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Alternative Verpackung
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : SCT2750NYTBTR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 400
  • Verfügbare Menge: 800 - Sofort
  • Stückpreis: € 4,04170
  • Digi-Reel®  : SCT2750NYTBDKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 1.462 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

SCT2750NYTB

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer SCT2750NYTBCT-ND
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Hersteller

Rohm Semiconductor

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Hersteller-Teilenummer SCT2750NYTB
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Beschreibung SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
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Standardlieferzeit des Herstellers 15 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 1700V 5,9 A (Tc) 57W (Tc) Oberflächenmontage TO-268

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter SCT2750NY
TO-268-2L Taping Spec
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) SiC Flammability
MOS-2GSMD Reliability Test
Produktschulungsmodul(e) SiC Trench MOSFETs
RoHS-Informationen SiC Level 1 MSL
SiC Whisker Info
SCT2H12NY ESD Data
Vorgestelltes Produkt SiC Power MOSFETs
HTML-Datenblatt TO-268-2L Taping Spec
Simulationsmodelle SCT2750NY Spice Model
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller Rohm Semiconductor
Serie -
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1700V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 5,9 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 975mOhm bei 1,7A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 630µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 17nC @ 18V
Vgs (Max.) +22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 275pF @ 800V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 57W (Tc)
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-268
Gehäuse / Hülle TO-268-3, D³Pak (2 Anschlüsse+Fahne), TO-268AA
Basis der Teilenummer SCT2750
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen SCT2750NYTBCT