JFET

Visualizzati

di 1 028

Codice produttore	Quantità disponibile	Prezzo	Serie	Contenitore	Product Status	Tipo FET	Tensione - Rottura (V(BR)GSS)	Tensione drain/source (Vdss)	Corrente - Drain (Idss) a Vds (Vgs=0)	Drain di corrente (Id) - Max	Tensione - Soglia (VGS off) a Id	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	Resistenza - RDSon	Potenza - Max	Temperatura di funzionamento	Tipo di montaggio	Contenitore/involucro	Contenitore del fornitore

MMBFJ175LT1G JFET P-CH 30V 0.225W SOT23-3 onsemi	56 444 In magazzino	1 : € 0,37000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,09928 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	30 V	-	7 mA @ 15 V	-	3 V @ 10 nA	11pF a 10V (VGS)	125 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBF4393LT1G JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3 onsemi	67 171 In magazzino	1 : € 0,38000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,10408 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	30 V	30 V	5 mA @ 15 V	-	500 mV @ 10 nA	14pF a 15V	100 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBF5103 JFET N-CH 40V 0.35W SOT-23 onsemi	80 611 In magazzino	1 : € 0,37000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,10568 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	40 V	-	10 mA @ 15 V	-	1.2 V @ 1 nA	16pF a 15V	-	350 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBFJ111 JFET N-CH 35V 350MW SOT23-3 onsemi	40 920 In magazzino	1 : € 0,41000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,11239 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	35 V	-	20 mA @ 15 V	-	3 V @ 1 µA	-	30 Ohms	350 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
CMPFJ176 TR IC JFET P-CH SOT23-3 Central Semiconductor Corp	55 848 In magazzino	1 : € 0,61000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,25912 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	30 V	-	2 mA @ 15 V	-	1 V @ 10 nA	-	250 Ohms	350 mW	-65°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23
UF3N170400B7S JFET 1700V SIC UnitedSiC	6 035 In magazzino	1 : € 8,27000 Nastro pre-tagliato (CT) 800 : € 5,89836 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	1.7 V	1.7 V	2.2 µA @ 1.7 V	6.8 A	-	225pF a 100V	500 mOhms	68 W	-55°C ~ 175°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-263-8, D²Pak (7 conduttori + linguetta), TO-263CA	D2PAK-7
UJ3N065080K3S 650V 80 MOHM SIC JFET, G3, N-ON, UnitedSiC	1 339 In magazzino	1 : € 8,35000 Tubo	-	Tubo	Attivo	Canale N	650 V	650 V	-	32 A	-	630pF a 100V	95 mOhms	190 W	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	TO-247-3
UJ3N120070K3S 1200V 70 MOHM SIC JFET, G3, N-ON UnitedSiC	5 577 In magazzino	1 : € 15,23000 Tubo	-	Tubo	Attivo	Canale N	1200 V	1200 V	-	33.5 A	-	985pF a 100V	90 mOhms	254 W	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	TO-247-3
UJ3N120035K3S 1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ON UnitedSiC	1 372 In magazzino	1 : € 28,00000 Tubo	-	Tubo	Attivo	Canale N	1200 V	1200 V	-	63 A	-	2145pF a 100V	45 mOhms	429 W	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	TO-247-3
BSR58 JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23 onsemi	8 491 In magazzino	1 : € 0,44000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,09349 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	40 V	-	8 mA @ 15 V	-	800 mV @ 0.5 nA	-	60 Ohms	250 mW	150°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
J111-D74Z JFET N-CH 35V 625MW TO92-3 onsemi	24 651 In magazzino	1 : € 0,40000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 000 : € 0,10968 Nastrato in scatola (TB)	-	Nastro pre-tagliato (CT) Nastrato in scatola (TB)	Attivo	Canale N	35 V	-	20 mA @ 15 V	-	3 V @ 1 µA	-	30 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	Conduttori formati TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
J111-D26Z JFET N-CH 35V 625MW TO92 onsemi	43 088 In magazzino	1 : € 0,49000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 000 : € 0,13430 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Attivo	Canale N	35 V	-	20 mA @ 15 V	-	3 V @ 1 µA	-	30 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	Conduttori formati TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
J113-D74Z JFET N-CH 35V 625MW TO92 onsemi	95 186 In magazzino 10 000 Factory	1 : € 0,40000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 000 : € 0,13667 Nastrato in scatola (TB)	-	Nastro pre-tagliato (CT) Nastrato in scatola (TB)	Attivo	Canale N	35 V	-	2 mA @ 15 V	-	500 mV @ 1 µA	-	100 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	Conduttori formati TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
J176-D74Z JFET P-CH 30V 0.35W TO92 onsemi	11 624 In magazzino	1 : € 0,40000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 000 : € 0,13697 Nastrato in scatola (TB)	-	Nastro pre-tagliato (CT) Nastrato in scatola (TB)	Attivo	Canale P	30 V	-	2 mA @ 15 V	-	1 V @ 10 nA	-	250 Ohms	350 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	Conduttori formati TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
