Transistor - FET, MOSFET - Array

Risultati : 4.271
Produttore
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedEPCGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSMicro Commercial CoMicrochip TechnologyMicrosemi Corporation
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Serie
-*AlphaMOSAutomotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, HEXFET®Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®Automotive, AEC-Q101, STripFET™Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, STripFET™ IIAutomotive, AEC-Q101, STripFET™ III
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Confezionamento
-Digi-Reel®Nastrato in bobina (TR)Nastro pre-tagliato (CT)ScatolaSfusoTuboVassoio
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Stato componente
AttivoData di acquisto finaleFuori produzione presso Digi-KeyNon per nuovi progettiObsoleto
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Tipo FET
2 a canale N e 2 a canale P (ponte H)2 a canale N e 2 a canale P2 canale N (stadio di fase)2 canale N2 canali N (doppio chopper in discesa)2 canali N (doppio)2 canali N (doppio), schottky2 canali N (semiponte)2 canali P (doppio)Asimmetrico a 2 canali N (duale)Canale 2 N (cascode)Coppia abbinata (doppia) a 2 canali NCoppia abbinata (doppia) a 2 canali P
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Funzione FET
-Carburo di silicio (SiC)GaNFET (nitruro di gallio)Gate livello logico, comando 0,9VGate livello logico, comando 1,2VGate livello logico, comando 1,5VGate livello logico, comando 1,8VGate livello logico, comando 2,5VGate livello logico, comando 4,5VGate livello logico, comando 4VGate livello logico, comando 5VModalità di svuotamentoPorta a livello logico
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Tensione drain/source (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V15V16V20V20V, 12V20V, 8V22V24V
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Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA80mA100mA (Ta)100mA100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)115mA115mA, 130mA120mA
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RDSon (max) a Id, Vgs
0,8mohm a 1200A, 10V0,95mohm a 30A, 10V0,95mohm a 8A, 4,5V1mohm a 38A, 10V1,25mohm a 35A, 10V1,3mohm a 100A, 10V1,5mohm a 33A, 10V1,6mohm a 10A, 4,5V1,6mohm a 40A, 10V1,66mohm a 80A, 10V1,73mohm a 760A, 15V1,8mohm a 5A, 4,5V1,9mohm a 8A, 4,5V
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Vgs(th) max a Id
10mV a 10µA10mV a 1µA10mV a 20µA20mV a 10µA20mV a 1µA20mV a 20µA180mV a 1µA220mV a 1µA360mV a 1µA380mV a 1µA400mV a 250µA (min)420mV a 1µA450mV a 100µA (min)
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Carica del gate (Qg) max a Vgs
0,1pC a 4,5V, 0,7pC a 4,5V0,4pC a 4,5V, 7,3nC a 4,5V0,45 pC a 4,5V0,16nC a 5V, 0,044nC a 5V0,22nC a 5V, 0,044nC a 5V0,26nC a 2,5V0,3nC a 4,5V0,304nC a 4,5V0,31nC a 4,5V0,32nC a 4,5V0,34nC a 4,5V0,35nC a 4,5V0,35nC a 5V
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Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2,5pF a 5V3pF a 5V6pF a 3V6,2pF a 10V6,6pF a 10V7pF a 10V7pF a 3V7,1pF a 10V7,4pF a 10V7,5pF a 10V8,5pF a 3V9pF a 15V9,1pF a 3V
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Potenza - Max
10mW20mW (Tc)20mW50mW120mW125mW (Ta)125mW140mW150mW (Ta)150mW180mW200mW (Ta)200mW
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Temperatura di funzionamento
-65°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TA)-55°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 175°C-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 125°C (TJ)-40°C ~ 125°C (Tc)-40°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo di montaggio
-A montaggio superficialeForo passanteMontaggio su telaioMontaggio superficiale, fianchi impregnabili
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Contenitore/involucro
4-SMD, senza piombo4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-VDFN4-VFDFN Piazzola esposta4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA4-XFBGA, WLCSP4-XFLGA4-XFLGA, CSP5-LGA
