Indice prodotti > Dispositivi a semiconduttore discreti > Transistor - FET, MOSFET - RF

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Imballaggio Serie Stato componente Tipo di transistore Frequenza Guadagno Tensione - Prova Corrente nominale (ampere) Cifra di rumore Corrente - Test Alimentazione - uscita Tensione, nominale Contenitore / involucro Contenitore del fornitore
   
MMBFJ310LT1G Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor MMBFJ310LT1GOSTR-ND RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 51.000 - Immediatamente
3.075.000 - Scorte di fabbrica ?
Disponibile: 51.000
€ 0,12669 3.000 Minimo : 3.000 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
-
Attivo JFET a canale N
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12 dB 10V 60mA
-
10mA
-
25V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ310LT1G Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor MMBFJ310LT1GOSCT-ND RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 52.634 - Immediatamente
3.075.000 - Scorte di fabbrica ?
Disponibile: 52.634
€ 0,46000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
-
Attivo JFET a canale N
-
12 dB 10V 60mA
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10mA
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25V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ310LT1G Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor MMBFJ310LT1GOSDKR-ND RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 52.634 - Immediatamente
3.075.000 - Scorte di fabbrica ?
Disponibile: 52.634
Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
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Attivo JFET a canale N
-
12 dB 10V 60mA
-
10mA
-
25V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
CE3512K2-C1 Datasheet CE3512K2-C1 - CEL CE3512K2-C1TR-ND RF FET 4V 12GHZ 4MICROX 10.000 - Immediatamente Disponibile: 10.000 € 0,36655 10.000 Minimo : 10.000 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
-
Attivo pHEMT FET 12GHz 13,7 dB 2V 15mA 0,5dB 10mA 125mW 4V 4-Micro-X 4-Micro-X
CE3512K2-C1 Datasheet CE3512K2-C1 - CEL CE3512K2-C1CT-ND RF FET 4V 12GHZ 4MICROX 10.000 - Immediatamente Disponibile: 10.000 € 1,03000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
-
Attivo pHEMT FET 12GHz 13,7 dB 2V 15mA 0,5dB 10mA 125mW 4V 4-Micro-X 4-Micro-X
CE3512K2-C1 Datasheet CE3512K2-C1 - CEL CE3512K2-C1DKR-ND RF FET 4V 12GHZ 4MICROX 10.000 - Immediatamente Disponibile: 10.000 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
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Attivo pHEMT FET 12GHz 13,7 dB 2V 15mA 0,5dB 10mA 125mW 4V 4-Micro-X 4-Micro-X
BLP9G0722-20GZ Datasheet BLP9G0722-20GZ - Ampleon USA Inc. 1603-1103-2-ND RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1 500 - Immediatamente Disponibile: 500 € 12,23512 500 Minimo : 500 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS 400MHz ~ 2,7GHz 19 dB 28V 1,4µA
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180mA 43dBm 65V SOT-1483-1 SOT1483-1
BLP9G0722-20GZ Datasheet BLP9G0722-20GZ - Ampleon USA Inc. 1603-1103-1-ND RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1 735 - Immediatamente Disponibile: 735 € 18,25000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS 400MHz ~ 2,7GHz 19 dB 28V 1,4µA
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180mA 43dBm 65V SOT-1483-1 SOT1483-1
BLP9G0722-20GZ Datasheet BLP9G0722-20GZ - Ampleon USA Inc. 1603-1103-6-ND RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1 735 - Immediatamente Disponibile: 735 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS 400MHz ~ 2,7GHz 19 dB 28V 1,4µA
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180mA 43dBm 65V SOT-1483-1 SOT1483-1
CGH60008D-GP4 Datasheet CGH60008D-GP4 - Cree/Wolfspeed CGH60008D-ND RF MOSFET HEMT 28V DIE 229 - Immediatamente Disponibile: 229 € 17,44200 10 Minimo : 10 Vassoio? GaN Attivo HEMT 6GHz 15 dB 28V
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100mA 8W 84V Stampo Stampo
PD85025TR-E Datasheet PD85025TR-E - STMicroelectronics 497-12514-2-ND TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF 600 - Immediatamente Disponibile: 600 € 18,32683 600 Minimo : 600 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS 870MHz 17,3 dB 13,6V 7A
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300mA 10W 40V PowerSO-10RF piazzola parte inferiore esposta (2 conduttori formati) PowerSO-10RF (conduttore formato)
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-2-ND RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 300 - Immediatamente Disponibile: 300 € 19,16883 60 Minimo : 60 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 860MHz 22 dB 50V
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60mA 10W 104V 12-VDFN Piazzola esposta 12-HVSON (6x5)
