Transistor - FET, MOSFET - Array

Risultati : 5.400
Produttore
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDComponentsDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEPC Space, LLCFairchild SemiconductorGeneral Electric
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Serie
-*AlphaMOSAutomotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, HEXFET®Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®Automotive, AEC-Q101, STripFET™Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, STripFET™ IIAutomotive, AEC-Q101, STripFET™ III
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Confezionamento
-Digi-Reel®Nastrato in bobina (TR)Nastro pre-tagliato (CT)ScatolaSfusoStrisciaTuboVassoio
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Stato del prodotto
AttivoData di acquisto finaleFuori produzione presso Digi-KeyNon per nuovi progettiObsoleto
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Tipo FET
2 a canale N e 2 a canale P (ponte H)2 a canale N e 2 a canale P2 canale N (stadio di fase)2 canale N2 canali N (doppio chopper in discesa)2 canali N (doppio)2 canali N (doppio), schottky2 canali N (semiponte)2 canali P (doppio)2 indipendentiAsimmetrico a 2 canali N (duale)Canale 2 N (cascode)Coppia abbinata (doppia) a 2 canali N
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Funzione FET
-Carburo di silicio (SiC)GaNFET (nitruro di gallio)Gate livello logico, comando 0,9VGate livello logico, comando 1,2VGate livello logico, comando 1,5VGate livello logico, comando 1,8VGate livello logico, comando 10VGate livello logico, comando 2,5VGate livello logico, comando 4,5VGate livello logico, comando 4VGate livello logico, comando 5VModalità di svuotamento
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Tensione drain/source (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V15V16V20V20V, 12V20V, 8V22V24V
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Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
12mA, 3mA30mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)50mA80mA100mA (Ta)100mA100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)
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RDSon (max) a Id, Vgs
0,8mohm a 1200A, 10V0,95mohm a 30A, 10V0,95mohm a 8A, 4,5V1mohm a 38A, 10V1,25mohm a 35A, 10V1,3mohm a 100A, 10V1,5mohm a 33A, 10V1,6mohm a 10A, 4,5V1,6mohm a 40A, 10V1,66mohm a 80A, 10V1,73mohm a 760A, 15V1,8mohm a 30A, 10V, 5mohm a 17,5A, 10V1,8mohm a 5A, 4,5V
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Vgs(th) max a Id
10mV a 10µA10mV a 1µA10mV a 20µA20mV a 10µA20mV a 1µA20mV a 20µA180mV a 1µA220mV a 1µA360mV a 1µA380mV a 1µA400mV a 250µA (min)420mV a 1µA450mV a 100µA (min)
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Carica del gate (Qg) max a Vgs
0,4pC a 4,5V, 7,3nC a 4,5V0,45 pC a 4,5V0,16nC a 5V, 0,044nC a 5V0,22nC a 5V, 0,044nC a 5V0,26nC a 2,5V0,3nC a 4,5V0,304nC a 4,5V0,31nC a 4,5V0,32nC a 4,5V0,34nC a 4,5V0,35nC a 4,5V0,35nC a 5V350pC a 4,5V
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Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2,5pF a 5V3pF a 5V5pF a 3V6pF a 3V6,2pF a 10V6,6pF a 10V7pF a 10V7pF a 3V7,1pF a 10V7,4pF a 10V7,5pF a 10V8,5pF a 3V9pF a 15V
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Potenza - Max
10mW (Tc)10mW20mW (Tc)20mW50mW120mW125mW (Ta)125mW140mW150mW (Ta)150mW180mW200mW (Ta)
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Temperatura di funzionamento
-65°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C (Tc)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TA)-55°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 175°C-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 125°C (Tc)-40°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo di montaggio
-A montaggio superficialeForo passanteMontaggio su telaioMontaggio superficiale, fianchi impregnabili
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Contenitore/involucro
