Array FET, MOSFET

Risultati : 5 662
Produttore
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedAnalog Power Inc.BruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCEPC Space, LLC
Serie
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
Confezionamento
Digi-Reel®Nastrato in bobina (TR)Nastro pre-tagliato (CT)ScatolaSfusoTuboVassoio
Stato del prodotto
AttivoData di acquisto finaleFuori produzione presso Digi-KeyNon per nuovi progettiObsoleto
Tecnologia
-Carburo di silicio (SiC)GaNFET (nitruro di gallio)MOSFET (ossido di metallo)SiCFET (carburo di silicio)
Configurazione
2 a canale N e 2 a canale P2 a canale P (semiponte)2 canale N2 canale N (doppio), canale P2 canale N (stadio di fase)2 canale N, drain comune2 canale P2 canali N (doppio chopper in discesa)2 canali N (doppio)2 canali N (doppio), schottky2 canali N (semiponte)2 canali P (doppio)
Funzione FET
-Carburo di silicio (SiC)Gate livello logico, comando 0,9VGate livello logico, comando 1,2VGate livello logico, comando 1,5VGate livello logico, comando 1,8VGate livello logico, comando 10VGate livello logico, comando 2,5VGate livello logico, comando 4,5VGate livello logico, comando 4VGate livello logico, comando 5VModalità di svuotamentoPorta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA100mA (Ta)100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)
RDSon (max) a Id, Vgs
0,46mohm a 160A, 12V0,762mohm a 160A, 12V0,765mohm a 160A, 12V, 0,580mohm a 160A, 12V0,765mohm a 160A, 12V, 0,710mohm a 160A, 12V0,8mohm a 1200A, 10V0,88mohm a 50A, 10V0.88mOhm @ 160A, 14V, 0.71mOhm @ 160A, 14V0,95mohm a 30A, 10V0,95mohm a 8A, 4,5V0.99mOhm @ 80A, 10V, 1.35mOhm @ 80A, 10V1.039mOhm @ 160A, 12V, 762µOhm @ 160A, 12V1,2mohm a 800A, 10V
Vgs(th) max a Id
10mV a 10µA10mV a 1µA10mV a 20µA20mV a 10µA20mV a 1µA20mV a 20µA180mV a 1µA200mV a 2,8A, 200mV a 1,9A220mV a 1µA360mV a 1µA380mV a 1µA400mV a 250µA (min)
Carica del gate (Qg) max a Vgs
0,4pC a 4,5V, 7,3nC a 4,5V0,45 pC a 4,5V0,16nC a 5V, 0,044nC a 5V0,22nC a 5V, 0,044nC a 5V0,26nC a 2,5V0,28nC a 4,5V0,28nC a 4,5V, 0,3nC a 4,5V0,3nC a 4,5V0,3nC a 4,5V, 0,28nC a 4,5V0,304nC a 4,5V0,31nC a 4,5V0,32nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2,5pF a 5V3pF a 5V5pF a 3V6pF a 3V6,2pF a 10V6,6pF a 10V7pF a 10V7pF a 3V7,1pF a 10V7,4pF a 10V7,5pF a 10V8,5pF a 3V
Potenza - Max
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW125mW (Ta)140mW150mW150mW (Ta)180mW200mW
Temperatura di funzionamento
-65°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C (TA)-55°C ~ 175°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 125°C
Grado
-AutomobilisticoMilitare
Qualifica
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Tipo di montaggio
-A montaggio superficialeForo passanteMontaggio su telaioMontaggio superficiale, fianchi impregnabili
Contenitore/involucro
4-SMD, senza piombo4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN piazzola esposta4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA
Contenitore del fornitore
4 FlipChip4-AlphaDFN (0.97x0.97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-BGA (1x1)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-CSP (1,74x1,74)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)
Opzioni di magazzino
Opzioni ambientali
Supporti
PRODOTTI MARKETPLACE
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Confronta
Codice produttore
Quantità disponibile
Prezzo
Serie
Contenitore
Stato del prodotto
Tecnologia
Configurazione
Funzione FET
Tensione drain/source (Vdss)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
RDSon (max) a Id, Vgs
Vgs(th) max a Id
Carica del gate (Qg) max a Vgs
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
Potenza - Max
Temperatura di funzionamento
Grado
Qualifica
Tipo di montaggio
Contenitore/involucro
Contenitore del fornitore
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
794 119
In magazzino
1 : € 0,24000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,05355
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
2 canali N (doppio)
Gate livello logico, comando 1,2V
50V
200mA
2,2ohm a 200mA, 4,5V
1V a 1mA
-
25pF a 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
357 951
In magazzino
1 : € 0,24000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,05474
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
2 canali N (doppio)
Gate livello logico, comando 0,9V
50V
200mA
2,2ohm a 200mA, 4,5V
800mV a 1mA
-
26pF a 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
8 SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
249 833
In magazzino
392 500
Fabbrica
1 : € 0,24000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,07374
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
