Indice prodotti > Dispositivi a semiconduttore discreti > Transistor - FET, MOSFET - RF

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FabbricanteImballaggioSerieStato componenteTipo di transistoreFrequenzaGuadagnoTensione - ProvaCorrente nominaleCifra di rumoreCorrente - TestAlimentazione - uscitaTensione, nominaleContenitore / involucroContenitore del fornitore
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Imballaggio Serie Stato componente Tipo di transistore Frequenza Guadagno Tensione - Prova Corrente nominale Cifra di rumore Corrente - Test Alimentazione - uscita Tensione, nominale Contenitore / involucro Contenitore del fornitore
   
PD85004 Datasheet PD85004 - STMicroelectronics 497-8291-2-ND FET RF 40V 870MHZ 5.000 - Immediatamente
€ 1,33264 2.500 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS 870 MHz 17 dB 13,6V 2 A
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50mA 4 W 40V TO-243AA SOT-89
PD85004 Datasheet PD85004 - STMicroelectronics 497-8291-1-ND FET RF 40V 870MHZ 5.391 - Immediatamente
€ 2,73000 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS 870 MHz 17 dB 13,6V 2 A
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50mA 4 W 40V TO-243AA SOT-89
PD85004 Datasheet PD85004 - STMicroelectronics 497-8291-6-ND FET RF 40V 870MHZ 5.391 - Immediatamente
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS 870 MHz 17 dB 13,6V 2 A
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50mA 4 W 40V TO-243AA SOT-89
PD55003L-E Datasheet PD55003L-E - STMicroelectronics 497-6472-2-ND TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT 3.000 - Immediatamente
€ 3,90775 3.000 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS 500 MHz 19 dB 12,5V 2,5 A
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50mA 3 W 40V 8-PowerVDFN PowerFLAT™ (5x5)
PD55003L-E Datasheet PD55003L-E - STMicroelectronics 497-6472-1-ND TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT 4.908 - Immediatamente
€ 7,37000 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS 500 MHz 19 dB 12,5V 2,5 A
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50mA 3 W 40V 8-PowerVDFN PowerFLAT™ (5x5)
PD55003L-E Datasheet PD55003L-E - STMicroelectronics 497-6472-6-ND TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT 4.908 - Immediatamente
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS 500 MHz 19 dB 12,5V 2,5 A
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50mA 3 W 40V 8-PowerVDFN PowerFLAT™ (5x5)
BLP7G22-10Z Datasheet BLP7G22-10Z - Ampleon USA Inc. 568-12532-2-ND RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN 1.000 - Immediatamente
€ 8,64048 500 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 2,14 GHz 16 dB 28V
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110mA 2 W 65V 12-VDFN Piazzola esposta 12-HVSON (6x4)
BLP7G22-10Z Datasheet BLP7G22-10Z - Ampleon USA Inc. 568-12532-1-ND RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN 1.332 - Immediatamente
€ 12,89000 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 2,14 GHz 16 dB 28V
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110mA 2 W 65V 12-VDFN Piazzola esposta 12-HVSON (6x4)
BLP7G22-10Z Datasheet BLP7G22-10Z - Ampleon USA Inc. 568-12532-6-ND RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN 1.332 - Immediatamente
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 2,14 GHz 16 dB 28V
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110mA 2 W 65V 12-VDFN Piazzola esposta 12-HVSON (6x4)
PD55003-E Datasheet PD55003-E - STMicroelectronics 497-5297-5-ND FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 740 - Immediatamente
€ 10,32000 1 Tubo?