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Contenitore del fornitore
4-AlphaDFN (0.97x0.97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-BGA (1x1)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)4-EFCP (1,01x1,01)4-EFLIP-LGA (1,11x1,11)4-EFLIP-LGA (1,4x1,4)4-EFLIP-LGA (1,62x1,62)4-Picostar (1,31x1,31)4-QFN (2x2)4-WLCSP (1,26x1,26)4-WLCSP (1,57x1,57)
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Opzioni di magazzino
Supporti
Opzioni ambientali
PRODOTTI MARKETPLACE
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Confronta
Codice produttore
Prezzo
Magazzino
Fornitore
Produttore
Qtà min
Codice DK
Serie
Contenitore
Stato componente
Tipo FET
Funzione FET
Tensione drain/source (Vdss)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
RDSon (max) a Id, Vgs
Vgs(th) max a Id
Carica del gate (Qg) max a Vgs
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
Potenza - Max
Temperatura di funzionamento
Tipo di montaggio
Contenitore/involucro
Contenitore del fornitore
eGaN Series
EPC2106
GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
€ 1,62000
40.419 - Immediato
EPCEPC
1
917-1110-2-ND
917-1110-1-ND
917-1110-6-ND
eGaN®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali N (semiponte)GaNFET (nitruro di gallio)100V1,7A70mohm a 2A, 5V2,5V a 600µA0,73nC a 5V75pF a 50V--40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
SOT363
BSS84AKS,115
MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
€ 0,36000
10.741 - Immediato
Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.
1
1727-6480-2-ND
1727-6480-1-ND
1727-6480-6-ND
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali P (doppio)Porta a livello logico50V160mA7,5Ohm a 100mA, 10V2,1V a 250µA0,35nC a 5V36pF a 25V445mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT666
NX3020NAKV,115
MOSFET 2N-CH 30V 200MA SOT666
€ 0,39000
0 - Immediato
Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.
1
1727-1287-2-ND
1727-1287-1-ND
1727-1287-6-ND
2156-NX3020NAKV,115-NEX-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Sfuso
Attivo2 canali N (doppio)Porta a livello logico30V200mA4,5Ohm a 100mA, 10V1,5V a 250µA0,44nC a 4,5V13pF a 10V375mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-563, SOT-666SOT-666
SOT-353
DMN32D2LDF-7
MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353
€ 0,36000
92.800 - Immediato
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMN32D2LDF-7DITR-ND
DMN32D2LDF-7DICT-ND
DMN32D2LDF-7DIDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoSorgente comune (doppia)a 2 canali NPorta a livello logico30V400mA1,2Ohm a 100mA, 4V1,2V a 250µA-39pF a 3V280mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353SOT-353
8-SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
€ 0,36000
114.442 - Immediato
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMP3085LSD-13DITR-ND
DMP3085LSD-13DICT-ND
DMP3085LSD-13DIDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali P (doppio)Porta a livello logico30V3,9A70mohm a 5,3A, 10V3V a 250µA11nC a 10V563pF a 25V1,1W-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale8-SOIC (0,154", 3,90mm di larghezza)8-SO
SOT-963
DMC31D5UDJ-7
MOSFET N/P-CH 30V SOT963
€ 0,41000
5.401 - Immediato
920.000 - Fabbrica
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMC31D5UDJ-7DITR-ND
DMC31D5UDJ-7DICT-ND
DMC31D5UDJ-7DIDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale N e PPorta a livello logico30V220mA, 200mA1,5Ohm a 100mA, 4,5V1V a 250µA0,38nC a 4,5V22,6pF a 15V350mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-963SOT-963
U-DFN2020-6
DMN1029UFDB-7
MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
€ 0,44000
56.949 - Immediato
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMN1029UFDB-7DITR-ND
DMN1029UFDB-7DICT-ND
DMN1029UFDB-7DIDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali N (doppio)Standard12V5,6A29mohm a 5A, 4,5V1V a 250µA19,6nC a 8V914pF a 6V1,4W-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale6-UDFN Piazzola espostaU-DFN2020-6 (Tipo B)
Pkg 5880
