GaNFET (nitruro di gallio) FET, MOSFET singoli

Risultati : 182
Produttore
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Cambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpEPCEPC Space, LLCGaNPowerInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiRohm SemiconductorSTMicroelectronicsTagore TechnologyTransphorm
Serie
-CoolGaN™e-GaN®eGaN®FSMD-BICeGaN™SuperGaN®SuperGaN™TP65H070L
Confezionamento
Digi-Reel®Nastrato in bobina (TR)Nastro pre-tagliato (CT)SfusoTuboVassoio
Stato del prodotto
AttivoFuori produzione presso Digi-KeyNon per nuovi progettiObsoleto
Tipo FET
-Canale N
Tensione drain/source (Vdss)
15 V30 V40 V60 V65 V80 V100 V150 V170 V200 V300 V350 V400 V600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
500mA (Ta)1,7 A (Ta)2 A (Ta)3 A (Ta)3,4 A (Ta)3,6 A (Tc)4 A (Ta)4 A (Tc)5 A (Ta)5 A (Tc)5A6 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
0V, 6V5V5V, 5,5V6V8V9V, 20V10V12V-
RDSon (max) a Id, Vgs
1,1mohm a 50A, 5V1,3mohm a 40A, 5V1,5mohm a 37A, 5V1,55mohm a 37A, 5V1,8mohm a 50A, 5V2,2mohm a 29A, 5V2,2mohm a 30A, 5V2,2mohm a 31A, 5V2,4mohm a 30A, 5V2,5mohm a 29A, 5V2,6mohm a 30A, 5V3,1mohm a 32A, 5V
Vgs(th) max a Id
1,2V a 3,5mA1,4V a 1,75mA1,6V a 2,6mA1,6V a 530µA1,6V a 690µA1,6V a 960µA2,1V a 5mA2,3V a 5mA2,4V a 18mA2,5V a 1,2mA2,5V a 1,5mA2,5V a 100µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.45 nC @ 5 V0.48 nC @ 5 V0.75 nC @ 6 V0.83 nC @ 5 V0.91 nC @ 5 V0.93 nC @ 5 V1.1 nC @ 5 V1.15 nC @ 5 V1.3 nC @ 5 V
Vgs (max)
-10V+5.75V, -4V+6V, -10V+6V, -4V+6V, -5V6V+7V, -1,4V+7V, -6V+7,5V, -12V±10V±12V±18V+20V, -1V±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
8.4 pF @ 50 V10 pF @ 32.5 V14 pF @ 50 V21 pF @ 32.5 V28 pF @ 400 V45 pF @ 400 V52 pF @ 20 V52 pF @ 32.5 V55 pF @ 400 V55 pF @ 50 V87.7 pF @ 400 V88 pF @ 50 V
Funzione FET
-Rilevamento della correnteStandard
Dissipazione di potenza (max)
1,1W (Ta), 84W (Tc)13,2W (Tc)21W (Tc)28W41,6W (Tc)52W (Tc)55,5W (Tc)56W (Tc)62,5W (Tc)65W (Tc)69W (Tc)81W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 175°C (TJ)-40°C ~ 125°C (TJ)-40°C ~ 150°C (TJ)0°C ~ 150°C (TJ)150°C (TJ)-
Tipo di montaggio
-A montaggio superficialeForo passanteMontaggio superficiale, fianchi impregnabili
Contenitore del fornitore
3-FCLGA (3,2x2,2)3-PQFN (5x6)3-PQFN (8x8)4-PQFN (8x8)4-SMD7-QFN (3x5)8-DFN (5x6)8-DFN (8x8)8-PQFN (5x6)8-PQFN (8x8)8-WLCSP (3,5x2,13)16-DFN (8x8)
Contenitore/involucro
3-PowerDFN3-PowerTDFN3-VLGA4-PowerDFN4-SMD, senza piombo7-PowerWQFN8-LDFN piazzola esposta8-PowerDFN8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-VDFN Piazzola esposta
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Supporti
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Codice produttore
Quantità disponibile
Prezzo
Serie
Contenitore
Stato del prodotto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
RDSon (max) a Id, Vgs
Vgs(th) max a Id
Carica del gate (Qg) max a Vgs
Vgs (max)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
Funzione FET
Dissipazione di potenza (max)
Temperatura di funzionamento
Grado
Qualifica
Tipo di montaggio
Contenitore del fornitore
Contenitore/involucro
EPC2051
EPC2051
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
12 623
In magazzino
1 : € 1,20000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,49586
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V1,7 A (Ta)5V25mohm a 3A, 5V2,5V a 1,5mA2.1 nC @ 5 V+6V, -4V258 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2037
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
688 140
In magazzino
1 : € 1,30000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,53501
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V1,7 A (Ta)5V550mohm a 100mA, 5V2,5V a 80µA0.12 nC @ 5 V+6V, -4V14 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2038
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
EPC
83 150
In magazzino
1 : € 1,30000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,53501
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V500mA (Ta)5V3,3ohm a 50mA, 5V2,5V a 20µA0.044 nC @ 5 V+6V, -4V8.4 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2036
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
