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STD10NM60N Canale N 600V 10 A (Tc) 70W (Tc) Montaggio superficiale (SMD, SMT) DPAK
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 2,40000 € 2,40
10 2,15400 € 21,54
100 1,73160 € 173,16
500 1,42272 € 711,36
1.000 1,17882 € 1.178,82

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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key 497-10021-1-ND
Copia   497-10021-1-ND
Quantità disponibile 2.599
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Fabbricante

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Codice produttore

STD10NM60N

Copia   STD10NM60N
Descrizione MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Copia   MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Descrizione dettagliata

Canale N 600V 10 A (Tc) 70W (Tc) Montaggio superficiale (SMD, SMT) DPAK

Copia   Canale N 600V 10 A (Tc) 70W (Tc) Montaggio superficiale (SMD, SMT) DPAK
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Moduli di addestramento sul prodotto STMicroelectronics ST MOSFETs
Pagina catalogo 1458 (IT2011-IT PDF)
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Categorie
Fabbricante STMicroelectronics
Serie MDmesh™ II
Imballaggio ? Nastrato (CT) ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss) 600V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 10 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V
Rds On (max) - Id, Vgs 550mOhm a 4A, 10V
Vgs(th) (max) a Id 4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 19nC @ 10V
Vgs (max) ±25V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds 540pF @ 50V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) 70W (Tc)
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Contenitore del fornitore DPAK
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 conduttori+ linguetta), SC-63
 
Classificazioni ambientali e di esportazione
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
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17:08:16 6/20/2019