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Attivo LDMOS 500 MHz 17 dB 12,5V 2,5 A
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50mA 3 W 40V PowerSO-10 piazzola parte inferiore esposta 10-PowerSO
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-2-ND RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 1.080 - Immediatamente
€ 17,59217 60 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 860 MHz 22 dB 50V
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60mA 10 W 104V 12-VDFN Piazzola esposta 12-HVSON (6x5)
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-1-ND RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 1.156 - Immediatamente
€ 20,57000 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 860 MHz 22 dB 50V
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60mA 10 W 104V 12-VDFN Piazzola esposta 12-HVSON (6x5)
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-6-ND RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 1.156 - Immediatamente
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 860 MHz 22 dB 50V
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60mA 10 W 104V 12-VDFN Piazzola esposta 12-HVSON (6x5)
CGH60008D-GP4 Datasheet CGH60008D-GP4 - Cree/Wolfspeed CGH60008D-ND RF MOSFET HEMT 28V DIE 399 - Immediatamente
€ 19,39900 10 Vassoio? GaN Attivo HEMT 6 GHz 15 dB 28V
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100mA 8 W 84V Stampo Stampo
BLM7G1822S-40PBGY Datasheet BLM7G1822S-40PBGY - Ampleon USA Inc. 568-12800-2-ND RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 200 - Immediatamente
€ 26,34960 100 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS (doppio) 1,81 GHz ~ 2,17 GHz 31,5 dB 28V
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40mA 4 W 65V SOT-1212-1 16-HSOP
BLM7G1822S-40PBGY Datasheet BLM7G1822S-40PBGY - Ampleon USA Inc. 568-12800-1-ND RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 280 - Immediatamente
€ 34,13000 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS (doppio) 1,81 GHz ~ 2,17 GHz 31,5 dB 28V
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40mA 4 W 65V SOT-1212-1 16-HSOP
BLM7G1822S-40PBGY Datasheet BLM7G1822S-40PBGY - Ampleon USA Inc. 568-12800-6-ND RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 280 - Immediatamente
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS (doppio) 1,81 GHz ~ 2,17 GHz 31,5 dB 28V
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40mA 4 W 65V SOT-1212-1 16-HSOP
PD57018-E Datasheet PD57018-E - STMicroelectronics 497-5305-5-ND FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 390 - Immediatamente
€ 26,61000 1 Tubo?
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Attivo LDMOS 945 MHz 16,5 dB 28V 2,5 A
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100mA 18 W 65V PowerSO-10 piazzola parte inferiore esposta 10-PowerSO
CGH40006S Datasheet CGH40006S - Cree/Wolfspeed CGH40006STR-ND RF MOSFET HEMT 28V 6QFN-EP 1.600 - Immediatamente
€ 26,66040 200 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
GaN Attivo HEMT 0 Hz ~ 6 GHz 12 dB 28V
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100mA 8 W 84V 6-VDFN Piazzola esposta 6-QFN-EP (3x3)
CGH40006S Datasheet CGH40006S - Cree/Wolfspeed CGH40006SCT-ND RF MOSFET HEMT 28V 6QFN-EP 1.838 - Immediatamente
€ 24,24000 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
GaN Attivo HEMT 0 Hz ~ 6 GHz 12 dB 28V
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100mA 8 W 84V 6-VDFN Piazzola esposta 6-QFN-EP (3x3)
CGH40006S Datasheet CGH40006S - Cree/Wolfspeed CGH40006SDKR-ND RF MOSFET HEMT 28V 6QFN-EP 1.838 - Immediatamente
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
GaN Attivo HEMT 0 Hz ~ 6 GHz 12 dB 28V
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100mA 8 W 84V 6-VDFN Piazzola esposta 6-QFN-EP (3x3)
BLF6G27-10G,118 Datasheet BLF6G27-10G,118 - Ampleon USA Inc. BLF6G27-10G,118-ND RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C 0
Tempi di consegna standard 13 settimane
€ 25,93390 100
Non in stock
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Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS 2,5 GHz ~ 2,7 GHz 19 dB 28V 3,5 A
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130mA 2 W 65V SOT-975C CDFM2
BLF6G27-10G,112 Datasheet BLF6G27-10G,112 - Ampleon USA Inc. 568-8633-ND RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C 257 - Immediatamente
€ 32,01000 1 Sfuso?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS 2,5 GHz ~ 2,7 GHz 19 dB 28V 3,5 A
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130mA 2 W 65V SOT-975C CDFM2
IXZ2210N50L2 Datasheet IXZ2210N50L2 - IXYS-RF IXZ2210N50L2-ND RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275 1.212 - Immediatamente
€ 36,42000 1 Tubo? Z-MOS™ Attivo 2 canali N (doppio) 70 MHz 17 dB 100V 10 A
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270 W 500V 8-SMD, tampone esposto conduttore piatto
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CGHV27030S Datasheet CGHV27030S - Cree/Wolfspeed CGHV27030STR-ND RF MOSFET HEMT 50V 12DFN 750 - Immediatamente
€ 41,96868 250 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
GaN Attivo HEMT 6 GHz 20,4 dB 50V
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130mA 30 W 125V 12-VFDFN Piazzola esposta 12-DFN (4x3)
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23:06:04 5/25/2018