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Transistor - FET, MOSFET - RF

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Quantità minima di ordinazione Imballaggio Serie Stato componente Tipo di transistore Frequenza Guadagno Tensione - Prova Corrente nominale (ampere) Cifra di rumore Corrente - Test Alimentazione - uscita Tensione, nominale Contenitore / involucro Contenitore del fornitore
   
BLP8G27-10Z Datasheet BLP8G27-10Z - Ampleon USA Inc. 568-12816-2-ND BLP8G27-10Z RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN 1.500 - Immediatamente Disponibile: 1.500 € 9,69568 500 Minimo : 500 Nastrati in bobina (nib)
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 2,14GHz 17dB 28V
-
-
110mA 2W 65V 16-VDFN Piazzola esposta 16-HVSON (6x4)
BLP8G27-10Z Datasheet BLP8G27-10Z - Ampleon USA Inc. 568-12816-1-ND BLP8G27-10Z RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN 1.627 - Immediatamente Disponibile: 1.627 € 14,05000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 2,14GHz 17dB 28V
-
-
110mA 2W 65V 16-VDFN Piazzola esposta 16-HVSON (6x4)
BLP8G27-10Z Datasheet BLP8G27-10Z - Ampleon USA Inc. 568-12816-6-ND BLP8G27-10Z RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN 1.627 - Immediatamente Disponibile: 1.627 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 2,14GHz 17dB 28V
-
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110mA 2W 65V 16-VDFN Piazzola esposta 16-HVSON (6x4)
CGHV60040D-GP4 Datasheet CGHV60040D-GP4 - Cree/Wolfspeed CGHV60040D-GP4-ND CGHV60040D-GP4 RF MOSFET HEMT 50V DIE 180 - Immediatamente Disponibile: 180 € 32,18200 10 Minimo : 10 Vassoio GaN Attivo HEMT 6GHz 17dB 50V
-
-
65mA 40W 150V Stampo Stampo
BLM7G1822S-80PBGY Datasheet BLM7G1822S-80PBGY - Ampleon USA Inc. 568-12804-2-ND BLM7G1822S-80PBGY RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122 300 - Immediatamente Disponibile: 300 € 39,28780 100 Minimo : 100 Nastrati in bobina (nib)
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS (doppio) 2,17GHz 28dB 28V
-
-
240mA 8W 65V SOT-1212-2 16-HSOP
BLM7G1822S-80PBGY Datasheet BLM7G1822S-80PBGY - Ampleon USA Inc. 568-12804-1-ND BLM7G1822S-80PBGY RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122 314 - Immediatamente Disponibile: 314 € 48,50000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS (doppio) 2,17GHz 28dB 28V
-
-
240mA 8W 65V SOT-1212-2 16-HSOP
BLM7G1822S-80PBGY Datasheet BLM7G1822S-80PBGY - Ampleon USA Inc. 568-12804-6-ND BLM7G1822S-80PBGY RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122 314 - Immediatamente Disponibile: 314 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS (doppio) 2,17GHz 28dB 28V
-
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240mA 8W 65V SOT-1212-2 16-HSOP
MRF6V2150NBR1 Datasheet MRF6V2150NBR1 - NXP USA Inc. MRF6V2150NBR1TR-ND MRF6V2150NBR1 FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 500 - Immediatamente Disponibile: 500 € 43,22282
-
Nastrati in bobina (nib)
Formato alternativo
-
Data di acquisto finale LDMOS 220MHz 25dB 50V
-
-
450mA 150W 110V TO-272BB TO-272 WB-4
MRF6V2150NBR1 Datasheet MRF6V2150NBR1 - NXP USA Inc. MRF6V2150NBR1CT-ND MRF6V2150NBR1 FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 955 - Immediatamente Disponibile: 955 € 53,61000
-
Nastrato (CT)
Formato alternativo
-
Data di acquisto finale LDMOS 220MHz 25dB 50V
-
-
450mA 150W 110V TO-272BB TO-272 WB-4
MRF6V2150NBR1 Datasheet MRF6V2150NBR1 - NXP USA Inc. MRF6V2150NBR1DKR-ND MRF6V2150NBR1 FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 955 - Immediatamente Disponibile: 955 Digi-Reel®
-
Digi-Reel®
Formato alternativo
-
Data di acquisto finale LDMOS 220MHz 25dB 50V
-
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450mA 150W 110V TO-272BB TO-272 WB-4
BLF871,112 Datasheet BLF871,112 - Ampleon USA Inc. 568-4737-ND
BLF871,112 RF FET LDMOS 89V 19DB SOT467C 202 - Immediatamente Disponibile: 202 € 121,26000
-
Vassoio
-
Obsoleto LDMOS 860MHz 19dB 40V
-
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500mA 100W 89V SOT467C SOT467C
BLF888B,112 Datasheet BLF888B,112 - Ampleon USA Inc. 568-12830-ND BLF888B,112 RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A 154 - Immediatamente Disponibile: 154 € 208,85000
-
Vassoio
-
Non per nuovi progetti LDMOS (doppio), sorgente comune 860MHz 21dB 50V
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-
1,3A 250W 104V SOT539A SOT539A
MMBFJ310LT1G Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor MMBFJ310LT1GOSTR-ND MMBFJ310LT1G RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 3.000 - Immediatamente Disponibile: 3.000 € 0,11861 3.000 Minimo : 3.000 Nastrati in bobina (nib)
