Transistor - JFET

Risultati : 706
Produttore
Central Semiconductor CorpInfineon TechnologiesLinear SystemsMicrochip TechnologyMicrosemi CorporationNXP USA Inc.onsemiPanasonic Electronic ComponentsRenesas Electronics America IncRohm SemiconductorTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and StorageUnitedSiC
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Serie
-*Automotive, AEC-Q101Military, MIL-PRF-19500Military, MIL-PRF-19500/295Military, MIL-PRF-19500/375Military, MIL-PRF-19500/385Military, MIL-PRF-19500/431
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Confezionamento
BustaDigi-Reel®Nastrato in bobina (TR)Nastrato in scatola (TB)Nastro pre-tagliato (CT)ScatolaSfusoTuboVassoio
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Stato componente
AttivoData di acquisto finaleFuori produzione presso Digi-KeyObsoleto
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Tipo FET
2 canali N (doppio)-Canale NCanale P
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Tensione - Rottura (V(BR)GSS)
15 V20 V22 V25 V30 V35 V40 V50 V650 V1200 V
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Tensione drain/source (Vdss)
0.6 V15 V20 V25 V30 V35 V40 V50 V55 V650 V1200 V
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Corrente - Drain (Idss) a Vds (Vgs=0)
1.4 µA @ 10 V1.5 µA @ 1200 V3.3 µA @ 1200 V5 µA @ 1200 V30 µA @ 10 V50 µA @ 10 V50 µA @ 20 V60 µA @ 10 V80 µA @ 10 V100 µA @ 2 V100 µA @ 5 V
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Drain di corrente (Id) - Max
100 pA250 pA1 mA2 mA5 mA6.5 mA10 mA20 mA30 mA50 mA26 A32 A33.5 A
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Tensione - Soglia (VGS off) a Id
0 V @ 10 µA100 mV @ 1 µA100 mV @ 10 µA180 mV @ 1 µA200 mV @ 1 µA200 mV @ 100 nA200 mV @ 100 µA300 mV @ 10 nA300 mV @ 100 nA300 mV @ 100 µA400 mV @ 100 nA
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Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
0,7pF a 10V1pF a 10V1,7pF a 10V2,2pF a 15V3pF a 10V3,1pF a 2V3,5pF a 2V3,5pF a 5V4pF a 10V4pF a 15V4,1pF a 5V4,5pF a 15V4,9pF a 5V
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Resistenza - RDSon
33 mOhms45 mOhms55 mOhms70 mOhms90 mOhms95 mOhms100 mOhms3 Ohms5 Ohms6 Ohms7 Ohms
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Potenza - Max
30 mW100 mW125 mW150 mW190 mW200 mW225 mW250 mW300 mW310 mW325 mW
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Temperatura di funzionamento
-65°C ~ 135°C (TJ)-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-65°C ~ 200°C (TJ)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 200°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 125°C (TA)-40°C ~ 125°C (TJ)-40°C ~ 85°C (TA)-20°C ~ 80°C (TA)125°C (TJ)
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Tipo di montaggio
-A montaggio superficialeForo passante
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Contenitore/involucro
3-SMD, conduttore piatto3-SMD, senza piombo3-SSIP3-XFDFN4-SMD, senza piombo5-SMD, conduttori piatti5-TSSOP, SC-70-5, SOT-3536-TSSOP, SC-88, SOT-3638-SOIC (0,154", 3,90mm di larghezza)-Conduttori formati TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)Corpo lungo TO-226-3, TO-92-3 (conduttori formati)Corpo lungo TO-226-3, TO-92-3
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Contenitore del fornitore
3-CP3-CPH3-MCPH3-MPAK3-SPA3-UB (3,09x2,45)3-USFP3-VTFP4-SMD5-MCPH6-CPH6-TSSOP8-SOIC
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Opzioni di magazzino
Supporti
Opzioni ambientali
PRODOTTI MARKETPLACE
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Confronta
Codice produttore
Prezzo
Magazzino
Fornitore
Produttore
Qtà min
Codice DK
Serie
Contenitore
Stato componente
Tipo FET
Tensione - Rottura (V(BR)GSS)
Tensione drain/source (Vdss)
Corrente - Drain (Idss) a Vds (Vgs=0)
Drain di corrente (Id) - Max
Tensione - Soglia (VGS off) a Id
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
Resistenza - RDSon
Potenza - Max
Temperatura di funzionamento
Tipo di montaggio
Contenitore/involucro
Contenitore del fornitore
SOT-23-3
MMBFJ112
JFET N-CH 35V 0.35W SOT-23
€ 0,37000
2.748 - Immediato
onsemionsemi
1
MMBFJ112TR-ND
MMBFJ112CT-ND
