Array FET, MOSFET

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Codice produttore	Quantità disponibile	Prezzo	Serie	Contenitore	Stato del prodotto	Tecnologia	Configurazione	Funzione FET	Tensione drain/source (Vdss)	Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	RDSon (max) a Id, Vgs	Vgs(th) max a Id	Carica del gate (Qg) max a Vgs	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	Potenza - Max	Temperatura di funzionamento	Grado	Qualifica	Tipo di montaggio	Contenitore/involucro	Contenitore del fornitore

SSM6N7002KFU,LF MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	345 066 In magazzino	1 : € 0,12000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,03208 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	-	60V	300mA	1,5ohm a 100mA, 10V	2,1V a 250µA	0,6nC a 4,5V	40pF a 10V	285mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
2N7002DW-7-F MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Diodes Incorporated	117 088 In magazzino	1 : € 0,19000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,05034 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	-	60V	230mA	7,5ohm a 50mA, 5V	2V a 250µA	-	50pF a 25V	310mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
SSM6L56FE,LM MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	70 669 In magazzino	1 : € 0,20000 Nastro pre-tagliato (CT) 4 000 : € 0,05025 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Gate livello logico, comando 1,5V	20V	800mA (Ta)	235mohm a 800mA, 4,5V, 390mohm a 800mA, 4,5V	1V a 1mA	1nC a 10V	55pF a 10V, 100pF a 10V	150mW (Ta)	150°C	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	ES6
2N7002PS,115 MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	2 098 In magazzino	1 : € 0,20000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,04948 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	60V	320mA	1,6ohm a 500mA, 10V	2,4V a 250µA	0,8nC a 4,5V	50pF a 10V	420mW	150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q100	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
SSM6N37FU,LF MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	190 573 In magazzino	1 : € 0,21000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,05356 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Gate livello logico, comando 1,5V	20V	250mA (Ta)	2,2ohm a 100mA, 4,5V	1V a 1mA	-	12pF a 10V	300mW	150°C	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
PMDXB600UNEZ MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN Nexperia USA Inc.	37 345 In magazzino	1 : € 0,21000 Nastro pre-tagliato (CT) 5 000 : € 0,05028 Nastrato in bobina (TR) 1 : € 0,24000 Nastro pre-tagliato (CT)	TrenchFET®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	20V	600mA	620mohm a 600mA, 4,5V	950mV a 250µA	0,7nC a 4,5V	21,3pF a 10V	265mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-XFDFN piazzola esposta	DFN1010B-6
2N7002DWH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Infineon Technologies	4 761 In magazzino	1 : € 0,21000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,05771 Nastrato in bobina (TR)	448	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	60V	300mA	3ohm a 500mA, 10V	2,5V a 250µA	0,6nC a 10V	20pF a 25V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
SSM6N44FE,LM MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	140 641 In magazzino	1 : € 0,22000 Nastro pre-tagliato (CT) 4 000 : € 0,05640 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	30V	100mA	4ohm a 10mA, 4V	1,5V a 100µA	-	8,5pF a 3V	150mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	ES6
DMG1016UDW-7 MOSFET N/P-CH 20V SOT363 Diodes Incorporated	48 979 In magazzino 1 602 000 Fabbrica	1 : € 0,24000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,06363 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Porta a livello logico	20V	1,07A, 845mA	450mohm a 600mA, 4,5V	1V a 250µA	0,74nC a 4,5V	60,67pF a 10V	330mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
UM6K33NTN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	743 474 In magazzino	1 : € 0,26000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,05553 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Gate livello logico, comando 1,2V	50V	200mA	2,2ohm a 200mA, 4,5V	1V a 1mA	-	25pF a 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
UM6K34NTCN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	335 882 In magazzino	1 : € 0,26000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07067 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Gate livello logico, comando 0,9V	50V	200mA	2,2ohm a 200mA, 4,5V	800mV a 1mA	-	26pF a 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
EM6K34T2CR MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6 Rohm Semiconductor	164 295 In magazzino	1 : € 0,26000 Nastro pre-tagliato (CT) 8 000 : € 0,06237 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Gate livello logico, comando 0,9V	50V	200mA	2,2ohm a 200mA, 4,5V	800mV a 1mA	-	26pF a 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	EMT6
DMG6602SVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26 Diodes Incorporated	100 345 In magazzino 3 012 000 Fabbrica	1 : € 0,26000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,06929 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Gate livello logico, comando 4,5V	30V	3,4 A, 2,8 A	60mohm a 3,1 A, 10V	2,3V a 250µA	13nC a 10V	400pF a 15V	840mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	TSOT-26
