Transistor - JFET | DigiKey - Distributore di componenti elettronici

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Codice produttore	Quantità disponibile	Prezzo	Serie	Contenitore	Stato del prodotto	Tipo FET	Tensione - Rottura (V(BR)GSS)	Tensione drain/source (Vdss)	Corrente - Drain (Idss) a Vds (Vgs=0)	Drain di corrente (Id) - Max	Tensione - Soglia (VGS off) a Id	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	Resistenza - RDSon	Potenza - Max	Temperatura di funzionamento	Tipo di montaggio	Contenitore/involucro	Contenitore del fornitore

MMBFJ175LT1G JFET P-CH 30V 0.225W SOT23-3 onsemi	14.525 In magazzino	1 : € 0,40000 Nastro pre-tagliato (CT) 3.000 : € 0,11377 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	30 V	-	7 mA @ 15 V	-	3 V @ 10 nA	11pF a 10V (VGS)	125 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ177LT1G JFET P-CH 30V 0.225W SOT23-3 onsemi	5.587 In magazzino	1 : € 0,47000 Nastro pre-tagliato (CT) 3.000 : € 0,16883 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	30 V	-	1.5 mA @ 15 V	-	800 mV @ 10 nA	11pF a 10V (VGS)	300 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
CMPF4393 TR PBFREE JFET N-CH 40V 50MA SOT23 Central Semiconductor Corp	15.938 In magazzino	1 : € 1,14000 Nastro pre-tagliato (CT) 3.000 : € 0,48189 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	40 V	40 V	5 mA @ 20 V	-	500 mV @ 1 nA	14pF a 20V	100 Ohms	350 mW	-65°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23
JFE150DCKR ULTRA-LOW NOISE, LOW GATE CURREN Texas Instruments	8.295 In magazzino 9.000 Factory	1 : € 2,94000 Nastro pre-tagliato (CT) 3.000 : € 1,50199 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	40 V	40 V	24 mA @ 10 V	50 mA	-	24pF a 5V	-	-	-40°C ~ 125°C (TA)	A montaggio superficiale	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	SC-70-5
JFE2140DR DUAL, ULTRA-LOW NOISE, LOW GATE Texas Instruments	3.121 In magazzino 10.000 Factory	1 : € 4,65000 Nastro pre-tagliato (CT) 2.500 : € 2,64866 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	2 canali N (doppio)	40 V	40 V	-	50 mA	-	13pF a 5V	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", 3,90mm di larghezza)	8-SOIC
2N4392 PBFREE JFET N-CH 40V 1.8W TO-18 Central Semiconductor Corp	9.271 In magazzino	1 : € 3,17000 Sfuso	-	Sfuso	Attivo	Canale N	40 V	-	25 mA @ 20 V	-	2 V @ 1 nA	14pF a 20V	60 Ohms	1.8 W	-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 contenitore metallico	TO-18
2N4393 PBFREE JFET N-CH 40V 1.8W TO-18 Central Semiconductor Corp	4.463 In magazzino	1 : € 3,23000 Sfuso	-	Sfuso	Attivo	Canale N	40 V	-	5 mA @ 20 V	-	500 mV @ 1 nA	14pF a 20V	100 Ohms	1.8 W	-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 contenitore metallico	TO-18
UJ3N120035K3S 1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ON UnitedSiC	1.532 In magazzino	1 : € 29,58000 Tubo	-	Tubo	Attivo	Canale N	1200 V	1200 V	-	63 A	-	2145pF a 100V	45 mOhms	429 W	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	TO-247-3
MMBF4391LT1G JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3 onsemi	256 In magazzino	1 : € 0,40000 Nastro pre-tagliato (CT) 3.000 : € 0,11377 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	30 V	30 V	50 mA @ 15 V	-	4 V @ 10 nA	14pF a 15V	30 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
J112-D26Z JFET N-CH 35V 625MW TO92-3 onsemi	8.513 In magazzino	1 : € 0,45000 Nastro pre-tagliato (CT) 2.000 : € 0,13026 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Attivo	Canale N	35 V	-	5 mA @ 15 V	-	1 V @ 1 µA	-	50 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	Conduttori formati TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
BSR57 JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23 onsemi	2 In magazzino	1 : € 0,42000 Nastro pre-tagliato (CT) 3.000 : € 0,12202 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	40 V	-	20 mA @ 15 V	-	2 V @ 0.5 nA	-	40 Ohms	250 mW	150°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
SMMBFJ177LT1G TRANS JFET P-CH SOT23 onsemi	3.897 In magazzino	1 : € 0,46000 Nastro pre-tagliato (CT) 3.000 : € 0,13191 Nastrato in bobina (TR)	Automotive, AEC-Q101	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	30 V	-	1.5 mA @ 15 V	-	800 mV @ 10 nA	11pF a 10V (VGS)	300 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
2SK208-Y(TE85L,F) JFET N-CH 50V S-MINI Toshiba Semiconductor and Storage	14.365 In magazzino	1 : € 0,52000 Nastro pre-tagliato (CT) 3.000 : € 0,14840 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	50 V	-	1.2 mA @ 10 V	6.5 mA	400 mV @ 100 nA	8,2pF a 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	S-Mini