MMBFJ112DKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale N35 V-5 mA @ 15 V-1 V @ 1 µA-50 Ohms350 mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
SOT-23-3
MMBFJ201
JFET N-CH 40V 350MW SOT23
€ 0,44000
8.591 - Immediato
onsemionsemi
1
MMBFJ201TR-ND
MMBFJ201CT-ND
MMBFJ201DKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale N40 V-200 µA @ 20 V-300 mV @ 10 nA--350 mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
SOT-23-3
MMBF4117
JFET N-CH 40V 0.225W SOT23
€ 0,47000
12.043 - Immediato
onsemionsemi
1
MMBF4117TR-ND
MMBF4117CT-ND
MMBF4117DKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale N40 V-30 µA @ 10 V-600 mV @ 1 nA3pF a 10V-225 mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
SC-70, SOT-323 PKG
2SK880-Y(TE85L,F)
JFET N-CH 50V 0.1W USM
€ 0,55000
17.550 - Immediato
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK880-Y(TE85LF)TR-ND
2SK880-Y(TE85LF)CT-ND
2SK880-Y(TE85LF)DKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale N50 V-1.2 mA @ 10 V-1.5 V @ 100 nA13pF a 10V-100 mW125°C (TJ)A montaggio superficialeSC-70, SOT-323USM
TO-206AA TO-18-3
2N4392 PBFREE
JFET N-CH 40V 1.8W TO-18
€ 2,79000
14.778 - Immediato
Central Semiconductor CorpCentral Semiconductor Corp
1
1514-2N4392PBFREE-ND
-
Sfuso
AttivoCanale N40 V-25 mA @ 20 V-2 V @ 1 nA14pF a 20V60 Ohms1.8 W-65°C ~ 175°C (TJ)Foro passanteTO-206AA, TO-18-3 contenitore metallicoTO-18
TO-206AA TO-18-3
2N4393 PBFREE
JFET N-CH 40V 1.8W TO-18
€ 2,84000
399 - Immediato
Central Semiconductor CorpCentral Semiconductor Corp
1
1514-2N4393PBFREE-ND
-
Sfuso
AttivoCanale N40 V-5 mA @ 20 V-500 mV @ 1 nA14pF a 20V100 Ohms1.8 W-65°C ~ 175°C (TJ)Foro passanteTO-206AA, TO-18-3 contenitore metallicoTO-18
TO-92-3 Formed Leads
J111-D26Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92
€ 0,45000
21.266 - Immediato
54.000 - Fabbrica
onsemionsemi
1
J111-D26ZTR-ND
J111-D26ZCT-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
AttivoCanale N35 V-20 mA @ 15 V-3 V @ 1 µA-30 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Foro passanteConduttori formati TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92-3
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
MMBF4392LT1G
JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
€ 0,38000
17.284 - Immediato
onsemionsemi
1
MMBF4392LT1GOSTR-ND
MMBF4392LT1GOSCT-ND
MMBF4392LT1GOSDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale N30 V30 V25 mA @ 15 V-2 V @ 10 nA14pF a 15V60 Ohms225 mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
TO-92-3 Formed Leads
J113-D74Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92
€ 0,38000
18.372 - Immediato
onsemionsemi
1
J113-D74ZCT-ND
J113-D74ZTB-ND
-
Nastro pre-tagliato (CT)
Nastrato in scatola (TB)
AttivoCanale N35 V-2 mA @ 15 V-500 mV @ 1 µA-100 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Foro passanteConduttori formati TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92-3
SC-70, SOT-323 PKG
2SK879-Y(TE85L,F)
JFET N-CH 0.1W USM
€ 0,39000
8.346 - Immediato
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK879-Y(TE85LF)TR-ND
2SK879-Y(TE85LF)CT-ND
2SK879-Y(TE85LF)DKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale N--1.2 mA @ 10 V-400 mV @ 100 nA8,2pF a 10V-100 mW125°C (TJ)A montaggio superficialeSC-70, SOT-323USM
TO-92-3 Formed Leads
J109-D26Z
JFET N-CH 25V 625MW TO92
€ 0,49000
3.431 - Immediato
onsemionsemi
1
J109-D26ZTR-ND
J109-D26ZCT-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
AttivoCanale N25 V-40 mA @ 15 V-2 V @ 10 nA-12 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Foro passanteConduttori formati TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92-3
SC-70, SOT-323 PKG
2SK880-BL(TE85L,F)
JFET N-CH 50V 0.1W USM
€ 0,55000
3.965 - Immediato
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK880-BL(TE85LF)TR-ND
2SK880-BL(TE85LF)CT-ND
2SK880-BL(TE85LF)DKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale N50 V-6 mA @ 10 V-1.5 V @ 100 nA13pF a 10V-100 mW125°C (TJ)A montaggio superficialeSC-70, SOT-323SC-70
SOT-23-3
NSVJ3910SB3T1G
IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
€ 0,55000
6.572 - Immediato
onsemionsemi
1
NSVJ3910SB3T1GOSTR-ND
NSVJ3910SB3T1GOSCT-ND
NSVJ3910SB3T1GOSDKR-ND
Automotive, AEC-Q101
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale N25 V25 V20 mA @ 5 V50 mA600 mV @ 100 µA6pF a 5V-400 mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeTO-236-3, SC-59, SOT-23-33-CPH