4-SMD, senza piombo4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-VDFN4-VFDFN Piazzola esposta4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA4-XFBGA, WLCSP4-XFLGA4-XFLGA, CSP
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Contenitore del fornitore
4 FlipChip4-AlphaDFN (0.97x0.97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-BGA (1x1)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)4-EFCP (1,01x1,01)4-EFLIP-LGA (1,11x1,11)4-EFLIP-LGA (1,4x1,4)4-EFLIP-LGA (1,62x1,62)4-Picostar (1,31x1,31)4-QFN (2x2)4-SMD
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Opzioni di magazzino
Supporti
Opzioni ambientali
PRODOTTI MARKETPLACE
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Confronta
Codice produttore
Prezzo
Magazzino
Fornitore
Produttore
Qtà min
Codice DK
Serie
Contenitore
Stato del prodotto
Tipo FET
Funzione FET
Tensione drain/source (Vdss)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
RDSon (max) a Id, Vgs
Vgs(th) max a Id
Carica del gate (Qg) max a Vgs
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
Potenza - Max
Temperatura di funzionamento
Tipo di montaggio
Contenitore/involucro
Contenitore del fornitore
eGaN Series
EPC2106
GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
€ 1,75000
20.796 - Immediato
EPCEPC
1
917-1110-2-ND
917-1110-1-ND
917-1110-6-ND
eGaN®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali N (semiponte)GaNFET (nitruro di gallio)100V1,7A70mohm a 2A, 5V2,5V a 600µA0,73nC a 5V75pF a 50V--40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2110
GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
€ 2,28000
15.335 - Immediato
EPCEPC
1
917-1152-2-ND
917-1152-1-ND
917-1152-6-ND
eGaN®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoSorgente comune (doppia)a 2 canali NGaNFET (nitruro di gallio)120V3,4A60mohm a 4A, 5V2,5V a 700µA0,8nC a 5V80pF a 60V--40°C ~ 150°C (TJ)-StampoStampo
BSM300D12P2E001
BSM300D12P2E001
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
€ 683,59000
30 - Immediato
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
BSM300D12P2E001-ND
-
Vassoio
Attivo2 canali N (semiponte)Carburo di silicio (SiC)1200V (1,2kV)300 A (Tc)-4V a 68mA-35000pF a 10V1875W-40°C ~ 150°C (TJ)Montaggio su telaioModuloModulo
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
€ 0,38000
6.000 - Immediato
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
UM6K34NTCNTR-ND
UM6K34NTCNCT-ND
UM6K34NTCNDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali N (doppio)Gate livello logico, comando 0,9V50V200mA2,2Ohm a 200mA, 4,5V800mV a 1mA-26pF a 10V120mW150°C (TJ)A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-363UMT6
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SSM6N37FU,LF
MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6
€ 0,38000
43.566 - Immediato
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
SSM6N37FULFTR-ND
SSM6N37FULFCT-ND
SSM6N37FULFDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali N (doppio)Gate livello logico, comando 1,5V20V250mA (Ta)2,2Ohm a 100mA, 4,5V1V a 1mA-12pF a 10V300mW150°CA montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
SOT-363 PKG
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
€ 0,41000
258.726 - Immediato
Infineon TechnologiesInfineon Technologies
1
BSD840NH6327XTSA1TR-ND
BSD840NH6327XTSA1CT-ND
BSD840NH6327XTSA1DKR-ND
OptiMOSâ„¢
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali N (doppio)Porta a livello logico20V880mA400mohm a 880mA, 2,5V750mV a 1,6µA0,26nC a 2,5V78pF a 10V500mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale6-VSSOP, SC-88, SOT-363PG-SOT363-6
6-UDFN
SSM6N58NU,LF
MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
€ 0,46000
77.989 - Immediato
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
SSM6N58NULFTR-ND
SSM6N58NULFCT-ND
SSM6N58NULFDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali N (doppio)Gate livello logico, comando 1,8V30V4A84mohm a 2A, 4,5V1V a 1mA1,8nC a 4,5V129pF a 15V1W150°C (TJ)A montaggio superficiale6-WDFN Piazzola esposta6-UDFN (2x2)
