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SCT3022ALGC11

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer SCT3022ALGC11-ND
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Hersteller

Rohm Semiconductor

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Hersteller-Teilenummer SCT3022ALGC11
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Beschreibung SICFET N-CH 650V 93A TO247N
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Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 650V 93 A (Tc) 339W (Tc) Durchkontaktierung TO-247N

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Hersteller Rohm Semiconductor
Serie -
Verpackung Stange 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 93 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 28,6mOhm bei 36A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id 5,6V bei 18,2mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 133nC @ 18V
Vgs (Max.) +22V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2208pF @ 500V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 339W (Tc)
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Montagetyp Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247N
Gehäuse / Hülle TO-247-3
Basis der Teilenummer SCT3022
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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