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Serie
Contenitore
Stato del prodotto
Tecnologia
Configurazione
Funzione FET
Tensione drain/source (Vdss)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
RDSon (max) a Id, Vgs
Vgs(th) max a Id
Carica del gate (Qg) max a Vgs
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
Potenza - Max
Temperatura di funzionamento
Tipo di montaggio
Contenitore/involucro
Contenitore del fornitore
eGaN Series
EPC2106
GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
43 366
In magazzino
1 : € 1,70000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,76705
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoGaNFET (nitruro di gallio)2 canali N (semiponte)-100V1,7A70mohm a 2A, 5V2,5V a 600µA0,73nC a 5V75pF a 50V--40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
SOT 363
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
76 203
In magazzino
1 : € 0,33000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,05530
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)Porta a livello logico60V295mA1,6ohm a 500mA, 10V2,5V a 250µA0,9nC a 4,5V26pF a 20V250mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
81 573
In magazzino
1 : € 0,31000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,05860
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)-60V230mA7,5ohm a 50mA, 5V2V a 250µA-50pF a 25V310mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
637 946
In magazzino
1 : € 0,22000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,06408
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)-60V300mA1,5ohm a 100mA, 10V2,1V a 250µA0,6nC a 4,5V40pF a 10V285mW150°C (TJ)A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
MMDT2907A-TP
2N7002DW-TP
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Micro Commercial Co
1 232 543
In magazzino
1 : € 0,35000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,06511
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)-60V115mA7,5ohm a 50mA, 5V2V a 250µA-50pF a 25V200mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
213 313
In magazzino
1 095 000
Fabbrica
1 : € 0,37000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,06846
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)Canale N e PPorta a livello logico20V1,03A, 700 mA480mohm a 200mA, 5V900mV a 250µA0,5nC a 4,5V37,1pF a 10V450mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT363
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
392 229
In magazzino
1 : € 0,39000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,06914
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)Porta a livello logico60V320mA1,6ohm a 300mA, 10V1,5V a 250µA0,8nC a 4,5V50pF a 10V420mW150°C (TJ)A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
6 032
In magazzino
1 : € 0,38000
Nastro pre-tagliato (CT)
4 000 : € 0,06840
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)Porta a livello logico30V100mA4ohm a 10mA, 4V1,5V a 100µA-8,5pF a 3V150mW150°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-563, SOT-666ES6
SOT363
2N7002BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
408 935
In magazzino
1 : € 0,39000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,07265
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)Porta a livello logico60V300mA (Ta)1,6ohm a 500mA, 10V2,1V a 250µA0,6nC a 4,5V50pF a 10V295mW150°C (TJ)A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
181 097
In magazzino
1 : € 0,35000
Nastro pre-tagliato (CT)
8 000 : € 0,07274
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)Gate livello logico, comando 0,9V50V200mA2,2ohm a 200mA, 4,5V800mV a 1mA-26pF a 10V120mW150°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-563, SOT-666EMT6
SOT363
BSS84AKS,115
MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
19 599
In magazzino
1 : € 0,40000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,07367
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali P (doppio)Porta a livello logico50V160mA7,5ohm a 100mA, 10V2,1V a 250µA0,35nC a 5V36pF a 25V445mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
40 278
In magazzino
1 : € 0,40000
Nastro pre-tagliato (CT)
4 000 : € 0,07442
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)Canale N e PPorta a livello logico20V500mA, 330mA630mohm a 200mA, 5V1V a 1mA1,23nC a 4V46pF a 10V150mW150°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-563, SOT-666ES6
TSOT-26
DMG6602SVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
188 801
In magazzino
222 000
Fabbrica
1 : € 0,35000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,07803
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Non per nuovi progettiMOSFET (ossido di metallo)Canale N e PGate livello logico, comando 4,5V30V3,4 A, 2,8 A60mohm a 3,1 A, 10V2,3V a 250µA13nC a 10V400pF a 15V840mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6TSOT-26
SOT-363
