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EPC2010C Canale N 200V 22 A (Ta) A montaggio superficiale Ingombro stampo (barra di saldatura 7)
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Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 5,51000 € 5,51
10 4,94700 € 49,47
25 4,67680 € 116,92
100 4,05320 € 405,32
250 3,84532 € 961,33

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  • Quantità minima di ordinazione: 1
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  • Prezzo unitario: Digi-Reel®

EPC2010C

Scheda tecnica
Codice Digi-Key 917-1085-1-ND
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Fabbricante

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Codice produttore EPC2010C
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Descrizione GANFET TRANS 200V 22A BUMPED DIE
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Tempi di consegna standard del produttore 12 settimane
Descrizione dettagliata

Canale N 200V 22 A (Ta) A montaggio superficiale Ingombro stampo (barra di saldatura 7)

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Attributi del prodotto
Tipo Descrizione Seleziona tutto
Categorie
Fabbricante EPC
Serie eGaN®
Imballaggio Nastrato (CT) 
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)
Tensione drain/source (Vdss) 200V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 22 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V
Rds On (max) - Id, Vgs 25mOhm a 12A, 5V
Vgs(th) (max) a Id 2,5V a 3mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 5,3nC @ 5V
Vgs (max) +6V, -4V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds 540pF @ 100V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) -
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore Ingombro stampo (barra di saldatura 7)
Contenitore / involucro Stampo
 
Classificazioni ambientali e di esportazione
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma ROHS3
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
da usare con

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