Transistor - JFET

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Produttore
Central Semiconductor CorpFairchild SemiconductorFreescale SemiconductorHarris CorporationInfineon TechnologiesLinear Integrated Systems, Inc.Microchip TechnologyMicrosemi CorporationNXP USA Inc.onsemiPanasonic Electronic ComponentsRenesas Electronics America IncRohm Semiconductor
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Serie
-*174DFNAutomotive, AEC-Q101J174J175J201LS5911LS844LSJ74ALSJ74CLSK170ALSK170B
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Confezionamento
BustaDigi-Reel®Nastrato in bobina (TR)Nastrato in scatola (TB)Nastro pre-tagliato (CT)ScatolaSfusoStrisciaTuboVassoio
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Stato del prodotto
AttivoFuori produzione presso Digi-KeyNon per nuovi progettiObsoleto
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Tipo FET
2 canale N2 canali N (doppio)-Canale NCanale P
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Tensione - Rottura (V(BR)GSS)
6.5 V15 V20 V22 V25 V30 V35 V40 V50 V60 V650 V1200 V1700 V
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Tensione drain/source (Vdss)
400 mV0.6 V15 V20 V25 V30 V35 V40 V50 V55 V650 V1200 V1700 V
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Corrente - Drain (Idss) a Vds (Vgs=0)
1.4 µA @ 10 V1.5 µA @ 1200 V2.2 µA @ 1700 V3.3 µA @ 1200 V5 µA @ 1200 V30 µA @ 10 V50 µA @ 10 V50 µA @ 20 V60 µA @ 10 V80 µA @ 10 V100 µA @ 2 V
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Drain di corrente (Id) - Max
100 pA250 pA1 mA2 mA5 mA6.5 mA10 mA20 mA25 mA30 mA50 mA6.8 A26 A
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Tensione - Soglia (VGS off) a Id
0 V @ 10 µA100 mV @ 1 µA100 mV @ 10 µA180 mV @ 1 µA200 mV @ 1 µA200 mV @ 100 nA200 mV @ 100 µA300 mV @ 10 nA300 mV @ 100 nA300 mV @ 100 µA400 mV @ 100 nA
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Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
0,03pF a 15V0,7pF a 10V0,8pF a 15V1pF a 10V1,7pF a 10V2,2pF a 15V3pF a 10V3,1pF a 2V3,5pF a 2V3,5pF a 5V4pF a 10V4pF a 15V4,1pF a 5V
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Resistenza - RDSon
17 mOhms33 mOhms45 mOhms55 mOhms70 mOhms90 mOhms95 mOhms100 mOhms500 mOhms3 Ohms5 Ohms
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Potenza - Max
30 mW100 mW125 mW150 mW190 mW200 mW225 mW250 mW300 mW310 mW325 mW
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Temperatura di funzionamento
-65°C ~ 135°C (TJ)-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TA)-65°C ~ 175°C (TJ)-65°C ~ 200°C (TJ)-55°C ~ 125°C (TJ)-55°C ~ 135°C (TJ)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 200°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 125°C (TA)-40°C ~ 125°C (TJ)
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Tipo di montaggio
-A montaggio superficialeForo passante
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Contenitore/involucro
3-SMD, conduttore piatto3-SMD, senza piombo3-SSIP3-XFDFN4-SMD, senza piombo5-SMD, conduttori piatti5-TSSOP, SC-70-5, SOT-3536-TSSOP, SC-88, SOT-3638-SOIC (0,154", 3,90mm di larghezza)8-VFDFN Piazzola esposta-Conduttori formati TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)Corpo lungo TO-226-3, TO-92-3 (conduttori formati)
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Contenitore del fornitore
3-CP3-CPH3-MCPH3-MPAK3-SPA3-UB (3,09x2,45)3-USFP3-VTFP4-SMD5-MCPH6-CPH6-TSSOP8-DFN (2x2)
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Supporti
Opzioni ambientali
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Confronta
Codice produttore
Prezzo
Magazzino
Fornitore
Produttore
Qtà min
Codice DK
Serie
Contenitore
Stato del prodotto
Tipo FET
Tensione - Rottura (V(BR)GSS)
Tensione drain/source (Vdss)
Corrente - Drain (Idss) a Vds (Vgs=0)
Drain di corrente (Id) - Max
Tensione - Soglia (VGS off) a Id
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
Resistenza - RDSon
Potenza - Max
