Canale N FET, MOSFET singoli

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Codice produttore	Quantità disponibile	Prezzo	Serie	Contenitore	Stato del prodotto	Tipo FET	Tecnologia	Tensione drain/source (Vdss)	Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	RDSon (max) a Id, Vgs	Vgs(th) max a Id	Carica del gate (Qg) max a Vgs	Vgs (max)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	Funzione FET	Dissipazione di potenza (max)	Temperatura di funzionamento	Tipo di montaggio	Contenitore del fornitore	Contenitore/involucro

DMN65D8L-7 MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23 Diodes Incorporated	546 067 In magazzino 2 412 000 Fabbrica	1 : € 0,16000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,02774 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	310mA (Ta)	5V, 10V	3ohm a 115mA, 10V	2V a 250µA	0.87 nC @ 10 V	±20V	22 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN63D8LW-13 MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323 Diodes Incorporated	48 277 In magazzino 590 000 Fabbrica	1 : € 0,22000 Nastro pre-tagliato (CT) 10 000 : € 0,02831 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	30 V	380mA (Ta)	2,5V, 10V	2,8ohm a 250mA, 10V	1,5V a 250µA	0.9 nC @ 10 V	±20V	23.2 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	SOT-323	SC-70, SOT-323
2N7002-TP MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 Micro Commercial Co	30 892 In magazzino	1 : € 0,16000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,02847 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5ohm a 500mA, 10V	2,5V a 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	200mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN67D8LW-13 MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323 Diodes Incorporated	364 116 In magazzino 130 000 Fabbrica	1 : € 0,22000 Nastro pre-tagliato (CT) 10 000 : € 0,02878 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	240mA (Ta)	5V, 10V	5ohm a 500mA, 10V	2,5V a 250µA	0.82 nC @ 10 V	±30V	22 pF @ 25 V	-	320mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	SOT-323	SC-70, SOT-323
2N7002P,235 MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB Nexperia USA Inc.	1 419 531 In magazzino	1 : € 0,22000 Nastro pre-tagliato (CT) 10 000 : € 0,02910 Nastrato in bobina (TR)	Automotive, AEC-Q101	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	360mA (Ta)	10V	1,6ohm a 500mA, 10V	2,4V a 250µA	0.8 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 10 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Diodes Incorporated	1 377 591 In magazzino	1 : € 0,18000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,03121 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5ohm a 50mA, 5V	2,5V a 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002WT1G MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 onsemi	39 354 In magazzino	1 : € 0,19000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,03359 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	310mA (Ta)	4,5V, 10V	1,6ohm a 500mA, 10V	2,5V a 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	24.5 pF @ 20 V	-	280mW (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	SC-70-3 (SOT323)	SC-70, SOT-323
SSM3K35CTC,L3F MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C Toshiba Semiconductor and Storage	188 137 In magazzino	1 : € 0,29000 Nastro pre-tagliato (CT) 10 000 : € 0,03640 Nastrato in bobina (TR)	U-MOSIII	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	20 V	250mA (Ta)	1,2V, 4,5V	1,1ohm a 150mA, 4,5V	1V a 100µA	0.34 nC @ 4.5 V	±10V	36 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	150°C (TJ)	A montaggio superficiale	CST3C	SC-101, SOT-883
NTR5103NT1G MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 onsemi	107 276 In magazzino	1 : € 0,22000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,03680 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	260mA (Ta)	4,5V, 10V	2,5ohm a 240mA, 10V	2,6V a 250µA	0.81 nC @ 5 V	±30V	40 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138K-13 MOSFET N-CH 50V 310MA SOT23 Diodes Incorporated	181 743 In magazzino 570 000 Fabbrica	1 : € 0,29000 Nastro pre-tagliato (CT) 10 000 : € 0,03732 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	50 V	310mA (Ta)	10V	3,5ohm a 220mA, 10V	1,5V a 250µA	0.95 nC @ 10 V	±20V	23.2 pF @ 25 V	-	380mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN63D8L-7 MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23 Diodes Incorporated	535 178 In magazzino 276 000 Fabbrica	1 : € 0,22000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,03680 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	30 V	350mA (Ta)	2,5V, 10V	2,8ohm a 250mA, 10V	1,5V a 250µA	0.9 nC @ 10 V	±20V	23.2 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138P,215 MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB Nexperia USA Inc.	787 556 In magazzino	1 : € 0,23000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,03865 Nastrato in bobina (TR)	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	360mA (Ta)	10V	1,6ohm a 300mA, 10V	1,5V a 250µA	0.8 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 10 V	-	350mW (Ta), 1,14W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TA)	A montaggio superficiale	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002P,215 MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB Nexperia USA Inc.	1 328 797 In magazzino	1 : € 0,22000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,03937 Nastrato in bobina (TR)	Automotive, AEC-Q100	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	360mA (Ta)	10V	1,6ohm a 500mA, 10V	2,4V a 250µA	0.8 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 10 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002BK,215 MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB Nexperia USA Inc.	1 042 078 In magazzino	1 : € 0,25000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,04173 Nastrato in bobina (TR)	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	350mA (Ta)	10V	1,6ohm a 500mA, 10V	2,1V a 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 10 V	-	370mW (Ta)	150°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
