediatamente Disponibile: 5.000 € 1,47624 2.500 Minimo : 2.500 Nastrati in bobina (nib)
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS 870MHz 17dB 13,6V 2A
-
50mA 4W 40V TO-243AA SOT-89
PD85004 Datasheet PD85004 - STMicroelectronics 497-8291-1-ND PD85004 FET RF 40V 870MHZ 7.498 - Immediatamente Disponibile: 7.498 € 3,03000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS 870MHz 17dB 13,6V 2A
-
50mA 4W 40V TO-243AA SOT-89
PD85004 Datasheet PD85004 - STMicroelectronics 497-8291-6-ND PD85004 FET RF 40V 870MHZ 7.498 - Immediatamente Disponibile: 7.498 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS 870MHz 17dB 13,6V 2A
-
50mA 4W 40V TO-243AA SOT-89
BLP9G0722-20GZ Datasheet BLP9G0722-20GZ - Ampleon USA Inc. 1603-1103-2-ND BLP9G0722-20GZ RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1 500 - Immediatamente Disponibile: 500 € 12,43884 500 Minimo : 500 Nastrati in bobina (nib)
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS 400MHz ~ 2,7GHz 19dB 28V 1,4µA
-
180mA 43dBm 65V SOT-1483-1 SOT1483-1
BLP9G0722-20GZ Datasheet BLP9G0722-20GZ - Ampleon USA Inc. 1603-1103-1-ND BLP9G0722-20GZ RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1 810 - Immediatamente Disponibile: 810 € 18,55000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS 400MHz ~ 2,7GHz 19dB 28V 1,4µA
-
180mA 43dBm 65V SOT-1483-1 SOT1483-1
BLP9G0722-20GZ Datasheet BLP9G0722-20GZ - Ampleon USA Inc. 1603-1103-6-ND BLP9G0722-20GZ RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1 810 - Immediatamente Disponibile: 810 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS 400MHz ~ 2,7GHz 19dB 28V 1,4µA
-
180mA 43dBm 65V SOT-1483-1 SOT1483-1
NPTB00004A Datasheet NPTB00004A - M/A-Com Technology Solutions 1465-1410-ND NPTB00004A HEMT N-CH 28V 5W DC-6GHZ 8SOIC 177 - Immediatamente Disponibile: 177 € 13,17000 1 Minimo : 1 Tubo
-
Attivo HEMT 0Hz ~ 6GHz 14,8dB 28V 1,4A
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50mA 4W 100V 8-SOIC (0,154", 3,90mm di larghezza) 8-SOIC
BLP27M810Z Datasheet BLP27M810Z - Ampleon USA Inc. 1603-1032-2-ND BLP27M810Z RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN 500 - Immediatamente Disponibile: 500 € 13,83786 500 Minimo : 500 Nastrati in bobina (nib)
-
Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 2,14GHz 17dB 28V
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110mA 2W 65V 16-VDFN Piazzola esposta 16-HVSON (6x4)
BLP27M810Z Datasheet BLP27M810Z - Ampleon USA Inc. 1603-1032-1-ND BLP27M810Z RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN 740 - Immediatamente Disponibile: 740 € 18,97000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)
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Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 2,14GHz 17dB 28V
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110mA 2W 65V 16-VDFN Piazzola esposta 16-HVSON (6x4)
BLP27M810Z Datasheet BLP27M810Z - Ampleon USA Inc. 1603-1032-6-ND BLP27M810Z RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN 740 - Immediatamente Disponibile: 740 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®
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Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 2,14GHz 17dB 28V
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110mA 2W 65V 16-VDFN Piazzola esposta 16-HVSON (6x4)
CGH60008D-GP4 Datasheet CGH60008D-GP4 - Cree/Wolfspeed CGH60008D-ND CGH60008D-GP4 RF MOSFET HEMT 28V DIE 219 - Immediatamente Disponibile: 219 € 18,67300 10 Minimo : 10 Vassoio GaN Attivo HEMT 6GHz 15dB 28V
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100mA 8W 84V Stampo Stampo
CGH40006S Datasheet CGH40006S - Cree/Wolfspeed CGH40006STR-ND CGH40006S RF MOSFET HEMT 28V 6QFN 1.200 - Immediatamente Disponibile: 1.200 € 24,50910 200 Minimo : 200 Nastrati in bobina (nib)
Formato alternativo
GaN Attivo HEMT 0Hz ~ 6GHz 12dB 28V
-
-
100mA 8W 84V 6-VDFN Piazzola esposta 6-QFN-EP (3x3)
CGH40006S Datasheet CGH40006S - Cree/Wolfspeed CGH40006SCT-ND CGH40006S RF MOSFET HEMT 28V 6QFN 1.290 - Immediatamente Disponibile: 1.290 € 25,06000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)
Formato alternativo
GaN Attivo HEMT 0Hz ~ 6GHz 12dB 28V
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100mA 8W 84V 6-VDFN Piazzola esposta 6-QFN-EP (3x3)
CGH40006S Datasheet CGH40006S - Cree/Wolfspeed CGH40006SDKR-ND CGH40006S RF MOSFET HEMT 28V 6QFN 1.290 - Immediatamente Disponibile: 1.290 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®
Formato alternativo
