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STP150NF55 N-Kanal 55V 120 A (Tc) 300W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Stückpreis Gesamtpreis
1 3,52000 € 3,52
10 3,16200 € 31,62
25 2,98840 € 74,71
100 2,59010 € 259,01
500 2,20490 € 1.102,45
2.500 1,76657 € 4.416,42
5.000 1,70016 € 8.500,79

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Produktübersicht
Digi-Key Teilenummer 497-6117-5-ND
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Verfügbare Menge 3.824
Kann sofort versendet werden
Hersteller

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Hersteller-Teilenummer

STP150NF55

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Beschreibung MOSFET N-CH 55V 120A TO-220
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Standardlieferzeit des Herstellers 12 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 55V 120 A (Tc) 300W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB

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Dokumente & Medien
Datenblätter STx150NF55
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) STP150NF55 View All Specifications
Produktschulungsmodul(e) Automotive Grade Transistors and Discretes
STMicroelectronics ST MOSFETs
Simulationsmodelle STP150NF55 Spice Model
EDA/CAD-Modelle ? Herunterladen von Ultra Librarian
Katalogseite 1456 (IT2011-DE PDF)
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Kategorien
Hersteller STMicroelectronics
Serie STripFET™ II
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 120 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 6mOhm bei 60A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 190nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 4400pF @ 25V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Gehäuse / Hülle TO-220-3
Basis der Teilenummer STP150
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Wird oft zusammen gekauft
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 50
Andere Namen 497-6117-5

02:51:31 8/20/2019