2 canali P (doppio)
Porta a livello logico
30V
3,9A
70mohm a 5,3A, 10V
3V a 250µA
11nC a 10V
563pF a 25V
1,1W
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
8-SO
SOT 26
DMN2004DMK-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
Diodes Incorporated
151 045
In magazzino
90 000
Fabbrica
1 : € 0,27000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,11060
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
2 canali N (doppio)
Porta a livello logico
20V
540mA
550mohm a 540mA, 4,5V
1V a 250µA
-
150pF a 16V
225mW
-65°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-6
SOT-26
8-SOIC
AO4629
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
170 198
In magazzino
1 : € 0,28000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,11236
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
Canale P e N, drain comune
Porta a livello logico
30V
6 A, 5,5 A
30mohm a 6A, 10V
2,4V a 250µA
6,3nC a 10V
310pF a 15V
2W
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
8-SOIC
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
163 385
In magazzino
1 : € 0,32000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,05764
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
2 canali N (doppio)
-
60V
230mA
7,5ohm a 50mA, 5V
2V a 250µA
-
50pF a 25V
310mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
71 155
In magazzino
1 : € 0,33000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,08880
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
2 canali N (doppio)
Porta a livello logico
20V
610mA (Ta)
396mohm a 500mA, 4,5V
1V a 250µA
2nC a 8V
43pF a 10V
220mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-563, SOT-666
SC-89 (SOT-563F)
350 243
In magazzino
1 : € 0,34000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,06037
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
2 canali N (doppio)
Gate livello logico, comando 1,5V
20V
250mA (Ta)
2,2ohm a 100mA, 4,5V
1V a 1mA
-
12pF a 10V
300mW
150°C
-
-
A montaggio superficiale
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
98 176
In magazzino
1 : € 0,34000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,09028
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
2 canali N (doppio)
-
30V
250mA
1,5ohm a 10mA, 4V
1,5V a 100µA
1,3nC a 5V
33pF a 5V
272mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
80 560
In magazzino
1 : € 0,34000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,05622
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
2 canali N (doppio)
Porta a livello logico
60V
295mA
1,6ohm a 500mA, 10V
2,5V a 250µA
0,9nC a 4,5V
26pF a 20V
250mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363 PKG
BSD235NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Infineon Technologies
20 647
In magazzino
1 : € 0,34000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,09191
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
2 canali N (doppio)
Porta a livello logico
20V
950mA
350mohm a 950mA, 4,5V
1,2V a 1,6µA
0,32nC a 4,5V
63pF a 10V
500mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobilistico
AEC-Q101
A montaggio superficiale
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
18 476
In magazzino
1 : € 0,34000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,06042
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Non per nuovi progetti
MOSFET (ossido di metallo)
2 canali N (doppio)
Porta a livello logico
60V
320mA
1,6ohm a 500mA, 10V
2,4V a 250µA
0,8nC a 4,5V
50pF a 10V
420mW
150°C (TJ)
Automobilistico
AEC-Q100
A montaggio superficiale
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
46 429
In magazzino
1 : € 0,36000
Nastro pre-tagliato (CT)
8 000 : € 0,07613
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
2 canali N (doppio)
Gate livello logico, comando 0,9V
50V
200mA
2,2ohm a 200mA, 4,5V
800mV a 1mA
-
26pF a 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-563, SOT-666
EMT6
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
onsemi
57 999
In magazzino
1 : € 0,37000
Nastro pre-tagliato (CT)
4 000 : € 0,09886
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
Canale N e P
Porta a livello logico
20V
540mA, 430mA
550mohm a 540mA, 4,5V
1V a 250µA
2,5nC a 4,5V
150pF a 16V
250mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-563, SOT-666
SOT-563
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
52 913
In magazzino
528 000
Fabbrica
1 : € 0,37000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,08007
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
Canale N e P
Porta a livello logico
30V
3,8 A, 2,5 A
55mohm a 3,4A, 10V
1,5V a 250µA
12,3nC a 10V
422pF a 15V
850mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
TSOT-26
SOT 563
