TO-263-3, D²Pak (2 conduttori + linguetta), TO-263AB FET, MOSFET singoli

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Codice produttore	Quantità disponibile	Prezzo	Serie	Contenitore	Stato del prodotto	Tipo FET	Tecnologia	Tensione drain/source (Vdss)	Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	RDSon (max) a Id, Vgs	Vgs(th) max a Id	Carica del gate (Qg) max a Vgs	Vgs (max)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	Funzione FET	Dissipazione di potenza (max)	Temperatura di funzionamento	Tipo di montaggio	Contenitore del fornitore	Contenitore/involucro

IRF540NSTRLPBF MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK Infineon Technologies	23 551 In magazzino	1 : € 1,38000 Nastro pre-tagliato (CT) 800 : € 0,74526 Nastrato in bobina (TR)	HEXFET®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	100 V	33 A (Tc)	10V	44mohm a 16A, 10V	4V a 250µA	71 nC @ 10 V	±20V	1960 pF @ 25 V	-	130W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	A montaggio superficiale	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 conduttori + linguetta), TO-263AB
IRFZ34NSTRLPBF MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK Infineon Technologies	3 355 In magazzino	1 : € 1,40000 Nastro pre-tagliato (CT) 800 : € 0,75388 Nastrato in bobina (TR)	HEXFET®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	55 V	29 A (Tc)	10V	40mohm a 16A, 10V	4V a 250µA	34 nC @ 10 V	±20V	700 pF @ 25 V	-	3,8W (Ta), 68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	A montaggio superficiale	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 conduttori + linguetta), TO-263AB
IRF1018ESTRLPBF MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK Infineon Technologies	12 704 In magazzino	1 : € 1,34000 Nastro pre-tagliato (CT) 800 : € 0,77271 Nastrato in bobina (TR)	HEXFET®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	79 A (Tc)	10V	8,4mohm a 47A, 10V	4V a 100µA	69 nC @ 10 V	±20V	2290 pF @ 50 V	-	110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	A montaggio superficiale	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 conduttori + linguetta), TO-263AB
IRFS3607TRLPBF MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK Infineon Technologies	28 285 In magazzino	1 : € 1,40000 Nastro pre-tagliato (CT) 800 : € 0,80488 Nastrato in bobina (TR)	HEXFET®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	75 V	80 A (Tc)	10V	9mohm a 46A, 10V	4V a 100µA	84 nC @ 10 V	±20V	3070 pF @ 50 V	-	140W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	A montaggio superficiale	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 conduttori + linguetta), TO-263AB
IRF640NSTRLPBF MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK Infineon Technologies	42 155 In magazzino	1 : € 1,45000 Nastro pre-tagliato (CT) 800 : € 0,80733 Nastrato in bobina (TR)	HEXFET®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	200 V	18 A (Tc)	10V	150mohm a 11A, 10V	4V a 250µA	67 nC @ 10 V	±20V	1160 pF @ 25 V	-	150W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	A montaggio superficiale	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 conduttori + linguetta), TO-263AB
IPB054N08N3GATMA1 MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK Infineon Technologies	3 458 In magazzino	1 : € 1,79000 Nastro pre-tagliato (CT) 1 000 : € 0,85001 Nastrato in bobina (TR)	OptiMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	80 V	80 A (Tc)	6V, 10V	5,4mohm a 80A, 10V	3,5V a 90µA	69 nC @ 10 V	±20V	4750 pF @ 40 V	-	150W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	A montaggio superficiale	PG-TO263-3	TO-263-3, D²Pak (2 conduttori + linguetta), TO-263AB
IPB144N12N3GATMA1 MOSFET N-CH 120V 56A D2PAK Infineon Technologies	4 624 In magazzino	1 : € 1,81000 Nastro pre-tagliato (CT) 1 000 : € 0,89210 Nastrato in bobina (TR)	OptiMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	120 V	56 A (Ta)	10V	14,4mohm a 56A, 10V	4V a 61µA	49 nC @ 10 V	±20V	3220 pF @ 60 V	-	107W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	A montaggio superficiale	PG-TO263-3	TO-263-3, D²Pak (2 conduttori + linguetta), TO-263AB
PHB47NQ10T,118 MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK Nexperia USA Inc.	16 497 In magazzino	1 : € 1,55000 Nastro pre-tagliato (CT) 800 : € 0,91604 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	100 V	47 A (Tc)	10V	28mohm a 25A, 10V	4V a 1mA	66 nC @ 10 V	±20V	3100 pF @ 25 V	-	166W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	A montaggio superficiale	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 conduttori + linguetta), TO-263AB