15 303
In magazzino
1 : € 1,30000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,53501
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V1,7 A (Ta)5V65mohm a 1A, 5V2,5V a 600µA0.91 nC @ 5 V+6V, -4V90 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2014C
GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
EPC
63 106
In magazzino
1 : € 1,51000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,62635
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)40 V10 A (Ta)5V16mohm a 10A, 5V2,5V a 2mA2.5 nC @ 5 V+6V, -4V300 pF @ 20 V---40°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2052
EPC2052
GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
EPC
106 669
In magazzino
1 : € 1,44000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,64843
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V8,2 A (Ta)5V13,5mohm a 11A, 5V2,5V a 3mA4.5 nC @ 5 V+6V, -4V575 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2039
GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
EPC
46 642
In magazzino
1 : € 1,50000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,67386
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Non per nuovi progettiCanale NGaNFET (nitruro di gallio)80 V6,8 A (Ta)5V25mohm a 6A, 5V2,5V a 2mA2.4 nC @ 5 V+6V, -4V210 pF @ 40 V---40°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2252
EPC2252
TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGA
EPC
15 805
In magazzino
1 : € 1,69000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,76286
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)80 V8,2 A (Ta)-11mohm a 11A, 5V2,5V a 2,5mA4.3 nC @ 5 V+6V, -4V576 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2054
EPC2054
TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
EPC
41 330
In magazzino
1 : € 1,61000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,84239
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)200 V3 A (Ta)5V43mohm a 1A, 5V2,5V a 1mA4.3 nC @ 5 V+6V, -4V573 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2007C
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
EPC
34 519
In magazzino
1 : € 2,14000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,96629
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Non per nuovi progettiCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V6 A (Ta)5V30mohm a 6A, 5V2,5V a 1,2mA2.2 nC @ 5 V+6V, -4V220 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC8010
GANFET N-CH 100V 4A DIE
EPC
11 475
In magazzino
1 : € 2,14000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,96629
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V4 A (Ta)5V160mohm a 500mA, 5V2,5V a 250µA0.48 nC @ 5 V+6V, -4V55 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
EPC
93 917
In magazzino
1 : € 2,28000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 1,02986
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V29 A (Ta)5V6mohm a 16A, 5V2,5V a 4mA7.4 nC @ 5 V+6V, -4V851 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2055
EPC2055
GANFET N-CH 40V 29A DIE
EPC
42 055
In magazzino
1 : € 2,31000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 1,04257
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)40 V29 A (Ta)5V3,6mohm a 15A, 5V2,5V a 7mA8.5 nC @ 5 V+6V, -4V1111 pF @ 20 VStandard--40°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2016C
GANFET N-CH 100V 18A DIE
EPC
178 108
In magazzino
1 : € 2,45000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 1,10615
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Non per nuovi progettiCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V18 A (Ta)5V16mohm a 11A, 5V2,5V a 3mA4.5 nC @ 5 V+6V, -4V420 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2204A
EPC2204A
TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
EPC
25 363
In magazzino
1 : € 2,74000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 1,23583
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)80 V29 A (Ta)5V6mohm a 16A, 5V2,5V a 4mA7.4 nC @ 5 V+6V, -4V851 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)AutomobilisticoAEC-Q101A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
EPC
19 329
In magazzino