GaN Attivo HEMT 0Hz ~ 6GHz 12dB 28V
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100mA 8W 84V 6-VDFN Piazzola esposta 6-QFN-EP (3x3)
BLM7G1822S-40PBGY Datasheet BLM7G1822S-40PBGY - Ampleon USA Inc. 568-12800-2-ND BLM7G1822S-40PBGY RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 200 - Immediatamente Disponibile: 200 € 29,18890 100 Minimo : 100 Nastrati in bobina (nib)
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS (doppio) 1,81GHz ~ 2,17GHz 31,5dB 28V
-
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40mA 4W 65V SOT-1212-3 16-HSOP
BLM7G1822S-40PBGY Datasheet BLM7G1822S-40PBGY - Ampleon USA Inc. 568-12800-1-ND BLM7G1822S-40PBGY RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 293 - Immediatamente Disponibile: 293 € 37,80000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS (doppio) 1,81GHz ~ 2,17GHz 31,5dB 28V
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40mA 4W 65V SOT-1212-3 16-HSOP
BLM7G1822S-40PBGY Datasheet BLM7G1822S-40PBGY - Ampleon USA Inc. 568-12800-6-ND BLM7G1822S-40PBGY RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 293 - Immediatamente Disponibile: 293 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®
Formato alternativo
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Attivo LDMOS (doppio) 1,81GHz ~ 2,17GHz 31,5dB 28V
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40mA 4W 65V SOT-1212-3 16-HSOP
PD57018-E Datasheet PD57018-E - STMicroelectronics 497-5305-5-ND PD57018-E FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 177 - Immediatamente Disponibile: 177 € 29,48000 1 Minimo : 1 Tubo
-
Attivo LDMOS 945MHz 16,5dB 28V 2,5A
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100mA 18W 65V PowerSO-10 piazzola parte inferiore esposta 10-PowerSO
IXZ2210N50L2 Datasheet IXZ2210N50L2 - IXYS-RF IXZ2210N50L2-ND IXZ2210N50L2 RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275 520 - Immediatamente Disponibile: 520 € 33,94000 1 Minimo : 1 Tubo Z-MOS™ Attivo 2 canali N (doppio) 70MHz 17dB 100V 10A
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-
270W 500V 8-SMD, tampone esposto conduttore piatto
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BLF6G21-10G,135 Datasheet BLF6G21-10G,135 - Ampleon USA Inc. BLF6G21-10G,135-ND BLF6G21-10G,135 RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 0 Disponibile: 0
Tempi di consegna standard 13 settimane
€ 25,75376 500
Non in stock
Minimo : 500
Nastrati in bobina (nib)
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS 2,11GHz ~ 2,17GHz 18,5dB 28V
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100mA 700mW 65V SOT-538A 2-CSMD
BLF6G21-10G,112 Datasheet BLF6G21-10G,112 - Ampleon USA Inc. 568-5104-ND BLF6G21-10G,112 RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 287 - Immediatamente Disponibile: 287 € 34,66000 1 Minimo : 1 Vassoio
Formato alternativo
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Attivo LDMOS 2,11GHz ~ 2,17GHz 18,5dB 28V
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100mA 700mW 65V SOT-538A 2-CSMD
BLF640U Datasheet BLF640U - Ampleon USA Inc. 568-12824-ND BLF640U RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 276 - Immediatamente Disponibile: 276 € 35,46000
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Vassoio
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Non per nuovi progetti LDMOS 2,11GHz ~ 2,17GHz 18,5dB 28V
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100mA 700mW 65V SOT-538A 2-CSMD
CGH40006P Datasheet CGH40006P - Cree/Wolfspeed CGH40006P-ND CGH40006P RF MOSFET HEMT 28V 440109 293 - Immediatamente Disponibile: 293 € 42,08000 1 Minimo : 1 Tubo GaN Attivo HEMT 0Hz ~ 6GHz 13dB 28V 3,5A
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100mA 8W 84V 440109 440109
CGHV27030S Datasheet CGHV27030S - Cree/Wolfspeed CGHV27030STR-ND CGHV27030S RF MOSFET HEMT 50V 12DFN 250 - Immediatamente Disponibile: 250 € 43,01080 250 Minimo : 250 Nastrati in bobina (nib)
Formato alternativo
GaN Attivo HEMT 6GHz 20,4dB 50V
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130mA 30W 125V 12-VFDFN Piazzola esposta 12-DFN (4x3)
CGHV27030S Datasheet CGHV27030S - Cree/Wolfspeed CGHV27030SCT-ND CGHV27030S RF MOSFET HEMT 50V 12DFN 359 - Immediatamente Disponibile: 359 € 41,89000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)
Formato alternativo
GaN Attivo HEMT 6GHz 20,4dB 50V
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130mA 30W 125V 12-VFDFN Piazzola esposta 12-DFN (4x3)
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15:10:04 10/13/2019