IRF3710STRLPBF MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK Infineon Technologies	20 025 In magazzino	1 : € 1,71000 Nastro pre-tagliato (CT) 800 : € 0,95836 Nastrato in bobina (TR)	HEXFET®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	100 V	57 A (Tc)	10V	23mohm a 28A, 10V	4V a 250µA	130 nC @ 10 V	±20V	3130 pF @ 25 V	-	200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	A montaggio superficiale	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 conduttori + linguetta), TO-263AB
IRF9540NSTRLPBF MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK Infineon Technologies	3 394 In magazzino	1 : € 1,76000 Nastro pre-tagliato (CT) 800 : € 0,98291 Nastrato in bobina (TR)	HEXFET®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	MOSFET (ossido di metallo)	100 V	23 A (Tc)	10V	117mohm a 14A, 10V	4V a 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	1450 pF @ 25 V	-	3,1W (Ta), 110W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 conduttori + linguetta), TO-263AB
IRL540NSTRLPBF MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK Infineon Technologies	46 519 In magazzino	1 : € 1,77000 Nastro pre-tagliato (CT) 800 : € 0,98721 Nastrato in bobina (TR)	HEXFET®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	100 V	36 A (Tc)	4V, 10V	44mohm a 18A, 10V	2V a 250µA	74 nC @ 5 V	±16V	1800 pF @ 25 V	-	3,8W (Ta), 140W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	A montaggio superficiale	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 conduttori + linguetta), TO-263AB
IRF3710ZSTRLPBF MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK Infineon Technologies	24 830 In magazzino	1 : € 1,73000 Nastro pre-tagliato (CT) 800 : € 1,02979 Nastrato in bobina (TR)	HEXFET®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	100 V	59 A (Tc)	10V	18mohm a 35A, 10V	4V a 250µA	120 nC @ 10 V	±20V	2900 pF @ 25 V	-	160W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	A montaggio superficiale	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 conduttori + linguetta), TO-263AB
IRF1310NSTRLPBF MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK Infineon Technologies	10 320 In magazzino	1 : € 1,87000 Nastro pre-tagliato (CT) 800 : € 1,04739 Nastrato in bobina (TR)	HEXFET®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	100 V	42 A (Tc)	10V	36mohm a 22A, 10V	4V a 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	1900 pF @ 25 V	-	3,8W (Ta), 160W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	A montaggio superficiale	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 conduttori + linguetta), TO-263AB
IRL3803STRLPBF MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK Infineon Technologies	2 905 In magazzino	1 : € 1,99000 Nastro pre-tagliato (CT) 800 : € 1,11119 Nastrato in bobina (TR)	HEXFET®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	30 V	140 A (Tc)	4,5V, 10V	6mohm a 71A, 10V	1V a 250µA	140 nC @ 4.5 V	±16V	5000 pF @ 25 V	-	3,8W (Ta), 200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	A montaggio superficiale	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 conduttori + linguetta), TO-263AB
IRFS7437TRLPBF MOSFET N CH 40V 195A D2PAK Infineon Technologies	5 150 In magazzino	1 : € 1,88000 Nastro pre-tagliato (CT) 800 : € 1,11199 Nastrato in bobina (TR)	HEXFET®, StrongIRFET™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	40 V	195 A (Tc)	6V, 10V	1,8mohm a 100A, 10V	3,9V a 150µA	225 nC @ 10 V	±20V	7330 pF @ 25 V	-	230W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-263AB	TO-263-3, D²Pak (2 conduttori + linguetta), TO-263AB
IRL640STRLPBF MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK Vishay Siliconix	4 202 In magazzino	1 : € 2,04000 Nastro pre-tagliato (CT) 800 : € 1,13763 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	200 V	17 A (Tc)	4V, 5V	180mohm a 10A, 5V	2V a 250µA	66 nC @ 5 V	±10V	1800 pF @ 25 V	-	3,1W (Ta), 125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	D²PAK (TO-263)	TO-263-3, D²Pak (2 conduttori + linguetta), TO-263AB
BUK9608-55B,118 MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Nexperia USA Inc.	43 184 In magazzino	1 : € 2,03000 Nastro pre-tagliato (CT) 800 : € 1,20023 Nastrato in bobina (TR)	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	55 V	75 A (Tc)	5V, 10V	7mohm a 25A, 10V	2V a 1mA	45 nC @ 5 V	±15V	5280 pF @ 25 V	-	203W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	A montaggio superficiale	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 conduttori + linguetta), TO-263AB
