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STP140NF75 N-Kanal 75V 120 A (Tc) 310W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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10 2,04300 € 20,43
25 1,93080 € 48,27
100 1,54480 € 154,48
250 1,45904 € 364,76
500 1,37320 € 686,60
1.000 1,17580 € 1.175,80
2.500 1,15864 € 2.896,59
5.000 1,05565 € 5.278,23

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STP140NF75

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer 497-5894-5-ND
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Hersteller

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Hersteller-Teilenummer STP140NF75
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Beschreibung MOSFET N-CH 75V 120A TO-220
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Standardlieferzeit des Herstellers 12 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 75V 120 A (Tc) 310W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB

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Dokumente & Medien
Datenblätter ST(B,P)140NF75(-1)
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) STP140NF75 View All Specifications
Produktschulungsmodul(e) STMicroelectronics ST MOSFETs
HTML-Datenblatt ST(B,P)140NF75(-1)
Simulationsmodelle STP140NF75 Spice Model
EDA/CAD-Modelle Herunterladen von Ultra Librarian
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Kategorien
Hersteller STMicroelectronics
Serie STripFET™ III
Verpackung Stange 
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 120 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 7,5mOhm bei 70A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 218nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 5000pF @ 25V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 310W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Gehäuse / Hülle TO-220-3
Basis der Teilenummer STP140
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 50
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