DMG1029SV-7
MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Diodes Incorporated
432 302
In magazzino
1 749 000
Fabbrica
1 : € 0,37000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,10108
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
Canale N e P
Porta a livello logico
60V
500mA, 360mA
1,7ohm a 500mA, 10V
2,5V a 250µA
0,3nC a 4,5V
30pF a 25V, 25pF a 25V
450mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
167 912
In magazzino
2 676 000
Fabbrica
1 : € 0,37000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,06734
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
Canale N e P
Porta a livello logico
20V
1,03A, 700 mA
480mohm a 200mA, 5V
900mV a 250µA
0,5nC a 4,5V
37,1pF a 10V
450mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-563, SOT-666
SOT-563
77 797
In magazzino
1 : € 0,37000
Nastro pre-tagliato (CT)
4 000 : € 0,06747
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
2 canali N (doppio)
Porta a livello logico
30V
100mA
4ohm a 10mA, 4V
1,5V a 100µA
-
8,5pF a 3V
150mW
150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-563, SOT-666
ES6
SOT 563
2N7002VC-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
Diodes Incorporated
64 747
In magazzino
1 : € 0,37000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,10108
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
2 canali N (doppio)
-
60V
280mA
7,5ohm a 50mA, 5V
2,5V a 250µA
-
50pF a 25V
150mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-563, SOT-666
SOT-563
MCM2301-TP
MCM3400A-TP
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN
Micro Commercial Co
24 382
In magazzino
1 : € 0,37000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,10093
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
2 canale N
-
30V
5A
32mohm a 5,8A, 10V
1,5V a 250µA
-
1155pF a 15V
1,4W
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
6-VDFN piazzola esposta
DFN2020-6L
U-DFN2020-6
DMN3032LFDB-7
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
16 736
In magazzino
1 : € 0,37000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,12749
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
2 canali N (doppio)
-
30V
6,2A
30mohm a 5,8A, 10V
2V a 250µA
10,6nC a 10V
500pF a 15V
1W
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
6-UDFN piazzola esposta
U-DFN2020-6 (tipo B)
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
103 322
In magazzino
1 : € 0,38000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,06917
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
2 canali N (doppio)
Porta a livello logico
60V
300mA
3ohm a 500mA, 10V
2,5V a 250µA
0,6nC a 10V
20pF a 25V
500mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT 363
SI1539CDL-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6
Vishay Siliconix
1 194
In magazzino
1 : € 0,38000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,10360
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
Canale N e P
Porta a livello logico
30V
700mA, 500mA
388mohm a 600mA, 10V
2,5V a 250µA
1,5nC a 10V
28pF a 15V
340mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-70-6
SOT363
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
346 526
In magazzino
1 : € 0,39000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,07028
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
2 canali N (doppio)
Porta a livello logico
60V
320mA
1,6ohm a 300mA, 10V
1,5V a 250µA
0,8nC a 4,5V
50pF a 10V
420mW
150°C (TJ)
Automobilistico
AEC-Q101
A montaggio superficiale
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
SOT363
2N7002BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
257 227
In magazzino
1 : € 0,39000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,07146
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET (ossido di metallo)
2 canali N (doppio)
Porta a livello logico
60V
300mA (Ta)
1,6ohm a 500mA, 10V
2,1V a 250µA
0,6nC a 4,5V
50pF a 10V
295mW
150°C (TJ)
Automobilistico
AEC-Q101
A montaggio superficiale
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
Visualizzati
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Array FET, MOSFET


I transistor a effetto di campo (FET) sono dispositivi elettronici che utilizzano un campo elettrico per controllare il flusso di corrente. L'applicazione di una tensione al terminale gate altera la conducibilità tra il terminale drain e quello source. I FET sono noti anche come transistor unipolari, infatti il loro funzionamento si basa su un singolo tipo di portatore di carica. I FET funzionano utilizzando elettroni o lacune come portatori di carica, ma non entrambi. I transistor a effetto di campo mostrano generalmente un'impedenza d'ingresso molto alta alle basse frequenze.