1 - 25
5.525
Confronta
Codice produttore
Quantità disponibile
Prezzo
Serie
Contenitore
Stato del prodotto
Tipo FET
Funzione FET
Tensione drain/source (Vdss)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
RDSon (max) a Id, Vgs
Vgs(th) max a Id
Carica del gate (Qg) max a Vgs
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
Potenza - Max
Temperatura di funzionamento
Tipo di montaggio
Contenitore/involucro
Contenitore del fornitore
eGaN Series
EPC2110
GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
EPC
15.015
In magazzino
1 : € 2,39000
Nastro pre-tagliato (CT)
2.500 : € 1,10529
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoSorgente comune (doppia)a 2 canali NGaNFET (nitruro di gallio)120V3,4A60mohm a 4A, 5V2,5V a 700µA0,8nC a 5V80pF a 60V--40°C ~ 150°C (TJ)-StampoStampo
eGaN Series
EPC2104
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
EPC
1.548
In magazzino
1 : € 9,25000
Nastro pre-tagliato (CT)
500 : € 6,02360
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali N (semiponte)GaNFET (nitruro di gallio)100V23A6,3mohm a 20A, 5V2,5V a 5,5mA7nC a 5V800pF a 50V--40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
BSM300D12P2E001
BSM300D12P2E001
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
Rohm Semiconductor
77
In magazzino
1 : € 860,55000
Vassoio
-
Vassoio
Attivo2 canali N (semiponte)Carburo di silicio (SiC)1200V (1,2kV)300 A (Tc)-4V a 68mA-35000pF a 10V1875W-40°C ~ 150°C (TJ)Montaggio su telaioModuloModulo
SOT-363
2N7002DW-TP
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
Micro Commercial Co
10
In magazzino
1 : € 0,38000
Nastro pre-tagliato (CT)
3.000 : € 0,06793
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali N (doppio)Standard60V115mA7,5ohm a 50mA, 5V2V a 250µA-50pF a 25V200mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SSM6N37FU,LF
MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6
Toshiba Semiconductor and Storage
57.381
In magazzino
1 : € 0,40000
Nastro pre-tagliato (CT)
3.000 : € 0,07603
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali N (doppio)Gate livello logico, comando 1,5V20V250mA (Ta)2,2ohm a 100mA, 4,5V1V a 1mA-12pF a 10V300mW150°CA montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
SOT 26
DMC2700UDM-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT26
Diodes Incorporated
481.066
In magazzino
1 : € 0,44000
Nastro pre-tagliato (CT)
3.000 : € 0,08283
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale N e PPorta a livello logico20V1,34 A, 1,14 A400mohm a 600mA, 4,5V1V a 250µA0,74nC a 4,5V60,67pF a 16V1,12W-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-23-6SOT-26
SOT-563
SSM6L36FE,LM
MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6
Toshiba Semiconductor and Storage
123.026
In magazzino
1 : € 0,47000
Nastro pre-tagliato (CT)
4.000 : € 0,08883
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale N e PPorta a livello logico20V500mA, 330mA630mohm a 200mA, 5V1V a 1mA1,23nC a 4V46pF a 10V150mW150°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-563, SOT-666ES6
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
371.424
In magazzino
1 : € 0,40000
Nastro pre-tagliato (CT)
3.000 : € 0,08217
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali N (doppio)Gate livello logico, comando 1,2V50V200mA2,2ohm a 200mA, 4,5V1V a 1mA-25pF a 10V120mW150°C (TJ)A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-363UMT6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
258.837
In magazzino
1 : € 0,41000
Nastro pre-tagliato (CT)
3.000 : € 0,09194
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali N (doppio)Gate livello logico, comando 0,9V50V200mA2,2ohm a 200mA, 4,5V800mV a 1mA-26pF a 10V120mW150°C (TJ)A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-363UMT6
SOT363
NX3008NBKS,115
MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
1.990
In magazzino
1 : € 0,52000
Nastro pre-tagliato (CT)
3.000 : € 0,09771
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali N (doppio)Porta a livello logico30V350mA1,4ohm a 350m A, 4,5V1,1V a 250µA0,68nC a 4,5V50pF a 15V445mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SC-88
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363
onsemi
20.502
In magazzino
1 : € 0,45000
Nastro pre-tagliato (CT)
3.000 : € 0,10093
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali N (doppio)Standard30V250mA1,5ohm a 10mA, 4V1,5V a 100µA1,3nC a 5V33pF a 5V272mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
70.262
In magazzino
1 : € 0,55000
Nastro pre-tagliato (CT)
3.000 : € 0,10175
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali N (doppio)Porta a livello logico60V300mA3ohm a 500mA, 10V2,5V a 250µA0,6nC a 10V20pF a 25V500mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale6-VSSOP, SC-88, SOT-363PG-SOT363-PO
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
onsemi
46.838
In magazzino
1 : € 0,40000
Nastro pre-tagliato (CT)
4.000 : € 0,11359
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale N e PPorta a livello logico20V540mA, 430mA550mohm a 540mA, 4,5V1V a 250µA2,5nC a 4,5V150pF a 16V250mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-563, SOT-666SOT-563
8-SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