Temperatura di funzionamento
Tipo di montaggio
Contenitore/involucro
Contenitore del fornitore
SC-70, SOT-323 PKG
2SK880-Y(TE85L,F)
JFET N-CH 50V 0.1W USM
€ 0,58000
4.168 - Immediato
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK880-Y(TE85LF)TR-ND
2SK880-Y(TE85LF)CT-ND
2SK880-Y(TE85LF)DKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale N50 V-1.2 mA @ 10 V-1.5 V @ 100 nA13pF a 10V-100 mW125°C (TJ)A montaggio superficialeSC-70, SOT-323USM
TO-206AA TO-18-3
2N4393 PBFREE
JFET N-CH 40V 1.8W TO-18
€ 2,98000
3.850 - Immediato
Central Semiconductor CorpCentral Semiconductor Corp
1
1514-2N4393PBFREE-ND
-
Sfuso
AttivoCanale N40 V-5 mA @ 20 V-500 mV @ 1 nA14pF a 20V100 Ohms1.8 W-65°C ~ 175°C (TJ)Foro passanteTO-206AA, TO-18-3 contenitore metallicoTO-18
SOT-23-3
BSR57
JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23
€ 0,39000
16.406 - Immediato
onsemionsemi
1
BSR57TR-ND
BSR57CT-ND
BSR57DKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale N40 V-20 mA @ 15 V-2 V @ 0.5 nA-40 Ohms250 mW150°C (TJ)A montaggio superficialeTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
TO-92-3 Formed Leads
J111-D74Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
€ 0,41000
20.913 - Immediato
onsemionsemi
1
J111-D74ZCT-ND
J111-D74ZTB-ND
-
Nastro pre-tagliato (CT)
Nastrato in scatola (TB)
AttivoCanale N35 V-20 mA @ 15 V-3 V @ 1 µA-30 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Foro passanteConduttori formati TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92-3
SOT-23-3
2SK208-O(TE85L,F)
JFET N-CH 50V SC59
€ 0,49000
2 - Immediato
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK208-O(TE85LF)TR-ND
2SK208-O(TE85LF)CT-ND
2SK208-O(TE85LF)DKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale N50 V-600 µA @ 10 V6.5 mA400 mV @ 100 nA8,2pF a 10V-100 mW125°C (TJ)A montaggio superficialeTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SC-59
SC-70, SOT-323 PKG
2SK879-GR(TE85L,F)
JFET N-CH 0.1W USM
€ 0,41000
4.280 - Immediato
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK879-GR(TE85LF)TR-ND
2SK879-GR(TE85LF)CT-ND
2SK879-GR(TE85LF)DKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale N--2.6 mA @ 10 V-400 mV @ 100 nA8,2pF a 10V-100 mW125°C (TJ)A montaggio superficialeSC-70, SOT-323USM
TO-92-3 Formed Leads
J113-D74Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92
€ 0,41000
15.386 - Immediato
onsemionsemi
1
J113-D74ZCT-ND
J113-D74ZTB-ND
-
Nastro pre-tagliato (CT)
Nastrato in scatola (TB)
AttivoCanale N35 V-2 mA @ 15 V-500 mV @ 1 µA-100 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Foro passanteConduttori formati TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92-3
SC-74A, SOT-753
2SK2145-BL(TE85L,F
JFET N-CH 50V SMV
€ 0,66000
1.886 - Immediato
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK2145-BL(TE85LFTR-ND
2SK2145-BL(TE85LFCT-ND
2SK2145-BL(TE85LFDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali N (doppio)--6 mA @ 10 V-200 mV @ 100 nA13pF a 10V-300 mW125°C (TJ)A montaggio superficialeSC-74A, SOT-753SMV
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J111
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
€ 0,40000
31.580 - Immediato
onsemionsemi
1
J111FS-ND
-
Sfuso
AttivoCanale N35 V-20 mA @ 15 V-3 V @ 1 µA-30 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Foro passanteTO-226-3, TO-92-3 corpo standard (TO-226AA)TO-92-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J113
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
€ 0,41000
8.424 - Immediato
onsemionsemi
1
J113FS-ND
-
Sfuso
AttivoCanale N35 V-2 mA @ 15 V-500 mV @ 1 µA-100 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Foro passanteTO-226-3, TO-92-3 corpo standard (TO-226AA)TO-92-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J112
JFET N-CH 35V 625MW TO92
€ 0,45000
9.003 - Immediato
onsemionsemi
1
J112FS-ND
-
Sfuso
AttivoCanale N35 V-5 mA @ 15 V-1 V @ 1 µA-50 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Foro passanteTO-226-3, TO-92-3 corpo standard (TO-226AA)TO-92-3
