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EPC2012C N-Kanal 200V 5 A (Ta) Oberflächenmontage Chipumriss (4 Lötstreifen)
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Preisreduzierung Stückpreis Gesamtpreis
1 2,29000 € 2,29
10 2,06300 € 20,63
25 1,94680 € 48,67
100 1,51840 € 151,84
250 1,47948 € 369,87
500 1,28480 € 642,40
1.000 1,09014 € 1.090,14

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Alternative Verpackung
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : 917-1084-2-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 2.500
  • Verfügbare Menge: 2.500 - Sofort
  • Stückpreis: € 1,04327
  • Digi-Reel®  : 917-1084-6-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 4.350 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

EPC2012C

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer 917-1084-1-ND
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Hersteller

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Hersteller-Teilenummer EPC2012C
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Beschreibung GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE
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Standardlieferzeit des Herstellers 12 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 200V 5 A (Ta) Oberflächenmontage Chipumriss (4 Lötstreifen)

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Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller EPC
Serie eGaN®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 5 A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 5V
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 100mOhm bei 3A, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 1,3nC @ 5V
Vgs (Max.) +6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 140pF @ 100V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten Chipumriss (4 Lötstreifen)
Gehäuse / Hülle Einsatz
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
zur Verwendung mit

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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
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