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Codice produttore
Quantità disponibile
Prezzo
Serie
Contenitore
Product Status
Tecnologia
Configurazione
Funzione FET
Tensione drain/source (Vdss)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
RDSon (max) a Id, Vgs
Vgs(th) max a Id
Carica del gate (Qg) max a Vgs
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
Potenza - Max
Temperatura di funzionamento
Tipo di montaggio
Contenitore/involucro
Contenitore del fornitore
eGaN Series
EPC2106
GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
EPC
94 315
In magazzino
1 : € 1,74000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,79472
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoGaNFET (nitruro di gallio)2 canali N (semiponte)-100V1,7A70mohm a 2A, 5V2,5V a 600µA0,73nC a 5V75pF a 50V--40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2104
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
EPC
2 192
In magazzino
1 : € 8,76000
Nastro pre-tagliato (CT)
500 : € 5,70286
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoGaNFET (nitruro di gallio)2 canali N (semiponte)-100V23A6,3mohm a 20A, 5V2,5V a 5,5mA7nC a 5V800pF a 50V--40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
BSM300D12P2E001
BSM300D12P2E001
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
Rohm Semiconductor
69
In magazzino
1 : € 779,31000
Vassoio
-
Vassoio
AttivoCarburo di silicio (SiC)2 canali N (semiponte)-1200V (1,2kV)300 A (Tc)-4V a 68mA-35000pF a 10V1875W-40°C ~ 150°C (TJ)Montaggio su telaioModuloModulo
611 007
In magazzino
1 : € 0,23000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,04352
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)-60V300mA1,5ohm a 100mA, 10V2,1V a 250µA0,6nC a 4,5V40pF a 10V285mW150°C (TJ)A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
SOT-563
SSM6L56FE,LM
SMALL-SIGNAL MOSFET 2 IN 1 NCH +
Toshiba Semiconductor and Storage
6 506
In magazzino
1 : € 0,37000
Nastro pre-tagliato (CT)
4 000 : € 0,06938
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)Canale N e PGate livello logico, comando 1,5V20V800mA (Ta)235mohm a 800mA, 4,5V, 390mohm a 800mA, 4,5V1V a 1mA1nC a 10V55pF a 10V, 100pF a 10V150mW (Ta)150°CA montaggio superficialeSOT-563, SOT-666ES6
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SSM6N37FU,LF
MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6
Toshiba Semiconductor and Storage
57 994
In magazzino
1 : € 0,36000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,07182
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)Gate livello logico, comando 1,5V20V250mA (Ta)2,2ohm a 100mA, 4,5V1V a 1mA-12pF a 10V300mW150°CA montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
SOT-363
2N7002DW-TP
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
Micro Commercial Co
71 103
In magazzino
1 : € 0,39000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,07359
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)-60V115mA7,5ohm a 50mA, 5V2V a 250µA-50pF a 25V200mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
SOT 26
DMC2700UDM-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT26
Diodes Incorporated
1 290 975
In magazzino
1 : € 0,38000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,07842
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)Canale N e PPorta a livello logico20V1,34 A, 1,14 A400mohm a 600mA, 4,5V1V a 250µA0,74nC a 4,5V60,67pF a 16V1,12W-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-23-6SOT-26
SOT363
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
32 099
In magazzino
1 : € 0,39000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,08082
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)Porta a livello logico60V320mA1,6ohm a 300mA, 10V1,5V a 250µA0,8nC a 4,5V50pF a 10V420mW150°C (TJ)A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
168 463
In magazzino
1 : € 0,36000
Nastro pre-tagliato (CT)
8 000 : € 0,08221
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)Gate livello logico, comando 0,9V50V200mA2,2ohm a 200mA, 4,5V800mV a 1mA-26pF a 10V120mW150°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-563, SOT-666EMT6
SOT363
2N7002BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
129 000
In magazzino
1 : € 0,44000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,08221
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)Porta a livello logico60V300mA1,6ohm a 500mA, 10V2,1V a 250µA0,6nC a 4,5V50pF a 10V295mW150°C (TJ)A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT-563
SSM6L36FE,LM
MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6
Toshiba Semiconductor and Storage
53 865
In magazzino
1 : € 0,41000
Nastro pre-tagliato (CT)
4 000 : € 0,08410
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)Canale N e PPorta a livello logico20V500mA, 330mA630mohm a 200mA, 5V1V a 1mA1,23nC a 4V46pF a 10V150mW150°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-563, SOT-666ES6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
495 429
In magazzino
1 : € 0,36000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,08704
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)Gate livello logico, comando 0,9V50V200mA2,2ohm a 200mA, 4,5V800mV a 1mA-26pF a 10V120mW150°C (TJ)A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-363UMT6
SOT666
NX3020NAKV,115
MOSFET 2N-CH 30V 200MA SOT666
Nexperia USA Inc.
