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STL110N10F7 Canale N 100V 107 A (Tc) 136W (Tc) Montaggio superficiale (SMD, SMT) PowerFlat™ (5x6)
Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 2,58000 € 2,58
10 2,31300 € 23,13
100 1,85940 € 185,94
500 1,52772 € 763,86
1.000 1,26583 € 1.265,83

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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key 497-13877-1-ND
Copia   497-13877-1-ND
Quantità disponibile 3.622
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Fabbricante

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Codice produttore

STL110N10F7

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Descrizione MOSFET N-CH 100V 21A PWRFLAT5X6
Copia   MOSFET N-CH 100V 21A PWRFLAT5X6
Tempi di consegna standard del produttore 37 settimane
Descrizione dettagliata

Canale N 100V 107 A (Tc) 136W (Tc) Montaggio superficiale (SMD, SMT) PowerFlat™ (5x6)

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Documenti e risorse multimediali
Schede dati STL110N10F7
Moduli di addestramento sul prodotto Low Voltage Power MOSFETs
STMicroelectronics ST MOSFETs
Prodotto presentato S TripFET F7 Series Power MOSFETs
Attributi del prodotto Seleziona tutto
Categorie
Fabbricante STMicroelectronics
Serie DeepGATE™, STripFET™ VII
Imballaggio ? Nastrato (CT) ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss) 100V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 107 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V
Rds On (max) - Id, Vgs 6mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (max) a Id 4,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 72nC @ 10V
Vgs (max) ±20V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds 5117pF @ 50V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) 136W (Tc)
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Contenitore del fornitore PowerFlat™ (5x6)
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN
 
Classificazioni ambientali e di esportazione
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
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