2SK208-R(TE85L,F) JFET N-CH 50V S-MINI Toshiba Semiconductor and Storage	37 635 In magazzino	1 : € 0,45000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,14049 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	50 V	-	300 µA @ 10 V	6.5 mA	400 mV @ 100 nA	8,2pF a 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	S-Mini
2SK208-Y(TE85L,F) JFET N-CH 50V S-MINI Toshiba Semiconductor and Storage	10 948 In magazzino	1 : € 0,45000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,14049 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	50 V	-	1.2 mA @ 10 V	6.5 mA	400 mV @ 100 nA	8,2pF a 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	S-Mini
MMBF4093 JFET N-CH 40V 350MW SOT23-3 onsemi	8 648 In magazzino	1 : € 0,52000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,14293 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	40 V	-	8 mA @ 20 V	-	1 V @ 1 nA	16pF a 20V	80 Ohms	350 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
2SK879-Y(TE85L,F) JFET N-CH 0.1W USM Toshiba Semiconductor and Storage	24 678 In magazzino	1 : € 0,38000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,14827 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	-	-	1.2 mA @ 10 V	-	400 mV @ 100 nA	8,2pF a 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	A montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	USM
2SK879-GR(TE85L,F) JFET N-CH 0.1W USM Toshiba Semiconductor and Storage	2 030 In magazzino	1 : € 0,38000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,14827 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	-	-	2.6 mA @ 10 V	-	400 mV @ 100 nA	8,2pF a 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	A montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	USM
MMBFU310LT1G JFET N-CH 25V 0.225W SOT23-3 onsemi	79 963 In magazzino	1 : € 0,47000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,15800 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	25 V	25 V	24 mA @ 10 V	-	2.5 V @ 1 nA	5pF a 10V (VGS)	-	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
J109-D26Z JFET N-CH 25V 625MW TO92 onsemi	9 047 In magazzino	1 : € 0,50000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 000 : € 0,17287 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Attivo	Canale N	25 V	-	40 mA @ 15 V	-	2 V @ 10 nA	-	12 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	Conduttori formati TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
SMMBF4393LT1G JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3 onsemi	67 869 In magazzino 54 000 Factory	1 : € 0,52000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,17647 Nastrato in bobina (TR)	Automotive, AEC-Q101	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	30 V	30 V	30 mA @ 15 V	-	3 V @ 10 nA	14pF a 15V (VGS)	100 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
J175-D26Z JFET P-CH 30V 0.35W TO92-3 onsemi	12 750 In magazzino 100 000 Factory	1 : € 0,52000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 000 : € 0,17737 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Attivo	Canale P	30 V	-	7 mA @ 15 V	-	3 V @ 10 nA	-	125 Ohms	350 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	Conduttori formati TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
2SK880-BL(TE85L,F) JFET N-CH 50V 0.1W USM Toshiba Semiconductor and Storage	16 764 In magazzino	1 : € 0,54000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,20856 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	50 V	-	6 mA @ 10 V	-	1.5 V @ 100 nA	13pF a 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	A montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	SC-70
2SK880GRTE85LF JFET N-CH 50V 0.1W USM Toshiba Semiconductor and Storage	8 314 In magazzino	1 : € 0,54000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,20856 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	50 V	-	2.6 mA @ 10 V	-	1.5 V @ 100 nA	13pF a 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	A montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	SC-70

Visualizzati

di 1 028

I transistor a effetto di campo a giunzione (JFET) sono dispositivi utilizzati come interruttori a controllo elettronico, amplificatori o resistori controllati in tensione. Una differenza di potenziale della corretta polarità applicata tra i terminali gate e source aumenta la resistenza al flusso di corrente, il che significa che nel canale tra i terminali source e drain passa meno corrente. Grazie alla carica che attraversa il canale semiconduttivo tra i terminali source e drain, i JFET non hanno bisogno di una corrente di polarizzazione.

JFET

JFET

INFORMAZIONI

GUIDA

CONTATTI

SEGUICI