DMG1016UDW-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Diodes Incorporated
137 841
In magazzino
1 : € 0,42000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,07814
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)Canale N e PPorta a livello logico20V1,07A, 845mA450mohm a 600mA, 4,5V1V a 250µA0,74nC a 4,5V60,67pF a 10V330mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
8 969
In magazzino
1 : € 0,42000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,07814
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)Porta a livello logico60V300mA3ohm a 500mA, 10V2,5V a 250µA0,6nC a 10V20pF a 25V500mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale6-VSSOP, SC-88, SOT-363PG-SOT363-PO
SOT363
BSS138BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
467 155
In magazzino
1 : € 0,42000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,07907
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)Porta a livello logico60V320mA1,6ohm a 320m A, 10V1,6V a 250µA0,7nC a 4,5V56pF a 10V445mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
56 765
In magazzino
1 : € 0,36000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,07920
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)Canale N e PPorta a livello logico30V3,8 A, 2,5 A55mohm a 3,4A, 10V1,5V a 250µA12,3nC a 10V422pF a 15V850mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6TSOT-26
SOT363
NX3008NBKS,115
MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
927 047
In magazzino
1 : € 0,44000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,08186
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)Porta a livello logico30V350mA1,4ohm a 350m A, 4,5V1,1V a 250µA0,68nC a 4,5V50pF a 15V445mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
NX3008CBKS,115
MOSFET N/P-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
22 941
In magazzino
1 : € 0,44000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,08186
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)Canale N e PPorta a livello logico30V350mA, 200mA1,4ohm a 350m A, 4,5V1,1V a 250µA0,68nC a 4,5V50pF a 15V445mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
116 632
In magazzino
1 : € 0,39000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,08623
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Non per nuovi progettiMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)Porta a livello logico20V860mA350mohm a 200mA, 4,5V1,5V a 250µA0,72nC a 4,5V34pF a 20V410mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
TSOT-26
DMC2038LVT-7
MOSFET N/P-CH 20V TSOT26
Diodes Incorporated
83 986
In magazzino
1 : € 0,39000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,08623
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Non per nuovi progettiMOSFET (ossido di metallo)Canale N e PPorta a livello logico20V3,7 A, 2,6 A35mohm a 4A, 4,5V1V a 250µA17nC a 10V530pF a 10V800mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6TSOT-26
SOT-563-6_463A
NTZD3154NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563
onsemi
292 617
In magazzino
1 : € 0,41000
Nastro pre-tagliato (CT)
4 000 : € 0,09008
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)-20V540mA550mohm a 540mA, 4,5V1V a 250µA2,5nC a 4,5V150pF a 16V250mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT 363
NTJD4401NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
onsemi
57 801
In magazzino
1 : € 0,41000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,09008
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)Porta a livello logico20V630mA375mohm a 630mA, 4,5V1,5V a 250µA3nC a 4,5V46pF a 20V270mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
161 830
In magazzino
1 : € 0,32000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,09209
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)Porta a livello logico20V610mA (Ta)396mohm a 500mA, 4,5V1V a 250µA2nC a 8V43pF a 10V220mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-563, SOT-666SC-89 (SOT-563F)
SOT 363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
35 537
In magazzino
1 : € 0,33000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,09363
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)-30V250mA1,5ohm a 10mA, 4V1,5V a 100µA1,3nC a 5V33pF a 5V272mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
Visualizzati
di 5 937

Array FET, MOSFET


I transistor a effetto di campo (FET) sono dispositivi elettronici che utilizzano un campo elettrico per controllare il flusso di corrente. L'applicazione di una tensione al terminale gate altera la conducibilità tra il terminale drain e quello source. I FET sono noti anche come transistor unipolari, infatti il loro funzionamento si basa su un singolo tipo di portatore di carica. I FET funzionano utilizzando elettroni o lacune come portatori di carica, ma non entrambi. I transistor a effetto di campo mostrano generalmente un'impedenza d'ingresso molto alta alle basse frequenze.