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1 11,76000 €11,76
10 10,35600 €103,56
25 9,51720 €237,93
100 8,95700 €895,70
500 8,11732 €4.058,66
1.000 7,44554 €7.445,54

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SCT2120AFC

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer SCT2120AFC-ND
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Hersteller

Rohm Semiconductor

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Hersteller-Teilenummer SCT2120AFC
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Beschreibung SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
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Standardlieferzeit des Herstellers 15 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 650V 29 A (Tc) 165W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter SCT2120AF Datasheet
TO-220AB Taping Spec
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) TO-220AB Inner Structure
SiC Flammability
MOS-2GTHD Reliability Test
Produktschulungsmodul(e) SiC Trench MOSFETs
RoHS-Informationen SiC Level 1 MSL
SiC Whisker Info
SCT2120AF ESD Data
Vorgestelltes Produkt SiC Power MOSFETs
PCN-Montage/Herkunft SCT2120AFC Wafer Chgs 2/Jun/2020
HTML-Datenblatt SCT2120AF Datasheet
TO-220AB Taping Spec
Simulationsmodelle SCT2120AF Spice Model
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller Rohm Semiconductor
Serie -
Verpackung Stange 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 29 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 156mOhm bei 10A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 3,3mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 61nC @ 18V
Vgs (Max.) +22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1200pF @ 500V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 165W (Tc)
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Montagetyp Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Gehäuse / Hülle TO-220-3
Basis der Teilenummer SCT2120
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Wird oft zusammen gekauft
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1.000
Andere Namen SCT2120AFCU