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2N7002K-T1-GE3 N-Kanal 60V 300mA (Ta) 350mW (Ta) Oberflächenmontage TO-236
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  • Digi-Reel®  : 2N7002K-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 103.910 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

2N7002K-T1-GE3

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer 2N7002K-T1-GE3CT-ND
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Hersteller

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Hersteller-Teilenummer 2N7002K-T1-GE3
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Beschreibung MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
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Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 60V 300mA (Ta) 350mW (Ta) Oberflächenmontage TO-236

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter 2N7002K Datasheet
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
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Kategorien
Hersteller Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 300mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2Ohm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 0,6nC @ 4,5V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 30pF @ 25V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 350mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-236
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis der Teilenummer 2N7002
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen 2N7002K-T1-GE3CT