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-1-ND RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 377 - Immediatamente Disponibile: 377 € 22,42000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 860MHz 22 dB 50V
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60mA 10W 104V 12-VDFN Piazzola esposta 12-HVSON (6x5)
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-6-ND RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 377 - Immediatamente Disponibile: 377 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 860MHz 22 dB 50V
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60mA 10W 104V 12-VDFN Piazzola esposta 12-HVSON (6x5)
CGH40006S Datasheet CGH40006S - Cree/Wolfspeed CGH40006STR-ND RF MOSFET HEMT 28V 6QFN-EP 800 - Immediatamente Disponibile: 800 € 24,10775 200 Minimo : 200 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
GaN Attivo HEMT 0 Hz ~ 6GHz 12 dB 28V
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100mA 8W 84V 6-VDFN Piazzola esposta 6-QFN-EP (3x3)
CGH40006S Datasheet CGH40006S - Cree/Wolfspeed CGH40006SCT-ND RF MOSFET HEMT 28V 6QFN-EP 962 - Immediatamente Disponibile: 962 € 24,55000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
GaN Attivo HEMT 0 Hz ~ 6GHz 12 dB 28V
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100mA 8W 84V 6-VDFN Piazzola esposta 6-QFN-EP (3x3)
CGH40006S Datasheet CGH40006S - Cree/Wolfspeed CGH40006SDKR-ND RF MOSFET HEMT 28V 6QFN-EP 962 - Immediatamente Disponibile: 962 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
GaN Attivo HEMT 0 Hz ~ 6GHz 12 dB 28V
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100mA 8W 84V 6-VDFN Piazzola esposta 6-QFN-EP (3x3)
PD57018-E Datasheet PD57018-E - STMicroelectronics 497-5305-5-ND FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 229 - Immediatamente Disponibile: 229 € 28,99000 1 Minimo : 1 Tubo?
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Attivo LDMOS 945MHz 16,5 dB 28V 2,5A
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100mA 18W 65V PowerSO-10 piazzola parte inferiore esposta 10-PowerSO
CGHV60040D-GP4 Datasheet CGHV60040D-GP4 - Cree/Wolfspeed CGHV60040D-GP4-ND RF MOSFET HEMT 50V DIE 550 - Immediatamente Disponibile: 550 € 31,25000 10 Minimo : 10 Vassoio? GaN Attivo HEMT 6GHz 17dB 50V
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65mA 40W 150V Stampo Stampo
BLF6G21-10G,135 Datasheet BLF6G21-10G,135 - Ampleon USA Inc. BLF6G21-10G,135-ND RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 0 Disponibile: 0
Tempi di consegna standard 13 settimane
€ 25,33198 500
Non in stock
?
Minimo : 500
Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS 2,11GHz ~ 2,17GHz 18,5dB 28V
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100mA 700mW 65V SOT-538A 2-CSMD
BLF6G21-10G,112 Datasheet BLF6G21-10G,112 - Ampleon USA Inc. 568-5104-ND RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 375 - Immediatamente Disponibile: 375 € 34,10000 1 Minimo : 1 Vassoio?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS 2,11GHz ~ 2,17GHz 18,5dB 28V
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100mA 700mW 65V SOT-538A 2-CSMD
IXZ2210N50L2 Datasheet IXZ2210N50L2 - IXYS-RF IXZ2210N50L2-ND RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275 558 - Immediatamente Disponibile: 558 € 34,50000 1 Minimo : 1 Tubo? Z-MOS™ Attivo 2 canali N (doppio) 70MHz 17dB 100V 10A
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270W 500V 8-SMD, tampone esposto conduttore piatto
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BLF640U Datasheet BLF640U - Ampleon USA Inc. 568-12824-ND RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 311 - Immediatamente Disponibile: 311 € 34,88000
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Vassoio?
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Non per nuovi progetti LDMOS 2,11GHz ~ 2,17GHz 18,5dB 28V
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100mA 700mW 65V SOT-538A 2-CSMD
CGHV1F006S Datasheet CGHV1F006S - Cree/Wolfspeed CGHV1F006STR-ND RF MOSFET HEMT 40V 12DFN 250 - Immediatamente Disponibile: 250 € 35,68864 250 Minimo : 250 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
GaN Attivo HEMT 6GHz 16dB 40V 950mA
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60mA 8W 100V 12-VFDFN Piazzola esposta 12-DFN (4x3)
CGHV1F006S Datasheet CGHV1F006S - Cree/Wolfspeed CGHV1F006SCT-ND RF MOSFET HEMT 40V 12DFN 359 - Immediatamente Disponibile: 359 € 39,98000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
GaN Attivo HEMT 6GHz 16dB 40V 950mA
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60mA 8W 100V 12-VFDFN Piazzola esposta 12-DFN (4x3)
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05:51:19 6/19/2019