JFET

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Codice produttore	Quantità disponibile	Prezzo	Serie	Contenitore	Stato del prodotto	Tipo FET	Tensione - Rottura (V(BR)GSS)	Tensione drain/source (Vdss)	Corrente - Drain (Idss) a Vds (Vgs=0)	Drain di corrente (Id) - Max	Tensione - Soglia (VGS off) a Id	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	Resistenza - RDSon	Potenza - Max	Temperatura di funzionamento	Grado	Qualifica	Tipo di montaggio	Contenitore/involucro	Contenitore del fornitore
MMBF4393LT1G JFET N-CH 30V SOT23-3 onsemi	14 593 In magazzino	1 : € 0,29000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,06749 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	30 V	30 V	5 mA @ 15 V	-	500 mV @ 10 nA	14pF a 15V	100 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBF4392LT1G JFET N-CH 30V SOT23-3 onsemi	31 245 In magazzino	1 : € 0,34000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07976 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	30 V	30 V	25 mA @ 15 V	-	2 V @ 10 nA	14pF a 15V	60 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
TF412ST5G JFET N-CH 30V 10MA SOT883 onsemi	69 855 In magazzino	1 : € 0,34000 Nastro pre-tagliato (CT) 8 000 : € 0,06837 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	30 V	30 V	1.2 mA @ 10 V	10 mA	180 mV @ 1 µA	4pF a 10V	-	100 mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	3-XFDFN	SOT-883 (XDFN3) (1x0,6)
MMBFJ201 JFET N-CH 40V SOT23-3 onsemi	45 957 In magazzino	1 : € 0,37000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08590 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	40 V	40 V	200 µA @ 20 V	-	300 mV @ 10 nA	-	-	350 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBF4117 JFET N-CH 40V SOT23-3 onsemi	45 115 In magazzino	1 : € 0,47000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,11131 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	40 V	-	30 µA @ 10 V	-	600 mV @ 1 nA	3pF a 10V	-	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBFJ270 JFET P-CH 30V SOT23-3 onsemi	45 061 In magazzino	1 : € 0,50000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,13785 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	30 V	-	2 mA @ 15 V	-	500 mV @ 1 nA	-	-	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
NSVJ3557SA3T1G JFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3 onsemi	10 281 In magazzino	1 : € 0,50000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,16478 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	15 V	15 V	10 mA @ 5 V	50 mA	300 mV @ 100 µA	10pF a 5V	-	200 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SC-59-3/CP3
2SK209-BL(TE85L,F) JFET N-CH 50V 14MA SC59 Toshiba Semiconductor and Storage	55 343 In magazzino	1 : € 0,52000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,13381 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	50 V	-	14 mA @ 10 V	14 mA	1.5 V @ 100 nA	13pF a 10V	-	150 mW	125°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SC-59
2N4393 PBFREE JFET N-CH 40V TO18 Central Semiconductor Corp	1 142 In magazzino	1 : € 3,03000 Sfuso	-	Sfuso	Attivo	Canale N	40 V	-	5 mA @ 20 V	-	500 mV @ 1 nA	14pF a 20V	100 Ohms	1.8 W	-65°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 contenitore metallico	TO-18
2N4392 PBFREE JFET N-CH 40V TO18 Central Semiconductor Corp	756 In magazzino	1 : € 3,03000 Sfuso	-	Sfuso	Attivo	Canale N	40 V	-	25 mA @ 20 V	-	2 V @ 1 nA	14pF a 20V	60 Ohms	1.8 W	-65°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 contenitore metallico	TO-18
JFE2140DR JFET 2N-CH 40V 50MA 8SOIC Texas Instruments	1 878 In magazzino	1 : € 3,52000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 1,91937 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	2 canali N (doppio)	40 V	40 V	-	50 mA	1.5 V @ 0.1 µA	13pF a 5V	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)	8-SOIC
UF3N170400B7S JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7 onsemi	6 323 In magazzino	1 : € 9,25000 Nastro pre-tagliato (CT) 800 : € 4,35021 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	1700 V	1700 V	2.2 µA @ 1700 V	6.8 A	-	225pF a 100V	500 mOhms	68 W	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA	D2PAK-7