Formato alternativo
-
Attivo JFET a canale N
-
12dB 10V 60mA
-
10mA
-
25V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ310LT1G Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor MMBFJ310LT1GOSCT-ND MMBFJ310LT1G RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 3.379 - Immediatamente Disponibile: 3.379 € 0,41000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)
Formato alternativo
-
Attivo JFET a canale N
-
12dB 10V 60mA
-
10mA
-
25V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ310LT1G Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor MMBFJ310LT1GOSDKR-ND MMBFJ310LT1G RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 3.379 - Immediatamente Disponibile: 3.379 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®
Formato alternativo
-
Attivo JFET a canale N
-
12dB 10V 60mA
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10mA
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25V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
PD85004 Datasheet PD85004 - STMicroelectronics 497-8291-2-ND PD85004 FET RF 40V 870MHZ 12.500 - Immediatamente Disponibile: 12.500 € 1,49539 2.500 Minimo : 2.500 Nastrati in bobina (nib)
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS 870MHz 17dB 13,6V 2A
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50mA 4W 40V TO-243AA SOT-89
PD85004 Datasheet PD85004 - STMicroelectronics 497-8291-1-ND PD85004 FET RF 40V 870MHZ 12.716 - Immediatamente Disponibile: 12.716 € 2,98000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS 870MHz 17dB 13,6V 2A
-
50mA 4W 40V TO-243AA SOT-89
PD85004 Datasheet PD85004 - STMicroelectronics 497-8291-6-ND PD85004 FET RF 40V 870MHZ 12.716 - Immediatamente Disponibile: 12.716 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS 870MHz 17dB 13,6V 2A
-
50mA 4W 40V TO-243AA SOT-89
NPTB00004A Datasheet NPTB00004A - M/A-Com Technology Solutions 1465-1410-ND NPTB00004A HEMT N-CH 28V 5W DC-6GHZ 8SOIC 248 - Immediatamente Disponibile: 248 € 13,23000 1 Minimo : 1 Tubo
-
Attivo HEMT 0Hz ~ 6GHz 14,8dB 28V 1,4A
-
50mA 4W 100V 8-SOIC (0,154", 3,90mm di larghezza) 8-SOIC
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-2-ND BLP10H610AZ RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 600 - Immediatamente Disponibile: 600 € 19,74067 60 Minimo : 60 Nastrati in bobina (nib)
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 860MHz 22dB 50V
-
-
60mA 10W 104V 12-VDFN Piazzola esposta 12-HVSON (6x5)
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-1-ND BLP10H610AZ RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 734 - Immediatamente Disponibile: 734 € 22,41000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 860MHz 22dB 50V
-
-
60mA 10W 104V 12-VDFN Piazzola esposta 12-HVSON (6x5)
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-6-ND BLP10H610AZ RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 734 - Immediatamente Disponibile: 734 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®
Formato alternativo
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Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 860MHz 22dB 50V
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60mA 10W 104V 12-VDFN Piazzola esposta 12-HVSON (6x5)
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BLM9D2327-26BZ - Ampleon USA Inc. 1603-1196-2-ND BLM9D2327-26BZ BLM9D2327-26B/SOT1462/REELDP 1.000 - Immediatamente Disponibile: 1.000 € 23,78346 500 Minimo : 500 Nastrati in bobina (nib)
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS 2,3GHz ~ 2,7GHz 27dB 28V 1,4µA
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76mA 44,9dBm 28V 20-QFN Piazzola esposta 20-PQFN (8x8)
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BLM9D2327-26BZ - Ampleon USA Inc. 1603-1196-1-ND BLM9D2327-26BZ BLM9D2327-26B/SOT1462/REELDP 1.011 - Immediatamente Disponibile: 1.011 € 33,26000 1 Minimo : 1 Nastrato (CT)
Formato alternativo
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Attivo LDMOS 2,3GHz ~ 2,7GHz 27dB 28V 1,4µA
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76mA 44,9dBm 28V 20-QFN Piazzola esposta 20-PQFN (8x8)
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BLM9D2327-26BZ - Ampleon USA Inc. 1603-1196-6-ND BLM9D2327-26BZ BLM9D2327-26B/SOT1462/REELDP 1.011 - Immediatamente Disponibile: 1.011 Digi-Reel® 1 Minimo : 1 Digi-Reel®
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS 2,3GHz ~ 2,7GHz 27dB 28V 1,4µA
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76mA 44,9dBm 28V 20-QFN Piazzola esposta 20-PQFN (8x8)
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