SC-74A, SOT-753
2SK2145-Y(TE85L,F)
MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV
€ 0,63000
4.709 - Immediato
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK2145-Y(TE85LF)TR-ND
2SK2145-Y(TE85LF)CT-ND
2SK2145-Y(TE85LF)DKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali N (doppio)--1.2 mA @ 10 V-200 mV @ 100 nA13pF a 10V-300 mW125°C (TJ)A montaggio superficialeSC-74A, SOT-753SMV
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J113
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
€ 0,38000
5.285 - Immediato
onsemionsemi
1
J113FS-ND
-
Sfuso
AttivoCanale N35 V-2 mA @ 15 V-500 mV @ 1 µA-100 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Foro passanteTO-226-3, TO-92-3 corpo standard (TO-226AA)TO-92-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J112
JFET N-CH 35V 625MW TO92
€ 0,42000
8.495 - Immediato
onsemionsemi
1
J112FS-ND
-
Sfuso
AttivoCanale N35 V-5 mA @ 15 V-1 V @ 1 µA-50 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Foro passanteTO-226-3, TO-92-3 corpo standard (TO-226AA)TO-92-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J109
JFET N-CH 25V 625MW TO92
€ 0,43000
6.391 - Immediato
onsemionsemi
1
J109FS-ND
-
Sfuso
AttivoCanale N25 V-40 mA @ 15 V-2 V @ 10 nA-12 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Foro passanteTO-226-3, TO-92-3 corpo standard (TO-226AA)TO-92-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J111
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
€ 0,44000
38.748 - Immediato
50.000 - Fabbrica
onsemionsemi
1
J111FS-ND
-
Sfuso
AttivoCanale N35 V-20 mA @ 15 V-3 V @ 1 µA-30 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Foro passanteTO-226-3, TO-92-3 corpo standard (TO-226AA)TO-92-3
TO-206AA TO-18-3
2N4858A
JFET N-CH 40V 0.36W TO-18
€ 3,91000
112 - Immediato
Central Semiconductor CorpCentral Semiconductor Corp
1
2N4858A-ND
-
Sfuso
AttivoCanale N40 V-8 mA @ 15 V-800 mV @ 0.5 nA10pF a 10V (VGS)60 Ohms360 mW-65°C ~ 200°C (TJ)Foro passanteTO-206AA, TO-18-3 contenitore metallicoTO-18
SC-70, SOT-323 PKG
2SK879-GR(TE85L,F)
JFET N-CH 0.1W USM
€ 0,39000
5.559 - Immediato
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK879-GR(TE85LF)TR-ND
2SK879-GR(TE85LF)CT-ND
2SK879-GR(TE85LF)DKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale N--2.6 mA @ 10 V-400 mV @ 100 nA8,2pF a 10V-100 mW125°C (TJ)A montaggio superficialeSC-70, SOT-323USM
1200V/65MOHM, SIC, N-ON JFET, G3
UJ3N120065K3S
1200V/65MOHM, SIC, N-ON JFET, G3
€ 13,35000
569 - Immediato
UnitedSiCUnitedSiC
1
2312-UJ3N120065K3S-ND
-
Tubo
AttivoCanale N1200 V1200 V5 µA @ 1200 V34 A-1008pF a 100V55 mOhms254 W-55°C ~ 175°C (TJ)Foro passanteTO-247-3TO-247-3
UJ3N065025K3S
UJ3N065025K3S
650V 25 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
€ 15,81000
404 - Immediato
UnitedSiCUnitedSiC
1
2312-UJ3N065025K3S-ND
-
Tubo
AttivoCanale N650 V650 V-85 A-2360pF a 100V33 mOhms441 W-55°C ~ 175°C (TJ)Foro passanteTO-247-3TO-247-3
TO-92-3 Formed Leads
J112-D26Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
€ 0,36000
1.614 - Immediato
onsemionsemi
1
J112-D26ZTR-ND
J112-D26ZCT-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
AttivoCanale N35 V-5 mA @ 15 V-1 V @ 1 µA-50 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Foro passanteConduttori formati TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92-3
TO-92-3 Formed Leads
J112-D74Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92
€ 0,38000
3.592 - Immediato
onsemionsemi
1
J112-D74ZCT-ND
J112-D74ZTB-ND
-
Nastro pre-tagliato (CT)
Nastrato in scatola (TB)
AttivoCanale N35 V-5 mA @ 15 V-1 V @ 1 µA-50 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Foro passanteConduttori formati TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92-3
TO-92-3 Formed Leads
J175-D26Z
JFET P-CH 30V 0.35W TO92-3
€ 0,40000
1.974 - Immediato
onsemionsemi
1
J175-D26ZTR-ND
J175-D26ZCT-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
AttivoCanale P30 V-7 mA @ 15 V-3 V @ 10 nA-125 Ohms350 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Foro passanteConduttori formati TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92-3
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