UJ3N065080K3S JFET N-CH 650V 32A TO247-3 onsemi	447 In magazzino	1 : € 9,71000 Tubo	-	Tubo	Attivo	Canale N	650 V	650 V	-	32 A	-	630pF a 100V	95 mOhms	190 W	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Foro passante	TO-247-3	TO-247-3
UJ3N120065K3S JFET N-CH 1.2KV 34A TO247-3 onsemi	2 913 In magazzino	1 : € 18,13000 Tubo	-	Tubo	Attivo	Canale N	1200 V	1200 V	5 µA @ 1200 V	34 A	-	1008pF a 100V	55 mOhms	254 W	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Foro passante	TO-247-3	TO-247-3
UJ3N120035K3S JFET N-CH 1200V 63A TO247-3 onsemi	3 932 In magazzino	1 : € 29,44000 Tubo	-	Tubo	Attivo	Canale N	1200 V	1200 V	-	63 A	-	2145pF a 100V	45 mOhms	429 W	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Foro passante	TO-247-3	TO-247-3
SMMBFJ177LT1G JFET P-CH 30V SOT23-3 onsemi	14 346 In magazzino	1 : € 0,24000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,09996 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	30 V	-	1.5 mA @ 15 V	-	800 mV @ 10 nA	11pF a 10V (VGS)	300 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
J111-D26Z JFET N-CH 35V TO92-3 onsemi	41 860 In magazzino 2 000 Fabbrica	1 : € 0,26000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 000 : € 0,12368 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Attivo	Canale N	35 V	-	20 mA @ 15 V	-	3 V @ 1 µA	-	30 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Foro passante	Conduttori formati TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
MMBF5103 JFET N-CH 40V SOT23-3 onsemi	18 420 In magazzino	1 : € 0,33000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08327 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	40 V	-	10 mA @ 15 V	-	1.2 V @ 1 nA	16pF a 15V	-	350 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
NSVJ2394SA3T1G JFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3 onsemi	8 942 In magazzino	1 : € 0,34000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,18056 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	15 V	15 V	32 mA @ 5 V	50 mA	700 mV @ 100 µA	10pF a 5V	-	200 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SC-59-3/CP3
MMBFJ113 JFET N-CH 35V SOT23-3 onsemi	11 662 In magazzino	1 : € 0,34000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,06837 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	35 V	-	2 mA @ 15 V	-	500 mV @ 1 µA	-	100 Ohms	350 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
J111 JFET N-CH 35V TO92-3 onsemi	1 915 In magazzino	1 : € 0,35000 Sfuso	-	Sfuso	Attivo	Canale N	35 V	-	20 mA @ 15 V	-	3 V @ 1 µA	-	30 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 corpo standard (TO-226AA)	TO-92-3
MMBFJ111 JFET N-CH 35V SOT23-3 onsemi	56 187 In magazzino	1 : € 0,36000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08590 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	35 V	-	20 mA @ 15 V	-	3 V @ 1 µA	-	30 Ohms	350 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
J113 JFET N-CH 35V TO92-3 onsemi	8 996 In magazzino 10 000 Fabbrica	1 : € 0,36000 Sfuso	-	Sfuso	Attivo	Canale N	35 V	-	2 mA @ 15 V	-	500 mV @ 1 µA	-	100 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 corpo standard (TO-226AA)	TO-92-3
MMBFJ112 JFET N-CH 35V SOT23-3 onsemi	56 758 In magazzino	1 : € 0,38000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,06398 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	35 V	-	5 mA @ 15 V	-	1 V @ 1 µA	-	50 Ohms	350 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBF4393LT3G JFET N-CH 30V SOT23-3 onsemi	19 107 In magazzino 60 000 Fabbrica	1 : € 0,38000 Nastro pre-tagliato (CT) 10 000 : € 0,06924 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	30 V	30 V	5 mA @ 15 V	-	500 mV @ 10 nA	14pF a 15V	100 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)

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I transistor a effetto di campo a giunzione (JFET) sono dispositivi utilizzati come interruttori a controllo elettronico, amplificatori o resistori controllati in tensione. Una differenza di potenziale della corretta polarità applicata tra i terminali gate e source aumenta la resistenza al flusso di corrente, il che significa che nel canale tra i terminali source e drain passa meno corrente. Grazie alla carica che attraversa il canale semiconduttivo tra i terminali source e drain, i JFET non hanno bisogno di una corrente di polarizzazione.

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