GaNFET (nitruro di gallio) FET, MOSFET singoli

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Codice produttore	Quantità disponibile	Prezzo	Serie	Contenitore	Stato del prodotto	Tipo FET	Tecnologia	Tensione drain/source (Vdss)	Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	RDSon (max) a Id, Vgs	Vgs(th) max a Id	Carica del gate (Qg) max a Vgs	Vgs (max)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	Funzione FET	Dissipazione di potenza (max)	Temperatura di funzionamento	Grado	Qualifica	Tipo di montaggio	Contenitore del fornitore	Contenitore/involucro
EPC2203 GANFET N-CH 80V 1.7A DIE EPC	66 435 In magazzino	1 : € 1,40000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,37544 Nastrato in bobina (TR)	eGaN®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	GaNFET (nitruro di gallio)	80 V	1,7 A (Ta)	5V	80mohm a 1A, 5V	2,5V a 600µA	0.83 nC @ 5 V	+5.75V, -4V	88 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	Stampo	Stampo
EPC2051 GANFET N-CH 100V 1.7A DIE EPC	29 423 In magazzino	1 : € 1,77000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,49424 Nastrato in bobina (TR)	eGaN®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	GaNFET (nitruro di gallio)	100 V	1,7 A (Ta)	5V	25mohm a 3A, 5V	2,5V a 1,5mA	2.1 nC @ 5 V	+6V, -4V	258 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	Stampo	Stampo
EPC2038 GANFET N-CH 100V 500MA DIE EPC	154 485 In magazzino	1 : € 1,88000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,48780 Nastrato in bobina (TR)	eGaN®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	GaNFET (nitruro di gallio)	100 V	500mA (Ta)	5V	3,3ohm a 50mA, 5V	2,5V a 20µA	0.044 nC @ 5 V	+6V, -4V	8.4 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	Stampo	Stampo
EPC2035 GANFET N-CH 60V 1.7A DIE EPC	28 715 In magazzino	1 : € 1,88000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,52744 Nastrato in bobina (TR)	eGaN®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	GaNFET (nitruro di gallio)	60 V	1,7 A (Ta)	5V	45mohm a 1A, 5V	2,5V a 800µA	1.15 nC @ 5 V	+6V, -4V	115 pF @ 30 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	Stampo	Stampo
EPC2036 GANFET N-CH 100V 1.7A DIE EPC	13 774 In magazzino	1 : € 1,88000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,52744 Nastrato in bobina (TR)	eGaN®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	GaNFET (nitruro di gallio)	100 V	1,7 A (Ta)	5V	65mohm a 1A, 5V	2,5V a 600µA	0.91 nC @ 5 V	+6V, -4V	90 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	Stampo	Stampo
EPC2216 GANFET N-CH 15V 3.4A DIE EPC	32 583 In magazzino	1 : € 1,90000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,49970 Nastrato in bobina (TR)	eGaN®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	GaNFET (nitruro di gallio)	15 V	3,4 A (Ta)	5V	26mohm a 1,5A, 5V	2,5V a 1mA	1.1 nC @ 5 V	+6V, -4V	118 pF @ 7.5 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	Stampo	Stampo
EPC2014C GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE EPC	25 628 In magazzino	1 : € 2,09000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,60391 Nastrato in bobina (TR)	eGaN®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	GaNFET (nitruro di gallio)	40 V	10 A (Ta)	5V	16mohm a 10A, 5V	2,5V a 2mA	2.5 nC @ 5 V	+6V, -4V	300 pF @ 20 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	Stampo	Stampo
EPC2052 GANFET N-CH 100V 8.2A DIE EPC	121 556 In magazzino	1 : € 2,19000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,63630 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	GaNFET (nitruro di gallio)	100 V	8,2 A (Ta)	5V	13,5mohm a 11A, 5V	2,5V a 3mA	4.5 nC @ 5 V	+6V, -4V	575 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	Stampo	Stampo
EPC2039 GANFET N-CH 80V 6.8A DIE EPC	6 212 In magazzino	1 : € 2,26000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,65779 Nastrato in bobina (TR)	eGaN®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	Canale N	GaNFET (nitruro di gallio)	80 V	6,8 A (Ta)	5V	25mohm a 6A, 5V	2,5V a 2mA	2.4 nC @ 5 V	+6V, -4V	210 pF @ 40 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	Stampo	Stampo
EPC2214 GANFET N-CH 80V 10A DIE EPC	9 832 In magazzino	1 : € 2,38000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,70051 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	GaNFET (nitruro di gallio)	80 V	10 A (Ta)	5V	20mohm a 6A, 5V	2,5V a 2mA	2.2 nC @ 5 V	+6V, -4V	238 pF @ 40 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	Stampo	Stampo
EPC2054 TRANS GAN 200V DIE 43MOHM EPC	430 In magazzino	1 : € 2,38000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,72337 Nastrato in bobina (TR)	eGaN®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	GaNFET (nitruro di gallio)	200 V	3 A (Ta)	5V	43mohm a 1A, 5V	2,5V a 1mA	4.3 nC @ 5 V	+6V, -4V	573 pF @ 100 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	Stampo	Stampo
EPC2252 TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGA EPC	17 859 In magazzino	1 : € 2,47000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,73234 Nastrato in bobina (TR)	eGaN®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	GaNFET (nitruro di gallio)	80 V	8,2 A (Ta)	-	11mohm a 11A, 5V	2,5V a 2,5mA	4.3 nC @ 5 V	+6V, -4V	576 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	Stampo	Stampo
EPC2007C GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE EPC	11 387 In magazzino	1 : € 2,93000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,90421 Nastrato in bobina (TR)	eGaN®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	Canale N	GaNFET (nitruro di gallio)	100 V	6 A (Ta)	5V	30mohm a 6A, 5V	2,5V a 1,2mA	2.2 nC @ 5 V	+6V, -4V	220 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	Stampo	Stampo
