Array FET, MOSFET

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Codice produttore	Quantità disponibile	Prezzo	Serie	Contenitore	Stato del prodotto	Tecnologia	Configurazione	Funzione FET	Tensione drain/source (Vdss)	Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	RDSon (max) a Id, Vgs	Vgs(th) max a Id	Carica del gate (Qg) max a Vgs	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	Potenza - Max	Temperatura di funzionamento	Grado	Qualifica	Tipo di montaggio	Contenitore/involucro	Contenitore del fornitore
SSM6N7002KFU,LF MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	130 095 In magazzino	1 : € 0,18000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,03523 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	-	60V	300mA	1,5ohm a 100mA, 10V	2,1V a 250µA	0,6nC a 4,5V	40pF a 10V	285mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
NTJD5121NT1G MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 onsemi	66 735 In magazzino	1 : € 0,24000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,04970 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	60V	295mA	1,6ohm a 500mA, 10V	2,5V a 250µA	0,9nC a 4,5V	26pF a 20V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
2N7002DWH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Infineon Technologies	89 975 In magazzino	1 : € 0,27000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,05331 Nastrato in bobina (TR)	OptiMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	60V	300mA	3ohm a 500mA, 10V	2,5V a 250µA	0,6nC a 10V	20pF a 25V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
2N7002DW-7-F MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Diodes Incorporated	33 980 In magazzino	1 : € 0,27000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,05059 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	-	60V	230mA	7,5ohm a 50mA, 5V	2V a 250µA	-	50pF a 25V	310mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
2N7002DW MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 onsemi	41 479 In magazzino	1 : € 0,29000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07450 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	60V	115mA	7,5ohm a 50mA, 5V	2V a 250µA	-	50pF a 25V	200mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88 (SC-70-6)
BSS138BKS,115 MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	323 490 In magazzino	1 : € 0,33000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,06067 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	60V	320mA	1,6ohm a 320m A, 10V	1,6V a 250µA	0,7nC a 4,5V	56pF a 10V	445mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
BSD840NH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 Infineon Technologies	62 390 In magazzino	1 : € 0,33000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,06937 Nastrato in bobina (TR)	OptiMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	20V	880mA	400mohm a 880mA, 2,5V	750mV a 1,6µA	0,26nC a 2,5V	78pF a 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
SIL2308-TP MOSFET N/P-CH 20V 5A/4A SOT23-6L MCC (Micro Commercial Components)	60 191 In magazzino	1 : € 0,34000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07308 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	-	20V	5A, 4A	38mohm a 4,5A, 4,5V, 90mohm a 500mA, 4,5V	1V a 250µA	11nC a 4,5V, 12nC a 2,5V	800pF, 405pF a 8V, 10V	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-6	SOT-23-6L
UM6K33NTN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	650 423 In magazzino	1 : € 0,34000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,06326 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Gate livello logico, comando 1,2V	50V	200mA	2,2ohm a 200mA, 4,5V	1V a 1mA	-	25pF a 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
DMG6602SVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26 Diodes Incorporated	33 062 In magazzino	1 : € 0,35000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,06597 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Gate livello logico, comando 4,5V	30V	3,4 A, 2,8 A	60mohm a 3,1 A, 10V	2,3V a 250µA	13nC a 10V	400pF a 15V	840mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	TSOT-26
UM6K34NTCN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	1 245 In magazzino	1 : € 0,35000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07591 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Gate livello logico, comando 0,9V	50V	200mA	2,2ohm a 200mA, 4,5V	800mV a 1mA	-	26pF a 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
NTJD1155LT1G MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88 onsemi	44 472 In magazzino	1 : € 0,36000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07761 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	-	8V	1,3A	175mohm a 1,2A, 4,5V	1V a 250µA	-	-	400mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
DMG6601LVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26 Diodes Incorporated	2 088 In magazzino	1 : € 0,36000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,06236 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Porta a livello logico	30V	3,8 A, 2,5 A	55mohm a 3,4A, 10V	1,5V a 250µA	12,3nC a 10V	422pF a 15V	850mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	TSOT-26
