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STB57N65M5 N-Kanal 650V 42 A (Tc) 250W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK
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Preisreduzierung Stückpreis Gesamtpreis
1 10,51000 € 10,51
10 9,65800 € 96,58
25 9,25800 € 231,45
100 8,00670 € 800,67
250 7,75652 € 1.939,13
500 7,25606 € 3.628,03

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  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : 497-13087-2-ND
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  • Digi-Reel®  : 497-13087-6-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
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  • Stückpreis: Digi-Reel®

STB57N65M5

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer 497-13087-1-ND
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Hersteller

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Hersteller-Teilenummer STB57N65M5
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Beschreibung MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
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Standardlieferzeit des Herstellers 15 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 650V 42 A (Tc) 250W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK

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Dokumente & Medien
Datenblätter STx57N65M5
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) STB57N65M5 View All Specifications
Produktschulungsmodul(e) STMicroelectronics ST MOSFETs
HTML-Datenblatt STx57N65M5
Simulationsmodelle STB57N65M5 Spice Model
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Kategorien
Hersteller STMicroelectronics
Serie MDmesh™ V
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 42 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 63mOhm bei 21A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 98nC @ 10V
Vgs (Max.) ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 4200pF @ 100V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten D2PAK
Gehäuse / Hülle TO-263-3, D²Pak (2 Anschlüsse + Fahne), TO-263AB
Basis der Teilenummer STB57N
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen 497-13087-1