J111-D26Z JFET N-CH 35V 625MW TO92 onsemi	44.264 In magazzino 16.000 Factory	1 : € 0,55000 Nastro pre-tagliato (CT) 2.000 : € 0,15390 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Attivo	Canale N	35 V	-	20 mA @ 15 V	-	3 V @ 1 µA	-	30 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	Conduttori formati TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
2SK879-GR(TE85L,F) JFET N-CH 0.1W USM Toshiba Semiconductor and Storage	7.130 In magazzino	1 : € 0,44000 Nastro pre-tagliato (CT) 3.000 : € 0,15661 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	-	-	2.6 mA @ 10 V	-	400 mV @ 100 nA	8,2pF a 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	A montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	USM
2SK879-Y(TE85L,F) JFET N-CH 0.1W USM Toshiba Semiconductor and Storage	37.038 In magazzino	1 : € 0,44000 Nastro pre-tagliato (CT) 3.000 : € 0,15661 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	-	-	1.2 mA @ 10 V	-	400 mV @ 100 nA	8,2pF a 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	A montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	USM
J113-D74Z JFET N-CH 35V 625MW TO92 onsemi	14.690 In magazzino	1 : € 0,44000 Nastro pre-tagliato (CT) 2.000 : € 0,15662 Nastrato in scatola (TB)	-	Nastro pre-tagliato (CT) Nastrato in scatola (TB)	Attivo	Canale N	35 V	-	2 mA @ 15 V	-	500 mV @ 1 µA	-	100 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	Conduttori formati TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
2SK208-R(TE85L,F) JFET N-CH 50V S-MINI Toshiba Semiconductor and Storage	38.580 In magazzino	1 : € 0,52000 Nastro pre-tagliato (CT) 3.000 : € 0,14840 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	50 V	-	300 µA @ 10 V	6.5 mA	400 mV @ 100 nA	8,2pF a 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	S-Mini
J112-D74Z JFET N-CH 35V 625MW TO92 onsemi	12.973 In magazzino	1 : € 0,48000 Nastro pre-tagliato (CT) 2.000 : € 0,17004 Nastrato in scatola (TB)	-	Nastro pre-tagliato (CT) Nastrato in scatola (TB)	Attivo	Canale N	35 V	-	5 mA @ 15 V	-	1 V @ 1 µA	-	50 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	Conduttori formati TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
MMBFU310LT1G JFET N-CH 25V 0.225W SOT23-3 onsemi	65.079 In magazzino	1 : € 0,51000 Nastro pre-tagliato (CT) 3.000 : € 0,18105 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	25 V	25 V	24 mA @ 10 V	-	2.5 V @ 1 nA	5pF a 10V (VGS)	-	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
J175-D26Z JFET P-CH 30V 0.35W TO92-3 onsemi	5.000 In magazzino 112.000 Factory	1 : € 0,58000 Nastro pre-tagliato (CT) 2.000 : € 0,20326 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Attivo	Canale P	30 V	-	7 mA @ 15 V	-	3 V @ 10 nA	-	125 Ohms	350 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	Conduttori formati TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
SMMBF4393LT1G JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3 onsemi	23.860 In magazzino	1 : € 0,58000 Nastro pre-tagliato (CT) 3.000 : € 0,20222 Nastrato in bobina (TR)	Automotive, AEC-Q101	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	30 V	30 V	30 mA @ 15 V	-	3 V @ 10 nA	14pF a 15V (VGS)	100 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
2SK880-BL(TE85L,F) JFET N-CH 50V 0.1W USM Toshiba Semiconductor and Storage	16.957 In magazzino	1 : € 0,63000 Nastro pre-tagliato (CT) 3.000 : € 0,22029 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	50 V	-	6 mA @ 10 V	-	1.5 V @ 100 nA	13pF a 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	A montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	SC-70
2SK932-24-TB-E JFET N-CH 50MA 200MW CP onsemi	0 In magazzino	1 : € 0,63000 Nastro pre-tagliato (CT) 3.000 : € 0,22115 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	-	15 V	14.5 mA @ 5 V	50 mA	200 mV @ 100 µA	-	-	200 mW	150°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SMCP
2SK2145-BL(TE85L,F JFET N-CH 50V SMV Toshiba Semiconductor and Storage	18.737 In magazzino	1 : € 0,72000 Nastro pre-tagliato (CT) 3.000 : € 0,27853 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	2 canali N (doppio)	-	-	6 mA @ 10 V	-	200 mV @ 100 nA	13pF a 10V	-	300 mW	125°C (TJ)	A montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	SMV

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Transistor - JFET

I transistor a effetto di campo a giunzione (JFET) sono dispositivi utilizzati come interruttori a controllo elettronico, amplificatori o resistori controllati in tensione. Una differenza di potenziale della corretta polarità applicata tra i terminali gate e source aumenta la resistenza al flusso di corrente, il che significa che nel canale tra i terminali source e drain passa meno corrente. Grazie alla carica che attraversa il canale semiconduttivo tra i terminali source e drain, i JFET non hanno bisogno di una corrente di polarizzazione.

Transistor - JFET

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