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Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Stückpreis Gesamtpreis
1 5,00000 € 5,00
10 4,49400 € 44,94
25 4,24880 € 106,22
100 3,68240 € 368,24
500 3,13474 € 1.567,37
2.500 2,51157 € 6.278,92

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Produktübersicht
Digi-Key Teilenummer 497-14717-5-ND
Kopieren   497-14717-5-ND
Verfügbare Menge 808
Kann sofort versendet werden
Hersteller

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Hersteller-Teilenummer

STP315N10F7

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Beschreibung MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB
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Standardlieferzeit des Herstellers 37 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 100V 180 A (Tc) 315W (Tc) Durchkontaktierung TO-220

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Dokumente & Medien
Datenblätter STP315N10F7
Produktschulungsmodul(e) Low Voltage Power MOSFETs
STMicroelectronics ST MOSFETs
Simulationsmodelle STP315N10F7 Spice Model
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Kategorien
Hersteller STMicroelectronics
Serie Automobiltechnik, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 180 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 2,7mOhm bei 60A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 180nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 12800pF @ 25V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 315W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220
Gehäuse / Hülle TO-220-3
Basis der Teilenummer STP315
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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02:29:26 8/20/2019