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STP60NF06 N-Kanal 60V 60 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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10 1,03300 € 10,33
25 0,98040 € 24,51
100 0,73540 € 73,54
250 0,72844 € 182,11
500 0,62338 € 311,69
1.000 0,50780 € 507,80
2.500 0,50080 € 1.251,99
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STP60NF06

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer 497-2779-5-ND
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Hersteller

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Hersteller-Teilenummer STP60NF06
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Beschreibung MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
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Standardlieferzeit des Herstellers 12 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 60V 60 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB

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Datenblätter STP60NF06
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) STP60NF06 View All Specifications
Produktschulungsmodul(e) STMicroelectronics ST MOSFETs
Vorgestelltes Produkt Power MOSFETs
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Hersteller STMicroelectronics
Serie STripFET™ II
Verpackung Stange 
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 60 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 16mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 73nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1660pF @ 25V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 110W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Gehäuse / Hülle TO-220-3
Basis der Teilenummer STP60N
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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