T2N7002AK,LM MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Toshiba Semiconductor and Storage	525 007 In magazzino	1 : € 0,14000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,04242 Nastrato in bobina (TR)	U-MOSVII-H	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	200mA (Ta)	4,5V, 10V	3,9ohm a 100mA, 10V	2,1V a 250µA	0.35 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	A montaggio superficiale	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002,215 MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Nexperia USA Inc.	844 542 In magazzino	1 : € 0,26000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,04377 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	300mA (Tc)	10V	5ohm a 500mA, 10V	2,5V a 250µA	-	±30V	50 pF @ 10 V	-	830mW (Ta)	-65°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138PW,115 MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323 Nexperia USA Inc.	1 207 790 In magazzino	1 : € 0,26000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,04379 Nastrato in bobina (TR)	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	320mA (Ta)	10V	1,6ohm a 300mA, 10V	1,5V a 250µA	0.8 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 10 V	-	260mW (Ta), 830mW (Tc)	-55°C ~ 150°C (TA)	A montaggio superficiale	SOT-323	SC-70, SOT-323
DMN61D9UWQ-13 MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323 Diodes Incorporated	188 646 In magazzino 9 900 000 Fabbrica	1 : € 0,32000 Nastro pre-tagliato (CT) 10 000 : € 0,04822 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	400mA (Ta)	1,8V, 5V	2ohm a 50mA, 5V	1V a 250µA	0.4 nC @ 4.5 V	±20V	28.5 pF @ 30 V	-	440mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	SOT-323	SC-70, SOT-323
BSS138W-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323 Diodes Incorporated	1 044 524 In magazzino	1 : € 0,28000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,04667 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	50 V	200mA (Ta)	10V	3,5ohm a 220mA, 10V	1,5V a 250µA	-	±20V	50 pF @ 10 V	-	200mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	SOT-323	SC-70, SOT-323
RUC002N05T116 MOSFET N-CH 50V 200MA SST3 Rohm Semiconductor	656 580 In magazzino	1 : € 0,29000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,04921 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	50 V	200mA (Ta)	1,2V, 4,5V	2,2ohm a 200mA, 4,5V	1V a 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	200mW (Ta)	150°C (TJ)	A montaggio superficiale	SST3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS123,215 MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB Nexperia USA Inc.	343 619 In magazzino	1 : € 0,29000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,04921 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	100 V	150mA (Ta)	10V	6ohm a 120mA, 10V	2,8V a 1mA	-	±20V	40 pF @ 25 V	-	250mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PMZB600UNELYL MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3 Nexperia USA Inc.	257 151 In magazzino	1 : € 0,33000 Nastro pre-tagliato (CT) 10 000 : € 0,04935 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	20 V	600mA (Ta)	1,2V, 4,5V	620mohm a 600mA, 4,5V	950mV a 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±8V	21.3 pF @ 10 V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	DFN1006B-3	3-XFDFN
FDV301N MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23 onsemi	338 639 In magazzino	1 : € 0,30000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,05057 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	25 V	220mA (Ta)	2,7V, 4,5V	4ohm a 400mA, 4,5V	1,06V a 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±8V	9.5 pF @ 10 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG1012T-7 MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523 Diodes Incorporated	58 073 In magazzino	1 : € 0,29000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,04872 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	20 V	630mA (Ta)	1,8V, 4,5V	400mohm a 600mA, 4,5V	1V a 250µA	0.74 nC @ 4.5 V	±6V	60.67 pF @ 16 V	-	280mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	SOT-523	SOT-523
DMN62D0U-7 MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23 Diodes Incorporated	206 251 In magazzino 111 000 Fabbrica	1 : € 0,29000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,04975 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	380mA (Ta)	1,8V, 4,5V	2ohm a 100mA, 4,5V	1V a 250µA	0.5 nC @ 4.5 V	±20V	32 pF @ 30 V	-	380mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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I transistor a effetto di campo (FET) discreti sono ampiamente utilizzati nella conversione di potenza, nel controllo motori, nell'illuminazione a stato solido e in altre applicazioni in cui la loro capacità di poter essere accesi e spenti ad alte frequenze mentre trasportano notevoli quantità di corrente rappresenta un vantaggio. Sono utilizzati quasi ovunque per applicazioni che richiedono tensioni nominali di alcune centinaia di volt o meno, al di sopra delle quali diventano più competitivi altri tipi di dispositivi, come gli IGBT.

Canale N FET, MOSFET singoli

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