SI1016X-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V SC89-6
€ 0,43000
6.837 - Immediato
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SI1016X-T1-GE3TR-ND
SI1016X-T1-GE3CT-ND
SI1016X-T1-GE3DKR-ND
TrenchFET®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale N e PPorta a livello logico20V485mA, 370mA700mohm a 600mA, 4,5V1V a 250µA0,75nC a 4,5V-250mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-563, SOT-666SC-89 (SOT-563F)
8-SO
DMG9926USD-13
MOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L
€ 0,45000
32.871 - Immediato
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMG9926USD-13DITR-ND
DMG9926USD-13DICT-ND
DMG9926USD-13DIDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali N (doppio)Porta a livello logico20V8A24mohm a 8,2A, 4,5V900mV a 250µA8,8nC a 4,5V867pF a 15V1.3W-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale8-SOIC (0,154", 3,90mm di larghezza)8-SO
Pkg 5880
SI1025X-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89
€ 0,47000
12.245 - Immediato
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SI1025X-T1-GE3TR-ND
SI1025X-T1-GE3CT-ND
SI1025X-T1-GE3DKR-ND
TrenchFET®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali P (doppio)Porta a livello logico60V190mA4Ohm a 500mA, 10V3V a 250µA1,7nC a 15V23pF a 25V250mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-563, SOT-666SC-89 (SOT-563F)
TSOT-23-6, TSOT-6
SQ3989EV-T1_GE3
MOSFET 2 P-CH 30V 2.5A 6TSOP
€ 0,51000
975 - Immediato
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SQ3989EV-T1_GE3TR-ND
SQ3989EV-T1_GE3CT-ND
SQ3989EV-T1_GE3DKR-ND
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali P (doppio)Standard30V2,5 A (Tc)155mohm a 400mA, 10V1,5V a 250µA11,1nC a 10V-1,67W-55°C ~ 175°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-23-6 Thin, TSOT-23-66-TSOP
SC-70-6
SI1900DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
€ 0,56000
22.370 - Immediato
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SI1900DL-T1-E3TR-ND
SI1900DL-T1-E3CT-ND
SI1900DL-T1-E3DKR-ND
TrenchFET®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali N (doppio)Porta a livello logico30V590mA480mohm a 590mA, 10V3V a 250µA1,4nC a 10V-270mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
SOT-963
NTUD3174NZT5G
MOSFET 2N-CH 20V 220MA SOT963
€ 0,60000
52.649 - Immediato
onsemionsemi
1
NTUD3174NZT5GOSTR-ND
NTUD3174NZT5GOSCT-ND
NTUD3174NZT5GOSDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali N (doppio)Standard20V220mA (Ta)1,5Ohm a 100mA, 4,5V1V a 100µA-12,5pF a 15V125mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-963SOT-963
8-SOIC
AO4840
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC
€ 0,66000
21.592 - Immediato
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1
785-1063-2-ND
785-1063-1-ND
785-1063-6-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Non per nuovi progetti2 canali N (doppio)Porta a livello logico40V6A30mohm a 6A, 10V3V a 250µA10,8nC a 10V650pF a 20V2W-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale8-SOIC (0,154", 3,90mm di larghezza)8-SOIC
8-TSSOP 8-MSOP
IRF7507TRPBF
MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8
€ 0,68000
72.537 - Immediato
Infineon TechnologiesInfineon Technologies
1
IRF7507TRPBFTR-ND
IRF7507TRPBFCT-ND
IRF7507TRPBFDKR-ND
HEXFET®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale N e PPorta a livello logico20V2,4 A, 1,7 A140mohm a 1,7A, 4,5V700mV a 250µA8nC a 4,5V260pF a 15V1,25W-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", 3,00mm di larghezza)Micro8™
8-SOIC
AO4612
MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
€ 0,83000
1 - Immediato
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1
785-1041-2-ND
785-1041-1-ND
785-1041-6-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale N e PPorta a livello logico60V4,5 A, 3,2 A56mohm a 4,5A, 10V3V a 250µA10,5nC a 10V540pF a 30V2W-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale8-SOIC (0,154", 3,90mm di larghezza)8-SOIC
8-SOIC
AO4805
MOSFET 2P-CH 30V 9A 8-SOIC
€ 0,86000
20.240 - Immediato