217.085
In magazzino
1 : € 0,40000
Nastro pre-tagliato (CT)
2.500 : € 0,11542
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali P (doppio)Porta a livello logico30V3,9A70mohm a 5,3A, 10V3V a 250µA11nC a 10V563pF a 25V1,1W-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale8-SOIC (0,154", 3,90mm di larghezza)8-SO
SOT-363 PKG
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Infineon Technologies
138.812
In magazzino
1 : € 0,43000
Nastro pre-tagliato (CT)
3.000 : € 0,12291
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali N (doppio)Porta a livello logico20V880mA400mohm a 880mA, 2,5V750mV a 1,6µA0,26nC a 2,5V78pF a 10V500mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale6-VSSOP, SC-88, SOT-363PG-SOT363-PO
17.920
In magazzino
1 : € 0,48000
Nastro pre-tagliato (CT)
3.000 : € 0,13924
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali N (doppio)Gate livello logico, comando 1,8V30V4A84mohm a 2A, 4,5V1V a 1mA1,8nC a 4,5V129pF a 15V1W150°C (TJ)A montaggio superficiale6-WDFN Piazzola esposta6-UDFN (2x2)
SOT-963
DMC31D5UDJ-7
MOSFET N/P-CH 30V SOT963
Diodes Incorporated
131.545
In magazzino
560.000
Factory
1 : € 0,46000
Nastro pre-tagliato (CT)
10.000 : € 0,14308
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale N e PPorta a livello logico30V220mA, 200mA1,5ohm a 100mA, 4,5V1V a 250µA0,38nC a 4,5V22,6pF a 15V350mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-963SOT-963
SOT-563
DMP2004VK-7
MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT-563
Diodes Incorporated
85.846
In magazzino
1 : € 0,50000
Nastro pre-tagliato (CT)
3.000 : € 0,14327
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali P (doppio)Porta a livello logico20V530mA900mohm a 430mA, 4,5V1V a 250µA-175pF a 16V400mW-65°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-563, SOT-666SOT-563
74.460
In magazzino
1 : € 0,52000
Nastro pre-tagliato (CT)
3.000 : € 0,14840
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali N (doppio)Standard30V4A46mohm a 2A, 4,5V1V a 1mA4nC a 4,5V310pF a 10V1W150°C (TJ)A montaggio superficiale6-WDFN Piazzola esposta6-µDFN (2x2)
SOT 26
DMN2004DMK-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26
Diodes Incorporated
237.199
In magazzino
72.000
Factory
1 : € 0,46000
Nastro pre-tagliato (CT)
3.000 : € 0,16264
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali N (doppio)Porta a livello logico20V540mA550mohm a 540mA, 4,5V1V a 250µA-150pF a 16V225mW-65°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-23-6SOT-26
8-SOIC
AO4629
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
248.594
In magazzino
1 : € 0,46000
Nastro pre-tagliato (CT)
3.000 : € 0,16522
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale P e N, drain comunePorta a livello logico30V6 A, 5,5 A30mohm a 6A, 10V2,4V a 250µA6,3nC a 10V310pF a 15V2W-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale8-SOIC (0,154", 3,90mm di larghezza)8-SOIC
8-SO
DMC3025LSD-13
MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO
Diodes Incorporated
66.485
In magazzino
1 : € 0,51000
Nastro pre-tagliato (CT)
2.500 : € 0,18071
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale N e PPorta a livello logico30V6,5 A, 4,2 A20mohm a 7,4A, 10V2V a 250µA9,8nC a 10V501pF a 15V1,2W-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale8-SOIC (0,154", 3,90mm di larghezza)8-SO
Pkg 5880
SI1026X-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6
Vishay Siliconix
232.460
In magazzino
1 : € 0,53000
Nastro pre-tagliato (CT)
3.000 : € 0,18931
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali N (doppio)Porta a livello logico60V305mA1,4ohm a 500mA, 10V2,5V a 250µA0,6nC a 4,5V30pF a 25V250mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-563, SOT-666SC-89 (SOT-563F)
Pkg 5880
SI1025X-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89
Vishay Siliconix
50.740
In magazzino
1 : € 0,53000
Nastro pre-tagliato (CT)
3.000 : € 0,18931
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo2 canali P (doppio)Porta a livello logico60V190mA4ohm a 500mA, 10V3V a 250µA1,7nC a 15V23pF a 25V250mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-563, SOT-666SC-89 (SOT-563F)
SOT1118
PMCPB5530X,115
MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON
Nexperia USA Inc.
52.450
In magazzino
1 : € 0,53000
Nastro pre-tagliato (CT)
3.000 : € 0,18983
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale N e P-20V4A (Ta), 3,4A (Ta)34mohm a 3A, 4,5V900mV a 250µA21,7nC a 4,5V660pF a 10V490mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale6-UFDFN Piazzola esposta6-HUSON (2x2)
1 - 25
5.525

Transistor - FET, MOSFET - Array


I transistor a effetto di campo (FET) sono dispositivi elettronici che utilizzano un campo elettrico per controllare il flusso di corrente. L'applicazione di una tensione al terminale gate altera la conducibilità tra il terminale drain e quello source. I FET sono noti anche come transistor unipolari, infatti il loro funzionamento si basa su un singolo tipo di portatore di carica. I FET funzionano utilizzando elettroni o lacune come portatori di carica, ma non entrambi. I transistor a effetto di campo mostrano generalmente un'impedenza d'ingresso molto alta alle basse frequenze.