JFET

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Codice produttore	Quantità disponibile	Prezzo	Serie	Contenitore	Stato del prodotto	Tipo FET	Tensione - Rottura (V(BR)GSS)	Tensione drain/source (Vdss)	Corrente - Drain (Idss) a Vds (Vgs=0)	Drain di corrente (Id) - Max	Tensione - Soglia (VGS off) a Id	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	Resistenza - RDSon	Potenza - Max	Temperatura di funzionamento	Tipo di montaggio	Contenitore/involucro	Contenitore del fornitore

MMBFJ175LT1G JFET P-CH 30V SOT23-3 onsemi	115 054 In magazzino	1 : € 0,35000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,10049 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	30 V	-	7 mA @ 15 V	-	3 V @ 10 nA	11pF a 10V (VGS)	125 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ112 JFET N-CH 35V SOT23-3 onsemi	48 701 In magazzino	1 : € 0,47000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,10549 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	35 V	-	5 mA @ 15 V	-	1 V @ 1 µA	-	50 Ohms	350 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBFJ177LT1G JFET P-CH 30V SOT23-3 onsemi	35 349 In magazzino	1 : € 0,50000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,14288 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	30 V	-	1.5 mA @ 15 V	-	800 mV @ 10 nA	11pF a 10V (VGS)	300 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBF4117 JFET N-CH 40V SOT23-3 onsemi	12 884 In magazzino	1 : € 0,51000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,14418 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	40 V	-	30 µA @ 10 V	-	600 mV @ 1 nA	3pF a 10V	-	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBFJ176 JFET P-CH 30V SOT23-3 onsemi	62 174 In magazzino	1 : € 0,43000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,15429 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	30 V	-	2 mA @ 15 V	-	1 V @ 10 nA	-	250 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
2SK3320-BL(TE85L,F JFET N-CH USV Toshiba Semiconductor and Storage	72 219 In magazzino	1 : € 0,69000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,26905 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	-	-	6 mA @ 10 V	-	200 mV @ 100 nA	13pF a 10V	-	200 mW	125°C (TJ)	A montaggio superficiale	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	USV
CMPF4393 TR PBFREE JFET N-CH 40V SOT23 Central Semiconductor Corp	10 389 In magazzino	1 : € 1,00000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,42563 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	40 V	40 V	5 mA @ 20 V	-	500 mV @ 1 nA	14pF a 20V	100 Ohms	350 mW	-65°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23
2N4392 PBFREE JFET N-CH 40V TO18 Central Semiconductor Corp	5 291 In magazzino	1 : € 2,78000 Sfuso	-	Sfuso	Attivo	Canale N	40 V	-	25 mA @ 20 V	-	2 V @ 1 nA	14pF a 20V	60 Ohms	1.8 W	-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 contenitore metallico	TO-18
2N4393 PBFREE JFET N-CH 40V TO18 Central Semiconductor Corp	3 166 In magazzino	1 : € 2,82000 Sfuso	-	Sfuso	Attivo	Canale N	40 V	-	5 mA @ 20 V	-	500 mV @ 1 nA	14pF a 20V	100 Ohms	1.8 W	-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 contenitore metallico	TO-18
UF3N170400B7S JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7 Qorvo	4 290 In magazzino	1 : € 8,37000 Nastro pre-tagliato (CT) 800 : € 5,45086 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	1700 V	1700 V	2.2 µA @ 1700 V	6.8 A	-	225pF a 100V	500 mOhms	68 W	-55°C ~ 175°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-263-8, D²Pak (7 conduttori + linguetta), TO-263CA	D2PAK-7
UJ3N120070K3S JFET N-CH 1200V 33.5A TO247-3 Qorvo	5 476 In magazzino	1 : € 14,07000 Tubo	-	Tubo	Attivo	Canale N	1200 V	1200 V	-	33.5 A	-	985pF a 100V	90 mOhms	254 W	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	TO-247-3
UJ3N120035K3S JFET N-CH 1200V 63A TO247-3 Qorvo	1 172 In magazzino	1 : € 25,88000 Tubo	-	Tubo	Attivo	Canale N	1200 V	1200 V	-	63 A	-	2145pF a 100V	45 mOhms	429 W	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	TO-247-3
TF412ST5G JFET N-CH 30V 10MA SOT883 onsemi	52 519 In magazzino	1 : € 0,36000 Nastro pre-tagliato (CT) 8 000 : € 0,09531 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	30 V	30 V	1.2 mA @ 10 V	10 mA	180 mV @ 1 µA	4pF a 10V	-	100 mW	150°C (TJ)	A montaggio superficiale	3-XFDFN	SOT-883 (XDFN3) (1x0,6)
MMBFJ113 JFET N-CH 35V SOT23-3 onsemi	14 572 In magazzino	1 : € 0,43000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,09640 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	35 V	-	2 mA @ 15 V	-	500 mV @ 1 µA	-	100 Ohms	350 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