SOT-963
DMC31D5UDJ-7
MOSFET N/P-CH 30V SOT963
€ 0,44000
147.643 - Immediato
550.000 - Fabbrica
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMC31D5UDJ-7DITR-ND
DMC31D5UDJ-7DICT-ND
DMC31D5UDJ-7DIDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale N e PPorta a livello logico30V220mA, 200mA1,5Ohm a 100mA, 4,5V1V a 250µA0,38nC a 4,5V22,6pF a 15V350mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-963SOT-963
U-DFN2020-6
DMN1029UFDB-7
MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
€ 0,48000
22.357 - Immediato
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMN1029UFDB-7DITR-ND
DMN1029UFDB-7DICT-ND
DMN1029UFDB-7DIDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali N (doppio)Standard12V5,6A29mohm a 5A, 4,5V1V a 250µA19,6nC a 8V914pF a 6V1,4W-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale6-UDFN Piazzola espostaU-DFN2020-6 (Tipo B)
SOT 26
DMP2240UDM-7
MOSFET 2P-CH 20V 2A SOT-26
€ 0,44000
26.649 - Immediato
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMP2240UDMDITR-ND
DMP2240UDMDICT-ND
DMP2240UDMDIDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali P (doppio)Porta a livello logico20V2A150mohm a 2A, 4,5V1V a 250µA-320pF a 16V600mW-65°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-23-6SOT-26
U-DFN2020-6
DMP2160UFDB-7
MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
€ 0,49000
175.490 - Immediato
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMP2160UFDB-7DITR-ND
DMP2160UFDB-7DICT-ND
DMP2160UFDB-7DIDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali P (doppio)Porta a livello logico20V3,8 A70mohm a 2,8A, 4,5V900mV a 250µA6,5nC a 4,5V536pF a 10V1,4W-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale6-UDFN Piazzola espostaU-DFN2020-6 (Tipo B)
SOT 26
DMG6968UDM-7
MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26
€ 0,49000
83.789 - Immediato
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMG6968UDMDITR-ND
DMG6968UDMDICT-ND
DMG6968UDMDIDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoDrain comune a 2 canali N (duale)Porta a livello logico20V6,5A24mohm a 6,5A, 4,5V900mV a 250µA8,8nC a 4,5V143pF a 10V850mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-23-6SOT-26
SOT 26
DMG9926UDM-7
MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26
€ 0,54000
51.609 - Immediato
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMG9926UDMDITR-ND
DMG9926UDMDICT-ND
DMG9926UDMDIDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoDrain comune a 2 canali N (duale)Porta a livello logico20V4,2A28mohm a 8,2A, 4,5V900mV a 250µA8,3nC a 4,5V856pF a 10V980mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-23-6SOT-26
8-SOIC
MCQ7328-TP
P-CHANNELMOSFETSOP-8
€ 0,56000
65.364 - Immediato
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
1
MCQ7328-TPMSTR-ND
MCQ7328-TPMSCT-ND
MCQ7328-TPMSDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali P (doppio)Standard30V8A21mohm a 8A, 10V2,5V a 250µA78nC a 10V2,675nF a 25V1,4W-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale8-SOIC (0,154", 3,90mm di larghezza)8-SOP
SOT-563
CMLDM7484 TR PBFREE
MOSFET N/P-CH 30V 0.45A SOT-563
€ 0,64000
15.915 - Immediato
Central Semiconductor CorpCentral Semiconductor Corp
1
1514-CMLDM7484TRPBFREETR-ND
1514-CMLDM7484TRPBFREECT-ND
1514-CMLDM7484TRPBFREEDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoComplementare canale N e PStandard30V450mA460mohm a 200mA, 4,5V1V a 250µA0,79nC a 4,5V45pF a 25V150mW-65°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-563, SOT-666SOT-563
8-SOIC
MCQ4828A-TP
N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFETSOP-
€ 0,60000
30.690 - Immediato
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
1
MCQ4828A-TPMSTR-ND
MCQ4828A-TPMSCT-ND
MCQ4828A-TPMSDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali N (doppio)Standard60V4,5 A (Ta)56mohm a 4,5A, 10V3V a 250µA10,5nC a 10V540pF a 30V1,25W (Ta)150°C (TJ)A montaggio superficiale8-SOIC (0,154", 3,90mm di larghezza)8-SOP
TUMT6_TUMT6 Pkg
