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STP4N150 N-Kanal 1500V 4 A (Tc) 160W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Stückpreis Gesamtpreis
1 6,34000 € 6,34
50 5,09520 € 254,76
100 4,64230 € 464,23
500 3,75914 € 1.879,57
1.000 3,17035 € 3.170,35
2.500 3,01184 € 7.529,60

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Produktübersicht
Digi-Key Teilenummer 497-5091-5-ND
Kopieren   497-5091-5-ND
Verfügbare Menge 1.125
Kann sofort versendet werden
Hersteller

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Hersteller-Teilenummer

STP4N150

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Beschreibung MOSFET N-CH 1500V 4A TO-220
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Standardlieferzeit des Herstellers 8 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 1500V 4 A (Tc) 160W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB

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Dokumente & Medien
Datenblätter STxx4N150
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) STP4N150 View All Specifications
Produktschulungsmodul(e) STMicroelectronics ST MOSFETs
Vorgestelltes Produkt 1500V MOSFET Family
Simulationsmodelle STP4N150 Spice Model
EDA/CAD-Modelle ? Herunterladen von Ultra Librarian
Katalogseite 1457 (IT2011-DE PDF)
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Kategorien
Hersteller STMicroelectronics
Serie PowerMESH™
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1500V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 4 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 7Ohm bei 2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 50nC @ 10V
Vgs (Max.) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1300pF @ 25V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 160W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montagetyp Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Gehäuse / Hülle TO-220-3
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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02:05:52 5/24/2019