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Alternative Verpackung
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : SCT2H12NYTBTR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 400
  • Verfügbare Menge: 1.200 - Sofort
  • Stückpreis: € 3,45193
  • Digi-Reel®  : SCT2H12NYTBDKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 1.517 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

SCT2H12NYTB

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer SCT2H12NYTBCT-ND
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Hersteller

Rohm Semiconductor

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Hersteller-Teilenummer SCT2H12NYTB
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Beschreibung SICFET N-CH 1700V 4A TO268
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Standardlieferzeit des Herstellers 15 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 1700V 4 A (Tc) 44W (Tc) Oberflächenmontage TO-268

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter SCT2H12NY
TO-268-2L Taping Spec
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) SiC Flammability
MOS-2GSMD Reliability Test
Produktschulungsmodul(e) SiC Trench MOSFETs
RoHS-Informationen SiC Level 1 MSL
SiC Whisker Info
SCT2750NY ESD Data
Vorgestelltes Produkt SiC Power MOSFETs
HTML-Datenblatt TO-268-2L Taping Spec
Simulationsmodelle SCT2H12NY Spice Model
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller Rohm Semiconductor
Serie -
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1700V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 4 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,5Ohm bei 1,1A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 410µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 14nC @ 18V
Vgs (Max.) +22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 184pF @ 800V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 44W (Tc)
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-268
Gehäuse / Hülle TO-268-3, D³Pak (2 Anschlüsse+Fahne), TO-268AA
Basis der Teilenummer SCT2H12
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen SCT2H12NYTBCT