J111-D74Z JFET N-CH 35V TO92-3 onsemi	24 353 In magazzino	1 : € 0,35000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 000 : € 0,09985 Nastrato in scatola (TB)	-	Nastro pre-tagliato (CT) Nastrato in scatola (TB)	Attivo	Canale N	35 V	-	20 mA @ 15 V	-	3 V @ 1 µA	-	30 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	Conduttori formati TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
MMBFJ202 JFET N-CH 40V SOT23-3 onsemi	10 565 In magazzino	1 : € 0,46000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,10246 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	40 V	-	900 µA @ 20 V	-	800 mV @ 10 nA	-	-	350 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBF4393LT1G JFET N-CH 30V SOT23-3 onsemi	46 299 In magazzino	1 : € 0,46000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,10345 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	30 V	30 V	5 mA @ 15 V	-	500 mV @ 10 nA	14pF a 15V	100 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
BSR57 JFET N-CH 40V SOT23-3 onsemi	25 000 In magazzino	1 : € 0,38000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,10777 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	40 V	-	20 mA @ 15 V	-	2 V @ 0.5 nA	-	40 Ohms	250 mW	150°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
J112-D26Z JFET N-CH 35V TO92-3 onsemi	5 887 In magazzino	1 : € 0,38000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 000 : € 0,10797 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Attivo	Canale N	35 V	-	5 mA @ 15 V	-	1 V @ 1 µA	-	50 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	Conduttori formati TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
J111-D26Z JFET N-CH 35V TO92-3 onsemi	43 042 In magazzino 24 000 Factory	1 : € 0,44000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 000 : € 0,12622 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Attivo	Canale N	35 V	-	20 mA @ 15 V	-	3 V @ 1 µA	-	30 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	Conduttori formati TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
2SK208-R(TE85L,F) JFET N-CH 50V 6.5MA SMINI Toshiba Semiconductor and Storage	36 816 In magazzino	1 : € 0,45000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,12984 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	50 V	-	300 µA @ 10 V	6.5 mA	400 mV @ 100 nA	8,2pF a 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	S-Mini
2SK208-O(TE85L,F) JFET N-CH 50V 6.5MA SC59 Toshiba Semiconductor and Storage	5 980 In magazzino	1 : € 0,45000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,12984 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	50 V	-	600 µA @ 10 V	6.5 mA	400 mV @ 100 nA	8,2pF a 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SC-59
2SK208-Y(TE85L,F) JFET N-CH 50V 6.5MA SMINI Toshiba Semiconductor and Storage	7 805 In magazzino	1 : € 0,45000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,12984 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	50 V	-	1.2 mA @ 10 V	6.5 mA	400 mV @ 100 nA	8,2pF a 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	S-Mini
J113-D74Z JFET N-CH 35V TO92-3 onsemi	91 891 In magazzino 2 000 Factory	1 : € 0,46000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 000 : € 0,13253 Nastrato in scatola (TB)	-	Nastro pre-tagliato (CT) Nastrato in scatola (TB)	Attivo	Canale N	35 V	-	2 mA @ 15 V	-	500 mV @ 1 µA	-	100 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	Conduttori formati TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
2SK879-Y(TE85L,F) JFET N-CH 0.1W USM Toshiba Semiconductor and Storage	24 038 In magazzino	1 : € 0,39000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,13703 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	-	-	1.2 mA @ 10 V	-	400 mV @ 100 nA	8,2pF a 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	A montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	USM

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I transistor a effetto di campo a giunzione (JFET) sono dispositivi utilizzati come interruttori a controllo elettronico, amplificatori o resistori controllati in tensione. Una differenza di potenziale della corretta polarità applicata tra i terminali gate e source aumenta la resistenza al flusso di corrente, il che significa che nel canale tra i terminali source e drain passa meno corrente. Grazie alla carica che attraversa il canale semiconduttivo tra i terminali source e drain, i JFET non hanno bisogno di una corrente di polarizzazione.

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