8 135
In magazzino
1 : € 0,37000
Nastro pre-tagliato (CT)
4 000 : € 0,08855
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Non per nuovi progettiMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)Porta a livello logico30V200mA4,5ohm a 100mA, 10V1,5V a 250µA0,44nC a 4,5V13pF a 10V375mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-563, SOT-666SOT-666
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT2G
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
onsemi
81 094
In magazzino
788 000
Factory
1 : € 0,41000
Nastro pre-tagliato (CT)
4 000 : € 0,08860
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)Canale N e PPorta a livello logico20V540mA, 430mA550mohm a 540mA, 4,5V1V a 250µA2,5nC a 4,5V150pF a 16V250mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT363
BSS138BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
413 276
In magazzino
1 : € 0,44000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,08935
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)Porta a livello logico60V320mA1,6ohm a 320m A, 10V1,6V a 250µA0,7nC a 4,5V56pF a 10V445mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
NX3008NBKS,115
MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
63 272
In magazzino
1 : € 0,46000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,09251
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)Porta a livello logico30V350mA1,4ohm a 350m A, 4,5V1,1V a 250µA0,68nC a 4,5V50pF a 15V445mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT-563-6_463A
NTZD3154NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563
onsemi
550 333
In magazzino
1 : € 0,44000
Nastro pre-tagliato (CT)
4 000 : € 0,09383
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)-20V540mA550mohm a 540mA, 4,5V1V a 250µA2,5nC a 4,5V150pF a 16V250mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT 363
NTJD4401NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT363
onsemi
38 675
In magazzino
1 : € 0,44000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,09436
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)Porta a livello logico20V630mA375mohm a 630mA, 4,5V1,5V a 250µA3nC a 4,5V46pF a 20V270mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT 363
NVTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88
onsemi
529 035
In magazzino
1 : € 0,46000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,09625
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)-30V250mA1,5ohm a 10mA, 4V1,5V a 100µA1,3nC a 5V33pF a 5V272mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT363
PMGD280UN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
140 056
In magazzino
1 : € 0,44000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,09745
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Non per nuovi progettiMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)Porta a livello logico20V870mA340mohm a 200mA, 4,5V1V a 250µA0,89nC a 4,5V45pF a 20V400mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
80 335
In magazzino
1 : € 0,44000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,09747
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Non per nuovi progettiMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)Porta a livello logico20V860mA350mohm a 200mA, 4,5V1,5V a 250µA0,72nC a 4,5V34pF a 20V410mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT 363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363
onsemi
302 179
In magazzino
1 : € 0,36000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,09753
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali N (doppio)-30V250mA1,5ohm a 10mA, 4V1,5V a 100µA1,3nC a 5V33pF a 5V272mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-563-6_463A
NTZD3152PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
onsemi
30 800
In magazzino
1 : € 0,47000
Nastro pre-tagliato (CT)
4 000 : € 0,10029
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)2 canali P (doppio)-20V430mA900mohm a 430mA, 4,5V1V a 250µA2,5nC a 4,5V175pF a 16V250mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
onsemi
84 002
In magazzino
1 : € 0,39000
Nastro pre-tagliato (CT)
4 000 : € 0,10680
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoMOSFET (ossido di metallo)Canale N e PPorta a livello logico20V540mA, 430mA550mohm a 540mA, 4,5V1V a 250µA2,5nC a 4,5V150pF a 16V250mW-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeSOT-563, SOT-666SOT-563
Visualizzati
1 - 25
di 5 690

Array FET, MOSFET


I transistor a effetto di campo (FET) sono dispositivi elettronici che utilizzano un campo elettrico per controllare il flusso di corrente. L'applicazione di una tensione al terminale gate altera la conducibilità tra il terminale drain e quello source. I FET sono noti anche come transistor unipolari, infatti il loro funzionamento si basa su un singolo tipo di portatore di carica. I FET funzionano utilizzando elettroni o lacune come portatori di carica, ma non entrambi. I transistor a effetto di campo mostrano generalmente un'impedenza d'ingresso molto alta alle basse frequenze.