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1
785-1055-2-ND
785-1055-1-ND
785-1055-6-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali P (doppio)Porta a livello logico30V9A19mohm a 8A, 10V2,8V a 250µA39nC a 10V2600pF a 15V2W-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale8-SOIC (0,154", 3,90mm di larghezza)8-SOIC
FDMAxxxxxZ
FDMA1023PZ
MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
€ 0,79000
1.085 - Immediato
onsemionsemi
1
FDMA1023PZTR-ND
FDMA1023PZCT-ND
FDMA1023PZDKR-ND
PowerTrench®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali P (doppio)Porta a livello logico20V3,7A72mohm a 3,7A, 4,5V1,5V a 250µA12nC a 4,5V655pF a 10V700mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale6-VDFN Piazzola esposta6-MicroFET (2x2)
PowerPAK® 1212-8 Dual
SI7232DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212-8
€ 0,84000
11.197 - Immediato
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SI7232DN-T1-GE3TR-ND
SI7232DN-T1-GE3CT-ND
SI7232DN-T1-GE3DKR-ND
TrenchFET®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali N (doppio)Porta a livello logico20V25A16,4mohm a 10A, 4,5V1V a 250µA32nC a 8V1220pF a 10V23W-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialePowerPAK® 1212-8 doppioPowerPAK® 1212-8 doppio
8-SOIC
AO4813
MOSFET 2P-CH 30V 7.1A 8SOIC
€ 0,81000
4.282 - Immediato
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1
785-1058-2-ND
785-1058-1-ND
785-1058-6-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali P (doppio)Porta a livello logico30V7,1A25mohm a 7,1A, 10V2,5V a 250µA19nC a 10V1250pF a 15V2W-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale8-SOIC (0,154", 3,90mm di larghezza)8-SOIC
8-SOIC
SI4590DY-T1-GE3
MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL
€ 0,89000
3.852 - Immediato
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SI4590DY-T1-GE3TR-ND
SI4590DY-T1-GE3CT-ND
SI4590DY-T1-GE3DKR-ND
TrenchFET®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale N e P-100V3,4 A, 2,8 A57mohm a 2A, 10V2,5V a 250µA11,5nC a 10V360pF a 50V2,4W, 3,4W-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale8-SOIC (0,154", 3,90mm di larghezza)8-SOIC
8-TSSOP 8-MSOP
IRF7530TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
€ 0,89000
83.786 - Immediato
Infineon TechnologiesInfineon Technologies
1
IRF7530TRPBFTR-ND
IRF7530TRPBFCT-ND
IRF7530TRPBFDKR-ND
HEXFET®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali N (doppio)Standard20V5,4A30mohm a 5,4A, 4,5V1,2V a 250µA26nC a 4,5V1310pF a 15V1.3W-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", 3,00mm di larghezza)Micro8™
MFG_6-VDFN-Exposed-Pad
TSM250N02DCQ RFG
MOSFET 2 N-CH 20V 5.8A 6TDFN
€ 0,94000
51.173 - Immediato
Taiwan Semiconductor CorporationTaiwan Semiconductor Corporation
1
TSM250N02DCQRFGTR-ND
TSM250N02DCQRFGCT-ND
TSM250N02DCQRFGDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali N (doppio)Standard20V5,8 A (Tc)25mohm a 4A, 4,5V800mV a 250µA7,7nC a 4,5V775pF a 10V620mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale6-VDFN Piazzola esposta6-TDFN (2x2)
8-SOIC
IRF7309TRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
€ 0,92000
28.000 - Immediato
Infineon TechnologiesInfineon Technologies
1
IRF7309PBFTR-ND
IRF7309PBFCT-ND
IRF7309PBFDKR-ND
HEXFET®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale N e PStandard30V4A, 3A50mohm a 2,4A, 10V1V a 250µA25nC a 4,5V520pF a 15V1,4W-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale8-SOIC (0,154", 3,90mm di larghezza)8-SO
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC
IRF7301TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC
€ 0,92000
27.571 - Immediato
Infineon TechnologiesInfineon Technologies
1
IRF7301PBFTR-ND
IRF7301PBFCT-ND
IRF7301PBFDKR-ND
HEXFET®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali N (doppio)Porta a livello logico20V5,2A50mohm a 2,6A, 4,5V700mV a 250µA20nC a 4,5V660pF a 15V2W-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale8-SOIC (0,154", 3,90mm di larghezza)8-SO
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