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EPC2012C Canale N 200V 5 A (Ta) A montaggio superficiale Ingombro stampo (barra di saldatura 4)
Prezzo e disponibilità
11.247 In Magazzino
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 2,31000 € 2,31
10 2,08100 € 20,81
25 1,96320 € 49,08
100 1,67250 € 167,25
250 1,57048 € 392,62
500 1,37416 € 687,08
1.000 1,13860 € 1.138,60

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Contenitore alternativo
  • Nastrati in bobina (nib)  : 917-1084-2-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 2.500
  • Quantità disponibile: 10.000 - Immediatamente
  • Prezzo unitario: € 1,02919
  • Digi-Reel®  : 917-1084-6-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 1
  • Quantità disponibile: 11.247 - Immediatamente
  • Prezzo unitario: Digi-Reel®

EPC2012C

Scheda tecnica
Codice Digi-Key 917-1084-1-ND
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Fabbricante

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Codice produttore EPC2012C
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Descrizione GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE
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Tempi di consegna standard del produttore 12 settimane
Descrizione dettagliata

Canale N 200V 5 A (Ta) A montaggio superficiale Ingombro stampo (barra di saldatura 4)

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Attributi del prodotto
Tipo Descrizione Seleziona tutto
Categorie
Fabbricante EPC
Serie eGaN®
Imballaggio Nastrato (CT) 
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)
Tensione drain/source (Vdss) 200V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V
Rds On (max) - Id, Vgs 100mOhm a 3A, 5V
Vgs(th) (max) a Id 2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 1,3nC @ 5V
Vgs (max) +6V, -4V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds 140pF @ 100V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) -
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore Ingombro stampo (barra di saldatura 4)
Contenitore / involucro Stampo
 
Classificazioni ambientali e di esportazione
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma ROHS3
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
da usare con

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