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EPC2010C Canale N 200V 22 A (Ta) Montaggio superficiale (SMD, SMT) Ingombro stampo (barra di saldatura 7)
Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 5,81000 € 5,81
10 5,18500 € 51,85
25 4,66640 € 116,66
100 4,25160 € 425,16
250 3,83676 € 959,19

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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key 917-1085-1-ND
Copia   917-1085-1-ND
Quantità disponibile 6.868
Spedizione immediata
Fabbricante

Copia   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Codice produttore

EPC2010C

Copia   EPC2010C
Descrizione GANFET TRANS 200V 22A BUMPED DIE
Copia   GANFET TRANS 200V 22A BUMPED DIE
Tempi di consegna standard del produttore 12 settimane
Descrizione dettagliata

Canale N 200V 22 A (Ta) Montaggio superficiale (SMD, SMT) Ingombro stampo (barra di saldatura 7)

Copia   Canale N 200V 22 A (Ta)  Montaggio superficiale (SMD, SMT) Ingombro stampo (barra di saldatura 7)
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Categorie
Fabbricante EPC
Serie eGaN®
Imballaggio ? Nastrato (CT) ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)
Tensione drain/source (Vdss) 200V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 22 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V
Rds On (max) - Id, Vgs 25mOhm a 12A, 5V
Vgs(th) (max) a Id 2,5V a 3mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 5,3nC @ 5V
Vgs (max) +6V, -4V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds 540pF @ 100V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) -
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Contenitore del fornitore Ingombro stampo (barra di saldatura 7)
Contenitore / involucro Stampo
 
Classificazioni ambientali e di esportazione
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
da usare con
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