1 : € 2,76000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 1,24600
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)200 V5 A (Ta)5V100mohm a 3A, 5V2,5V a 1mA1.3 nC @ 5 V+6V, -4V140 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2202
EPC2202
GANFET N-CH 80V 18A DIE
EPC
58 402
In magazzino
1 : € 2,61000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 1,27019
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Non per nuovi progettiCanale NGaNFET (nitruro di gallio)80 V18 A (Ta)5V17mohm a 11A, 5V2,5V a 3mA4 nC @ 5 V+5.75V, -4V415 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)AutomobilisticoAEC-Q101A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2212
EPC2212
GANFET N-CH 100V 18A DIE
EPC
167 662
In magazzino
1 : € 2,69000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 1,30718
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Non per nuovi progettiCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V18 A (Ta)5V13,5mohm a 11A, 5V2,5V a 3mA4 nC @ 5 V+6V, -4V407 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC8004
GANFET N-CH 40V 4A DIE
EPC
10 589
In magazzino
1 : € 3,02000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 1,46750
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)40 V4 A (Ta)5V110mohm a 500mA, 5V2,5V a 250µA0.45 nC @ 5 V+6V, -4V52 pF @ 20 V---40°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2065
EPC2065
GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
EPC
5 116
In magazzino
1 : € 3,04000
Nastro pre-tagliato (CT)
1 000 : € 1,57161
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)80 V60 A (Ta)5V3,6mohm a 25A, 5V2,5V a 7mA12.2 nC @ 5 V+6V, -4V1449 pF @ 40 VStandard--40°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeStampoStampo
EPC22xx
EPC2207
TRANS GAN 200V DIE .022OHM
EPC
15 609
In magazzino
1 : € 3,52000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 1,71414
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)200 V14 A (Ta)5V22mohm a 14A, 5V2,5V a 2mA5.9 nC @ 5 V+6V, -4V600 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
EPC
32 324
In magazzino
1 : € 3,55000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 1,72647
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Non per nuovi progettiCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V16 A (Ta)5V7mohm a 16A, 5V2,5V a 5mA6.5 nC @ 5 V+6V, -4V685 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2019
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
EPC
97 215
In magazzino
1 : € 3,67000
Nastro pre-tagliato (CT)
1 000 : € 1,89902
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Non per nuovi progettiCanale NGaNFET (nitruro di gallio)200 V8,5 A (Ta)5V42mohm a 7A, 5V2,5V a 1,5mA2.9 nC @ 5 V+6V, -4V288 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2059
EPC2059
TRANS GAN 170V DIE .009OHM
EPC
31 475
In magazzino
1 : € 4,05000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 1,97311
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)170 V24 A (Ta)5V9mohm a 10A, 5V2,5V a 3mA7.4 nC @ 5 V+6V, -4V836 pF @ 85 V---40°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2015C
GANFET N-CH 40V 53A DIE
EPC
19 688
In magazzino
1 : € 4,64000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 2,25675
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Non per nuovi progettiCanale NGaNFET (nitruro di gallio)40 V53 A (Ta)5V4mohm a 33A, 5V2,5V a 9mA8.7 nC @ 5 V+6V, -4V1180 pF @ 20 V---40°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeStampoStampo
Visualizzati
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GaNFET (nitruro di gallio) FET, MOSFET singoli

I transistor a effetto di campo (FET) discreti sono ampiamente utilizzati nella conversione di potenza, nel controllo motori, nell'illuminazione a stato solido e in altre applicazioni in cui la loro capacità di poter essere accesi e spenti ad alte frequenze mentre trasportano notevoli quantità di corrente rappresenta un vantaggio. Sono utilizzati quasi ovunque per applicazioni che richiedono tensioni nominali di alcune centinaia di volt o meno, al di sopra delle quali diventano più competitivi altri tipi di dispositivi, come gli IGBT.