EUR | USD
Preferito

EPC2032 Canale N 100V 48 A (Ta) A montaggio superficiale Stampo
Prezzo e disponibilità
35.087 In Magazzino
Spedizione immediata
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 5,51000 € 5,51
10 4,98000 € 49,80
25 4,74800 € 118,70
100 3,93740 € 393,74
250 3,70580 € 926,45

Invia una richiesta di preventivo per quantitativi superiori a quanto indicato.

Contenitore alternativo
  • Nastrati in bobina (nib)  : 917-1126-2-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 500
  • Quantità disponibile: 35.000 - Immediatamente
  • Prezzo unitario: € 3,47418
  • Digi-Reel®  : 917-1126-6-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 1
  • Quantità disponibile: 35.087 - Immediatamente
  • Prezzo unitario: Digi-Reel®
Codice Digi-Key 917-1126-1-ND
Copia  
Fabbricante

Copia  
Codice produttore EPC2032
Copia  
Descrizione GANFET TRANS 100V 48A BUMPED DIE
Copia  
Tempi di consegna standard del produttore 12 settimane
Descrizione dettagliata

Canale N 100V 48 A (Ta) A montaggio superficiale Stampo

Copia  
Documenti e risorse multimediali
Schede dati EPC2032
Prodotto presentato EPC2030/31/32 eGaN FET
Assemblaggio/origine PCN EPC2/8 10/Apr/2017
Scheda tecnica HTML EPC2032 Datasheet
Libreria progetti di riferimento EPC9062: 48A, 0 ~ 100V, Half H-Bridge
File video Texas Instruments/Wurth/EPC GaN Solutions First Look Video
Attributi del prodotto
Tipo Descrizione Seleziona tutto
Categorie
Fabbricante EPC
Serie eGaN®
Confezionamento Nastrato (CT) 
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)
Tensione drain/source (Vdss) 100V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 48 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V
RDSon (max) a Id, Vgs 4mOhm a 30A, 5V
Vgs(th) max a Id 2,5V a 11mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 15nC @ 5V
Vgs (max) +6V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1530pF @ 50V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) -
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore Stampo
Contenitore/involucro Stampo
 
Classificazioni ambientali e di esportazione
Stato RoHS A norma ROHS3
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Prodotti collegati Visualizza altro

LMG1205YFXR

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

€ 3,08000 Dettagli

LMG1205YFXT

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

€ 3,55000 Dettagli

LM5113SD/NOPB

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON

Texas Instruments

€ 3,61000 Dettagli

LM5113TME/NOPB

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

€ 4,01000 Dettagli

LM5113SDX/NOPB

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON

Texas Instruments

€ 3,61000 Dettagli

LM5113SDE/NOPB

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON

Texas Instruments

€ 4,03000 Dettagli
Ti potrebbe anche interessare

EPC2033

GAN TRANS 150V 7MOHM BUMPED DIE

EPC

€ 6,66000 Dettagli

EPC2034

GANFET TRANS 200V 48A BUMPED DIE

EPC

€ 6,84000 Dettagli

EPC2029

GANFET TRANS 80V 31A BUMPED DIE

EPC

€ 5,40000 Dettagli

EPC9062

BOARD DEV FOR EPC2032 100V

EPC

€ 105,38000 Dettagli

EPC2045

GANFET TRANS 100V BUMPED DIE

EPC

€ 1,68000 Dettagli

EPC2104

GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG

EPC

€ 6,66000 Dettagli
Altre risorse
Pacco Standard 1
Altri nominativi 917-1126-1