US6M2TR
MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
€ 0,68000
6.000 - Immediato
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
US6M2TR-ND
US6M2CT-ND
US6M2DKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale N e PStandard30V, 20V1,5A, 1A240mohm a 1,5A, 4,5V1,5V a 1mA2,2nC a 4,5V80pF a 10V1W150°C (TJ)A montaggio superficiale6-SMD, conduttori piattiTUMT6
8-SOIC
AO4838
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8SOIC
€ 0,77000
54.710 - Immediato
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1
785-1688-2-ND
785-1688-1-ND
785-1688-6-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali N (doppio)Porta a livello logico30V11A9,6mohm a 11A, 10V2,6V a 250µA22nC a 10V1300pF a 15V2W-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale8-SOIC (0,154", 3,90mm di larghezza)8-SOIC
8-TSSOP 8-MSOP
IRF7503TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
€ 0,75000
3.898 - Immediato
Infineon TechnologiesInfineon Technologies
1
IRF7503TRPBFTR-ND
IRF7503TRPBFCT-ND
IRF7503TRPBFDKR-ND
HEXFET®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali N (doppio)Porta a livello logico30V2,4A135mohm a 1,7A, 10V1V a 250µA12nC a 10V210pF a 25V1,25W-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", 3,00mm di larghezza)Micro8™
8-TSSOP 8-MSOP
IRF7507TRPBF
MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8
€ 0,82000
7.991 - Immediato
Infineon TechnologiesInfineon Technologies
1
IRF7507TRPBFTR-ND
IRF7507TRPBFCT-ND
IRF7507TRPBFDKR-ND
HEXFET®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale N e PPorta a livello logico20V2,4 A, 1,7 A140mohm a 1,7A, 4,5V700mV a 250µA8nC a 4,5V260pF a 15V1,25W-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", 3,00mm di larghezza)Micro8™
8-SO
DMN4034SSD-13
MOSFET 2N-CH 40V 4.8A 8SO
€ 0,89000
9.948 - Immediato
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMN4034SSD-13TR-ND
DMN4034SSD-13CT-ND
DMN4034SSD-13DKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali N (doppio)Porta a livello logico40V4,8A34mohm a 6A, 10V3V a 250µA18nC a 10V453pF a 20V1,8W-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale8-SOIC (0,154", 3,90mm di larghezza)8-SO
8-TSSOP 8-MSOP
IRF7509TRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
€ 0,91000
129.211 - Immediato
Infineon TechnologiesInfineon Technologies
1
IRF7509TRPBFTR-ND
IRF7509TRPBFCT-ND
IRF7509TRPBFDKR-ND
HEXFET®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale N e PPorta a livello logico30V2,7 A, 2 A110mohm a 1,7A, 10V1V a 250µA12nC a 10V210pF a 25V1,25W-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", 3,00mm di larghezza)Micro8™
8-SO
DMP4050SSD-13
MOSFET 2P-CH 40V 4A 8SO
€ 0,98000
24.087 - Immediato
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMP4050SSD-13TR-ND
DMP4050SSD-13CT-ND
DMP4050SSD-13DKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali P (doppio)Standard40V4A50mohm a 6A, 10V3V a 250µA13,9nC a 10V674pF a 20V1,8W-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale8-SOIC (0,154", 3,90mm di larghezza)8-SO
MFG_6-VDFN-Exposed-Pad
TSM250N02DCQ RFG
MOSFET 2 N-CH 20V 5.8A 6TDFN
€ 1,02000
45.541 - Immediato
Taiwan Semiconductor CorporationTaiwan Semiconductor Corporation
1
TSM250N02DCQRFGTR-ND
TSM250N02DCQRFGCT-ND
TSM250N02DCQRFGDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali N (doppio)Standard20V5,8 A (Tc)25mohm a 4A, 4,5V800mV a 250µA7,7nC a 4,5V775pF a 10V620mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale6-VDFN Piazzola esposta6-TDFN (2x2)
8-TSSOP 8-MSOP
IRF7530TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
€ 0,97000
67.776 - Immediato
Infineon TechnologiesInfineon Technologies
1
IRF7530TRPBFTR-ND
IRF7530TRPBFCT-ND
IRF7530TRPBFDKR-ND
HEXFET®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali N (doppio)Standard20V5,4A30mohm a 5,4A, 4,5V1,2V a 250µA26nC a 4,5V1310pF a 15V1.3W-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", 3,00mm di larghezza)Micro8™
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