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MUN5311DW1T1G Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung 1 NPN, 1 PNP - vorgespannt (zweif.) 50V 100mA 250mW Oberflächenmontage SC-88/SC70-6/SOT-363
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  • Digi-Reel®  : MUN5311DW1T2GOSDKR-ND
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  • Verfügbare Menge: 14.296 - Sofort
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MUN5311DW1T1G

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer MUN5311DW1T1GOSCT-ND
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Hersteller

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Hersteller-Teilenummer MUN5311DW1T1G
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Beschreibung TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
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Standardlieferzeit des Herstellers 8 Wochen
Detaillierte Beschreibung

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung 1 NPN, 1 PNP - vorgespannt (zweif.) 50V 100mA 250mW Oberflächenmontage SC-88/SC70-6/SOT-363

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter MUN5311DW1, NSBC114EPXxx
RoHS-Informationen Material Declaration MUN5311DW1T1G
PCN-Design/Spezifikation Copper Wire 08/Jun/2009
PCN-Montage/Herkunft Mult Dev Assembly 30/Jul/2020
HTML-Datenblatt MUN5311DW1, NSBC114EPXxx
Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller ON Semiconductor
Serie -
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - vorgespannt (zweif.)
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) 10kOhm
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 10kOhm
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 35 bei 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 250mV bei 300µA, 10mA
Strom - Kollektor, Grenzwert (Ic) (max.) 500nA
Frequenz - Übergang -
Leistung - Max. 250mW
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gehäusetyp vom Lieferanten SC-88/SC70-6/SOT-363
Basis der Teilenummer MUN53
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen MUN5311DW1T1GOSCT