IRF540STRLPBF MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK Vishay Siliconix	30 930 In magazzino	1 : € 2,08000 Nastro pre-tagliato (CT) 800 : € 1,23523 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	100 V	28 A (Tc)	10V	77mohm a 17A, 10V	4V a 250µA	72 nC @ 10 V	±20V	1700 pF @ 25 V	-	3,7W (Ta), 150W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	A montaggio superficiale	D²PAK (TO-263)	TO-263-3, D²Pak (2 conduttori + linguetta), TO-263AB
IPB80P04P4L06ATMA2 MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3 Infineon Technologies	4 095 In magazzino	1 : € 2,62000 Nastro pre-tagliato (CT) 1 000 : € 1,24656 Nastrato in bobina (TR)	OptiMOS®-P2	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	MOSFET (ossido di metallo)	40 V	80 A (Tc)	4,5V, 10V	6,7mohm a 80A, 10V	2,2V a 150µA	104 nC @ 10 V	+5V, -16V	6580 pF @ 25 V	-	88W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	A montaggio superficiale	PG-TO263-3-2	TO-263-3, D²Pak (2 conduttori + linguetta), TO-263AB
IRF9640STRLPBF MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK Vishay Siliconix	55 922 In magazzino	1 : € 2,13000 Nastro pre-tagliato (CT) 800 : € 1,26128 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	MOSFET (ossido di metallo)	200 V	11 A (Tc)	10V	500mohm a 6,6A, 10V	4V a 250µA	44 nC @ 10 V	±20V	1200 pF @ 25 V	-	3W (Ta), 125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	D²PAK (TO-263)	TO-263-3, D²Pak (2 conduttori + linguetta), TO-263AB
R6020ENJTL MOSFET N-CH 600V 20A LPTS Rohm Semiconductor	5 733 In magazzino	1 : € 2,47000 Nastro pre-tagliato (CT) 1 000 : € 1,30490 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	600 V	20 A (Tc)	10V	196mohm a 9,5A, 10V	4V a 1mA	60 nC @ 10 V	±20V	1400 pF @ 25 V	-	40W (Tc)	150°C (TJ)	A montaggio superficiale	LPTS	TO-263-3, D²Pak (2 conduttori + linguetta), TO-263AB
IRFS4620TRLPBF MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK Infineon Technologies	31 925 In magazzino	1 : € 2,21000 Nastro pre-tagliato (CT) 800 : € 1,30961 Nastrato in bobina (TR)	HEXFET®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	200 V	24 A (Tc)	10V	77,5mohm a 15A, 10V	5V a 100µA	38 nC @ 10 V	±20V	1710 pF @ 50 V	-	144W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	A montaggio superficiale	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 conduttori + linguetta), TO-263AB
IRF1407STRLPBF MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK Infineon Technologies	8 972 In magazzino	1 : € 2,35000 Nastro pre-tagliato (CT) 800 : € 1,31260 Nastrato in bobina (TR)	HEXFET®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	75 V	100 A (Tc)	10V	7,8mohm a 78A, 10V	4V a 250µA	250 nC @ 10 V	±20V	5600 pF @ 25 V	-	3,8W (Ta), 200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	A montaggio superficiale	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 conduttori + linguetta), TO-263AB
IPB042N10N3GATMA1 MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK Infineon Technologies	39 553 In magazzino	1 : € 2,71000 Nastro pre-tagliato (CT) 1 000 : € 1,28497 Nastrato in bobina (TR)	OptiMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	100 V	100 A (Tc)	6V, 10V	4,2mohm a 50A, 10V	3,5V a 150µA	117 nC @ 10 V	±20V	8410 pF @ 50 V	-	214W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	A montaggio superficiale	PG-TO263-3	TO-263-3, D²Pak (2 conduttori + linguetta), TO-263AB
IRF4905STRLPBF MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK Infineon Technologies	36 283 In magazzino	1 : € 2,50000 Nastro pre-tagliato (CT) 800 : € 1,39425 Nastrato in bobina (TR)	HEXFET®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	MOSFET (ossido di metallo)	55 V	42 A (Tc)	10V	20mohm a 42A, 10V	4V a 250µA	180 nC @ 10 V	±20V	3500 pF @ 25 V	-	170W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 conduttori + linguetta), TO-263AB

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I transistor a effetto di campo (FET) discreti sono ampiamente utilizzati nella conversione di potenza, nel controllo motori, nell'illuminazione a stato solido e in altre applicazioni in cui la loro capacità di poter essere accesi e spenti ad alte frequenze mentre trasportano notevoli quantità di corrente rappresenta un vantaggio. Sono utilizzati quasi ovunque per applicazioni che richiedono tensioni nominali di alcune centinaia di volt o meno, al di sopra delle quali diventano più competitivi altri tipi di dispositivi, come gli IGBT.

TO-263-3, D²Pak (2 conduttori + linguetta), TO-263AB FET, MOSFET singoli

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