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EPC2012C Canale N 200V 5 A (Ta) Montaggio superficiale (SMD, SMT) Ingombro stampo (barra di saldatura 4)
Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 2,43000 € 2,43
10 2,19300 € 21,93
25 1,95880 € 48,97
100 1,76290 € 176,29
250 1,56696 € 391,74
500 1,37110 € 685,55
1.000 1,13606 € 1.136,06

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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key 917-1084-1-ND
Copia   917-1084-1-ND
Quantità disponibile 16.240
Spedizione immediata
Fabbricante

Copia   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Codice produttore

EPC2012C

Copia   EPC2012C
Descrizione GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE
Copia   GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE
Tempi di consegna standard del produttore 12 settimane
Descrizione dettagliata

Canale N 200V 5 A (Ta) Montaggio superficiale (SMD, SMT) Ingombro stampo (barra di saldatura 4)

Copia   Canale N 200V 5 A (Ta)  Montaggio superficiale (SMD, SMT) Ingombro stampo (barra di saldatura 4)
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Categorie
Fabbricante EPC
Serie eGaN®
Imballaggio ? Nastrato (CT) ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)
Tensione drain/source (Vdss) 200V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V
Rds On (max) - Id, Vgs 100mOhm a 3A, 5V
Vgs(th) (max) a Id 2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 1,3nC @ 5V
Vgs (max) +6V, -4V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds 140pF @ 100V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) -
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Contenitore del fornitore Ingombro stampo (barra di saldatura 4)
Contenitore / involucro Stampo
 
Classificazioni ambientali e di esportazione
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
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21:46:54 6/17/2019