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STD20NF20 Canale N 200V 18 A (Tc) 110W (Tc) Montaggio superficiale (SMD, SMT) DPAK
Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 1,77000 € 1,77
10 1,59000 € 15,90
100 1,27810 € 127,81
500 1,05010 € 525,05
1.000 0,87008 € 870,08

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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key 497-5810-1-ND
Copia   497-5810-1-ND
Quantità disponibile 11.380
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Fabbricante

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Codice produttore

STD20NF20

Copia   STD20NF20
Descrizione MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
Copia   MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
Descrizione dettagliata

Canale N 200V 18 A (Tc) 110W (Tc) Montaggio superficiale (SMD, SMT) DPAK

Copia   Canale N 200V 18 A (Tc) 110W (Tc) Montaggio superficiale (SMD, SMT) DPAK
Documenti e risorse multimediali
Schede dati STD20NF20, STF20NF20, STP20NF20
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Pagina catalogo 1458 (IT2011-IT PDF)
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Categorie
Fabbricante STMicroelectronics
Serie STripFET™
Imballaggio ? Nastrato (CT) ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss) 200V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 18 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V
Rds On (max) - Id, Vgs 125mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (max) a Id 4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 39nC @ 10V
Vgs (max) ±20V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds 940pF @ 25V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc)
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Contenitore del fornitore DPAK
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 conduttori+ linguetta), SC-63
 
Classificazioni ambientali e di esportazione
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
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