DMG6601LVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26 Diodes Incorporated	6 247 In magazzino 2 514 000 Fabbrica	1 : € 0,26000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07014 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Porta a livello logico	30V	3,8 A, 2,5 A	55mohm a 3,4A, 10V	1,5V a 250µA	12,3nC a 10V	422pF a 15V	850mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	TSOT-26
BSD840NH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 Infineon Technologies	130 063 In magazzino	1 : € 0,29000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07666 Nastrato in bobina (TR)	448	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	20V	880mA	400mohm a 880mA, 2,5V	750mV a 1,6µA	0,26nC a 2,5V	78pF a 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
PMGD290XN,115 MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	68 880 In magazzino	1 : € 0,29000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07754 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	20V	860mA	350mohm a 200mA, 4,5V	1,5V a 250µA	0,72nC a 4,5V	34pF a 20V	410mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
NTZD3154NT1G MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563 onsemi	455 532 In magazzino	1 : € 0,29000 Nastro pre-tagliato (CT) 4 000 : € 0,07745 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	-	20V	540mA	550mohm a 540mA, 4,5V	1V a 250µA	2,5nC a 4,5V	150pF a 16V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SOT-563
2N7002DW MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 onsemi	94 203 In magazzino	1 : € 0,29000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08095 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	60V	115mA	7,5ohm a 50mA, 5V	2V a 250µA	-	50pF a 25V	200mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88 (SC-70-6)
NTJD4401NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88 onsemi	28 803 In magazzino	1 : € 0,29000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08075 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	20V	630mA	375mohm a 630mA, 4,5V	1,5V a 250µA	3nC a 4,5V	46pF a 20V	270mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
SSM6L14FE(TE85L,F) MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	12 395 In magazzino	1 : € 0,29000 Nastro pre-tagliato (CT) 4 000 : € 0,07651 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Gate livello logico, comando 1,5V	20V	800mA (Ta), 720mA (Ta)	240mohm a 500mA, 4,5V, 300mohm a 400mA, 4,5V	1V a 1mA	2nC a 4,5V, 1,76nC a 4,5V	90pF a 10V, 110pF a 10V	150mW (Ta)	150°C	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	ES6
SSM6L09FUTE85LF MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	37 586 In magazzino	1 : € 0,30000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08177 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Porta a livello logico	30V	400mA, 200mA	700mohm a 200mA, 10V	1,8V a 100µA	-	20pF a 5V	300mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
BSD235NH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 Infineon Technologies	35 474 In magazzino	1 : € 0,30000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08284 Nastrato in bobina (TR)	448	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	20V	950mA	350mohm a 950mA, 4,5V	1,2V a 1,6µA	0,32nC a 4,5V	63pF a 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
PMDT290UNE,115 MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 Nexperia USA Inc.	76 474 In magazzino	1 : € 0,31000 Nastro pre-tagliato (CT) 4 000 : € 0,08278 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	20V	800mA	380mohm a 500mA, 4,5V	950mV a 250µA	0,68nC a 4,5V	83pF a 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SOT-666
NTZD3152PT1G MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563 onsemi	55 332 In magazzino	1 : € 0,31000 Nastro pre-tagliato (CT) 4 000 : € 0,08185 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali P (doppio)	-	20V	430mA	900mohm a 430mA, 4,5V	1V a 250µA	2,5nC a 4,5V	175pF a 16V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SOT-563
SI1034CX-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89 Vishay Siliconix	15 332 In magazzino	1 : € 0,32000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08795 Nastrato in bobina (TR)	TrenchFET®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	20V	610mA (Ta)	396mohm a 500mA, 4,5V	1V a 250µA	2nC a 8V	43pF a 10V	220mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SC-89 (SOT-563F)

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I transistor a effetto di campo (FET) sono dispositivi elettronici che utilizzano un campo elettrico per controllare il flusso di corrente. L'applicazione di una tensione al terminale gate altera la conducibilità tra il terminale drain e quello source. I FET sono noti anche come transistor unipolari, infatti il loro funzionamento si basa su un singolo tipo di portatore di carica. I FET funzionano utilizzando elettroni o lacune come portatori di carica, ma non entrambi. I transistor a effetto di campo mostrano generalmente un'impedenza d'ingresso molto alta alle basse frequenze.

Array FET, MOSFET

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