64A (Ta) FET, MOSFET singoli

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	Codice produttore	Quantità disponibile	Prezzo	Serie	Contenitore	Stato del prodotto	Tipo FET	Tecnologia	Tensione drain/source (Vdss)	Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	RDSon (max) a Id, Vgs	Vgs(th) max a Id	Carica del gate (Qg) max a Vgs	Vgs (max)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	Funzione FET	Dissipazione di potenza (max)	Temperatura di funzionamento	Grado	Qualifica	Tipo di montaggio	Contenitore del fornitore	Contenitore/involucro
	EPC2071 TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD EPC	14 960 In magazzino	1 : € 6,52000 Nastro pre-tagliato (CT) 1 000 : € 2,72552 Nastrato in bobina (TR)	eGaN®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	GaNFET (nitruro di gallio)	100 V	64A (Ta)	5V	2,2mohm a 30A, 5V	2,5V a 13mA	26 nC @ 5 V	+6V, -4V	3931 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	Stampo	Stampo
	FDD6670S N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor	47 486 Marketplace	251 : € 1,05506 Sfuso	PowerTrench®	Sfuso	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	30 V	64A (Ta)	4,5V, 10V	9mohm a 13,8A, 10V	3V a 1mA	24 nC @ 10 V	±20V	2010 pF @ 15 V	-	1,3W (Ta)	-55°C ~ 150°C	-	-	A montaggio superficiale	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63

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64A (Ta) FET, MOSFET singoli

I transistor a effetto di campo (FET) discreti sono ampiamente utilizzati nella conversione di potenza, nel controllo motori, nell'illuminazione a stato solido e in altre applicazioni in cui la loro capacità di poter essere accesi e spenti ad alte frequenze mentre trasportano notevoli quantità di corrente rappresenta un vantaggio. Sono utilizzati quasi ovunque per applicazioni che richiedono tensioni nominali di alcune centinaia di volt o meno, al di sopra delle quali diventano più competitivi altri tipi di dispositivi, come gli IGBT.