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STP60NF06 N-Kanal 60V 60 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Stückpreis Gesamtpreis
1 1,16000 € 1,16
10 1,03000 € 10,30
50 0,97760 € 48,88
100 0,80300 € 80,30
500 0,66334 € 331,67
2.500 0,48878 € 1.221,94
5.000 0,46434 € 2.321,68

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Produktübersicht
Digi-Key Teilenummer 497-2779-5-ND
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Verfügbare Menge 10.218
Kann sofort versendet werden
Hersteller

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Hersteller-Teilenummer

STP60NF06

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Beschreibung MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
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Standardlieferzeit des Herstellers 12 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 60V 60 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB

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Dokumente & Medien
Datenblätter STP60NF06
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) STP60NF06 View All Specifications
Produktschulungsmodul(e) STMicroelectronics ST MOSFETs
Vorgestelltes Produkt Power MOSFETs
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Katalogseite 1456 (IT2011-DE PDF)
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Kategorien
Hersteller STMicroelectronics
Serie STripFET™ II
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 60 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 16mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 73nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1660pF @ 25V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 110W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Gehäuse / Hülle TO-220-3
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Wird oft zusammen gekauft
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 50
Andere Namen 497-2779-5

06:44:26 7/21/2019