NVTJD4001NT1G MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88 onsemi	121 314 In magazzino	1 : € 0,37000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,06837 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	-	30V	250mA	1,5ohm a 10mA, 4V	1,5V a 100µA	1,3nC a 5V	33pF a 5V	272mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
SI1034CX-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89 Vishay Siliconix	13 180 In magazzino	1 : € 0,37000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08239 Nastrato in bobina (TR)	TrenchFET®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	20V	610mA (Ta)	396mohm a 500mA, 4,5V	1V a 250µA	2nC a 8V	43pF a 10V	220mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SC-89 (SOT-563F)
NTJD4152PT1G MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88 onsemi	66 074 In magazzino	1 : € 0,38000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07501 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali P (doppio)	Porta a livello logico	20V	880mA	260mohm a 880mA, 4,5V	1,2V a 250µA	2,2nC a 4,5V	155pF a 20V	272mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
NTJD4001NT1G MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88 onsemi	6 665 In magazzino	1 : € 0,38000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08042 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	-	30V	250mA	1,5ohm a 10mA, 4V	1,5V a 100µA	1,3nC a 5V	33pF a 5V	272mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
NTZD3154NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 onsemi	289 482 In magazzino	1 : € 0,40000 Nastro pre-tagliato (CT) 4 000 : € 0,06482 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	-	20V	540mA	550mohm a 540mA, 4,5V	1V a 250µA	2,5nC a 4,5V	150pF a 16V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SOT-563
NTJD4401NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88 onsemi	12 628 In magazzino	1 : € 0,40000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08660 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	20V	630mA	375mohm a 630mA, 4,5V	1,5V a 250µA	3nC a 4,5V	46pF a 20V	270mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
SI1016CX-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 20V SC89 Vishay Siliconix	8 641 In magazzino	1 : € 0,40000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08940 Nastrato in bobina (TR)	TrenchFET®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N e P	Porta a livello logico	20V	-	396mohm a 500mA, 4,5V	1V a 250µA	2nC a 4,5V	43pF a 10V	220mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SC-89 (SOT-563F)
MCM3400A-TP MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN MCC (Micro Commercial Components)	15 009 In magazzino	1 : € 0,40000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08590 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	-	30V	5A	32mohm a 5,8A, 10V	1,5V a 250µA	-	1155pF a 15V	1,4W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-VDFN piazzola esposta	DFN2020-6L
DMN2400UV-7 MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563 Diodes Incorporated	19 482 In magazzino 15 390 000 Fabbrica	1 : € 0,41000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07230 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	20V	1,33A	480mohm a 200mA, 5V	900mV a 250µA	0,5nC a 4,5V	36pF a 16V	530mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SOT-563
IRLHS6376TRPBF MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN Infineon Technologies	109 872 In magazzino	1 : € 0,44000 Nastro pre-tagliato (CT) 4 000 : € 0,14374 Nastrato in bobina (TR)	HEXFET®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	30V	3,6A	63mohm a 3,4A, 4,5V	1,1V a 10µA	2,8nC a 4,5V	270pF a 25V	1,5W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-PowerVDFN	6-PQFN doppio (2x2)
BSS84DW-7-F MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363 Diodes Incorporated	26 732 In magazzino 1 290 000 Fabbrica	1 : € 0,44000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08493 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali P (doppio)	Porta a livello logico	50V	130mA	10ohm a 100mA, 5V	2V a 1mA	-	45pF a 25V	300mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
SI3932DV-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6TSOP Vishay Siliconix	29 296 In magazzino	1 : € 0,45000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,17530 Nastrato in bobina (TR)	TrenchFET®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	2 canali N (doppio)	Porta a livello logico	30V	3,7A	58mohm a 3,4A, 10V	2,2V a 250µA	6nC a 10V	235pF a 15V	1,4W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	6-TSOP

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I transistor a effetto di campo (FET) sono dispositivi elettronici che utilizzano un campo elettrico per controllare il flusso di corrente. L'applicazione di una tensione al terminale gate altera la conducibilità tra il terminale drain e quello source. I FET sono noti anche come transistor unipolari, infatti il loro funzionamento si basa su un singolo tipo di portatore di carica. I FET funzionano utilizzando elettroni o lacune come portatori di carica, ma non entrambi. I transistor a effetto di campo mostrano generalmente un'impedenza d'ingresso molto alta alle basse frequenze.

Array FET, MOSFET

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