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EPC2049ENGRT Canale N 40V 16 A (Ta) A montaggio superficiale Stampo
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EPC2049ENGRT

Scheda tecnica
Codice Digi-Key 917-EPC2049ENGRCT-ND
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Fabbricante

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Codice produttore EPC2049ENGRT
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Descrizione GANFET TRANS 40V BUMPED DIE
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Descrizione dettagliata

Canale N 40V 16 A (Ta) A montaggio superficiale Stampo

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Documenti e risorse multimediali
Schede dati EPC2049ENGRT Preliminary
Libreria progetti di riferimento EPC9085: 20A, 0 ~ 40V, Half H-Bridge
File video Texas Instruments/Wurth/EPC GaN Solutions First Look Video
Attributi del prodotto
Tipo Descrizione Seleziona tutto
Categorie
Fabbricante EPC
Serie eGaN®
Confezionamento Nastrato (CT) 
Stato componente Obsoleto
Tipo FET Canale N
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)
Tensione drain/source (Vdss) 40V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 16 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V
RDSon (max) a Id, Vgs 5mOhm a 15A, 5V
Vgs(th) max a Id 2,5V a 6mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 7,6nC @ 5V
Vgs (max) +6V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 805pF @ 20V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) -
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore Stampo
Contenitore/involucro Stampo
 
Classificazioni ambientali e di esportazione
Stato RoHS A norma ROHS3
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
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