EPC8010 GANFET N-CH 100V 4A DIE EPC	9 465 In magazzino	1 : € 2,93000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,90421 Nastrato in bobina (TR)	eGaN®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	GaNFET (nitruro di gallio)	100 V	4 A (Ta)	5V	160mohm a 500mA, 5V	2,5V a 250µA	0.48 nC @ 5 V	+6V, -4V	55 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	Stampo	Stampo
EPC2204 TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM EPC	266 257 In magazzino	1 : € 3,07000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,96370 Nastrato in bobina (TR)	eGaN®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	GaNFET (nitruro di gallio)	100 V	29 A (Ta)	5V	6mohm a 16A, 5V	2,5V a 4mA	7.4 nC @ 5 V	+6V, -4V	851 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	Stampo	Stampo
EPC2207 TRANS GAN 200V DIE .022OHM EPC	27 115 In magazzino	1 : € 3,10000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,97490 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	GaNFET (nitruro di gallio)	200 V	14 A (Ta)	5V	22mohm a 14A, 5V	2,5V a 2mA	5.9 nC @ 5 V	+6V, -4V	600 pF @ 100 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	Stampo	Stampo
EPC2055 GANFET N-CH 40V 29A DIE EPC	8 981 In magazzino	1 : € 3,10000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,97560 Nastrato in bobina (TR)	eGaN®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	GaNFET (nitruro di gallio)	40 V	29 A (Ta)	5V	3,6mohm a 15A, 5V	2,5V a 7mA	8.5 nC @ 5 V	+6V, -4V	1111 pF @ 20 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	Stampo	Stampo
EPC2016C GANFET N-CH 100V 18A DIE EPC	115 570 In magazzino	1 : € 3,24000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 1,03508 Nastrato in bobina (TR)	eGaN®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	Canale N	GaNFET (nitruro di gallio)	100 V	18 A (Ta)	5V	16mohm a 11A, 5V	2,5V a 3mA	4.5 nC @ 5 V	+6V, -4V	420 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	Stampo	Stampo
EPC2204A TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101 EPC	16 007 In magazzino	1 : € 3,51000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 1,15644 Nastrato in bobina (TR)	eGaN®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	GaNFET (nitruro di gallio)	80 V	29 A (Ta)	5V	6mohm a 16A, 5V	2,5V a 4mA	7.4 nC @ 5 V	+6V, -4V	851 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	Stampo	Stampo
EPC2012C GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE EPC	19 265 In magazzino	1 : € 3,53000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 1,16596 Nastrato in bobina (TR)	eGaN®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	GaNFET (nitruro di gallio)	200 V	5 A (Ta)	5V	100mohm a 3A, 5V	2,5V a 1mA	1.3 nC @ 5 V	+6V, -4V	140 pF @ 100 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	Stampo	Stampo
EPC2212 GANFET N-CH 100V 18A DIE EPC	136 011 In magazzino	1 : € 3,75000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 1,26114 Nastrato in bobina (TR)	eGaN®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	Canale N	GaNFET (nitruro di gallio)	100 V	18 A (Ta)	5V	13,5mohm a 11A, 5V	2,5V a 3mA	4 nC @ 5 V	+6V, -4V	407 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	Stampo	Stampo
EPC8004 GANFET N-CH 40V 4A DIE EPC	5 189 In magazzino	1 : € 4,08000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 1,41580 Nastrato in bobina (TR)	eGaN®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	GaNFET (nitruro di gallio)	40 V	4 A (Ta)	5V	110mohm a 500mA, 5V	2,5V a 250µA	0.45 nC @ 5 V	+6V, -4V	52 pF @ 20 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	Stampo	Stampo
EPC2065 GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE EPC	2 721 In magazzino	1 : € 4,10000 Nastro pre-tagliato (CT) 1 000 : € 1,46232 Nastrato in bobina (TR)	eGaN®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	GaNFET (nitruro di gallio)	80 V	60 A (Ta)	5V	3,6mohm a 25A, 5V	2,5V a 7mA	12.2 nC @ 5 V	+6V, -4V	1449 pF @ 40 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	Stampo	Stampo
EPC8002 GANFET N-CH 65V 2A DIE EPC	45 997 In magazzino	1 : € 4,18000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 1,46339 Nastrato in bobina (TR)	eGaN®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	GaNFET (nitruro di gallio)	65 V	2 A (Ta)	5V	530mohm a 500mA, 5V	2,5V a 250µA	-	+6V, -4V	21 pF @ 32.5 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	Stampo	Stampo
EPC2059 TRANS GAN 170V DIE .009OHM EPC	15 637 In magazzino	1 : € 4,21000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 1,47529 Nastrato in bobina (TR)	eGaN®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	GaNFET (nitruro di gallio)	170 V	24 A (Ta)	5V	9mohm a 10A, 5V	2,5V a 3mA	7.4 nC @ 5 V	+6V, -4V	836 pF @ 85 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	Stampo	Stampo

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I transistor a effetto di campo (FET) discreti sono ampiamente utilizzati nella conversione di potenza, nel controllo motori, nell'illuminazione a stato solido e in altre applicazioni in cui la loro capacità di poter essere accesi e spenti ad alte frequenze mentre trasportano notevoli quantità di corrente rappresenta un vantaggio. Sono utilizzati quasi ovunque per applicazioni che richiedono tensioni nominali di alcune centinaia di volt o meno, al di sopra delle quali diventano più competitivi altri tipi di dispositivi, come gli IGBT.

GaNFET (nitruro di gallio) FET, MOSFET singoli

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