SC70-5
JFE150DCKR
ULTRA-LOW NOISE, LOW GATE CURREN
€ 2,71000
5.641 - Immediato
9.000 - Fabbrica
Texas InstrumentsTexas Instruments
1
296-JFE150DCKRTR-ND
296-JFE150DCKRCT-ND
296-JFE150DCKRDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale N40 V40 V24 mA @ 10 V50 mA-24pF a 5V---40°C ~ 125°C (TA)A montaggio superficiale5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353SC-70-5
TO-206AA TO-18-3
2N4392 PBFREE
JFET N-CH 40V 1.8W TO-18
€ 2,93000
12.728 - Immediato
Central Semiconductor CorpCentral Semiconductor Corp
1
1514-2N4392PBFREE-ND
-
Sfuso
AttivoCanale N40 V-25 mA @ 20 V-2 V @ 1 nA14pF a 20V60 Ohms1.8 W-65°C ~ 175°C (TJ)Foro passanteTO-206AA, TO-18-3 contenitore metallicoTO-18
TO-206AA TO-18-3
2N4858A
JFET N-CH 40V 0.36W TO-18
€ 4,47000
377 - Immediato
Central Semiconductor CorpCentral Semiconductor Corp
1
2N4858A-ND
-
Sfuso
AttivoCanale N40 V-8 mA @ 15 V-800 mV @ 0.5 nA10pF a 10V (VGS)60 Ohms360 mW-65°C ~ 200°C (TJ)Foro passanteTO-206AA, TO-18-3 contenitore metallicoTO-18
UJ3N065080K3S
UJ3N065080K3S
650V 80 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
€ 8,15000
3.566 - Immediato
UnitedSiCUnitedSiC
1
2312-UJ3N065080K3S-ND
-
Tubo
AttivoCanale N650 V650 V-32 A-630pF a 100V95 mOhms190 W-55°C ~ 175°C (TJ)Foro passanteTO-247-3TO-247-3
UJ3N120070K3S
UJ3N120070K3S
1200V 70 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
€ 14,87000
4.915 - Immediato
UnitedSiCUnitedSiC
1
2312-UJ3N120070K3S-ND
-
Tubo
AttivoCanale N1200 V1200 V-33.5 A-985pF a 100V90 mOhms254 W-55°C ~ 175°C (TJ)Foro passanteTO-247-3TO-247-3
UJ3N065025K3S
UJ3N065025K3S
650V 25 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
€ 19,09000
1.469 - Immediato
UnitedSiCUnitedSiC
1
2312-UJ3N065025K3S-ND
-
Tubo
AttivoCanale N650 V650 V-85 A-2360pF a 100V33 mOhms441 W-55°C ~ 175°C (TJ)Foro passanteTO-247-3TO-247-3
UJ3N120035K3S
UJ3N120035K3S
1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
€ 27,33000
1.700 - Immediato
UnitedSiCUnitedSiC
1
2312-UJ3N120035K3S-ND
-
Tubo
AttivoCanale N1200 V1200 V-63 A-2145pF a 100V45 mOhms429 W-55°C ~ 175°C (TJ)Foro passanteTO-247-3TO-247-3
TRANSISTOR
FJZ594JCTF
TRANSISTOR
€ 0,01866
1.271.060 - Immediato
Rochester Electronics, LLCFairchild Semiconductor
15.000
Non in magazzino
2156-FJZ594JCTF-ND
-
Sfuso
ObsoletoCanale N20 V-150 µA @ 5 V1 mA600 mV @ 1 µA3,5pF a 5V-100 mW150°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-623FSOT-623F
TRANSISTOR
FJZ594JBTF
TRANSISTOR
€ 0,01866
687.000 - Immediato
Rochester Electronics, LLCFairchild Semiconductor
15.000
Non in magazzino
2156-FJZ594JBTF-ND
-
Sfuso
ObsoletoCanale N20 V-150 µA @ 5 V1 mA600 mV @ 1 µA3,5pF a 5V-100 mW150°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-623FSOT-623F
DCG010-TL-E
FJX597JHTF
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
€ 0,01866
56.000 - Immediato
Rochester Electronics, LLCFairchild Semiconductor
15.000
Non in magazzino
2156-FJX597JHTF-ND
-
Sfuso
ObsoletoCanale N20 V-150 µA @ 5 V1 mA600 mV @ 1 µA3,5pF a 5V-100 mW150°C (TJ)A montaggio superficialeSC-70, SOT-323SC-70-3 (SOT323)
N CHANNEL SILICON JFET CONDENSER
TF222B-B4-TL-E-ON
N CHANNEL SILICON JFET CONDENSER
€ 0,01866
4.248.000 - Immediato
Rochester Electronics, LLConsemi
15.000
2156-TF222B-B4-TL-E-ON-ND
*
Sfuso
Attivo-------------
N CHANNEL SILICON JFET CONDENSER
TF222B-B4-TL-E
N CHANNEL SILICON JFET CONDENSER
€ 0,01866
64.000 - Immediato
Rochester Electronics, LLCSanyo
15.000
2156-TF222B-B4-TL-E-ND
*
Sfuso
Attivo-------------
N CHANNEL SILICON JFET FOR ELECT
TF218THC-5-TL-H
N CHANNEL SILICON JFET FOR ELECT
€ 0,03731
144.000 - Immediato
Rochester Electronics, LLConsemi
7.212
2156-TF218THC-5-TL-H-ND
*
Sfuso
Attivo-------------
CAT24C02YGE
TF218THC-5-TL-H-SY
N CHANNEL SILICON JFET FOR ELECT
€ 0,03731
40.000 - Immediato
Rochester Electronics, LLCSanyo
7.212
2156-TF218THC-5-TL-H-SY-ND
*
Sfuso
Attivo-------------
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