Canale N FET, MOSFET singoli

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Produttore
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEPC Space, LLCEVVOFairchild Semiconductor
Serie
-*2N7002KAlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™AP4NA2R2HCAutomotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
Confezionamento
BustaDigi-Reel®Nastrato in bobina (TR)Nastrato in scatola (TB)Nastro pre-tagliato (CT)ScatolaSfusoStrisciaTuboVassoio
Stato del prodotto
AttivoData di acquisto finaleFuori produzione presso Digi-KeyNon per nuovi progettiObsoleto
Tecnologia
-GaNFET (FET cascode al nitruro di gallio)GaNFET (nitruro di gallio)MOSFET (ossido di metallo)SiC (transistor di giunzione al carburo di silicio)SiCFET (carburo di silicio)SiCFET (SiCJFET cascode)
Tensione drain/source (Vdss)
5 V5.5 V8 V9 V10 V12 V15 V16 V18 V20 V22 V24 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)40mA (Ta)50mA (Ta)50mA (Tj)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
0V0V, 10V0V, 18V0V, 6V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V1,5V
RDSon (max) a Id, Vgs
0,29mohm a 50A, 10V0,3mohm a 200A, 10V0,35mohm a 50A, 10V0,39mohm a 100A, 10V0,4mohm a 150A, 10V0,4mohm a 30A, 10V0.4 mohm a 50A, 10V0,42mohm a 50A, 10V0,44mohm a 88A, 10V0,45mohm a 30A, 10V0,45mohm a 50A, 10V0,45mohm a 60A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
400mV a 1mA (min)400mV a 250µA400mV a 250µA (min)450mV a 1mA (min)450mV a 250µA (min)450mV a 2mA (min)500mV a 250µA (min)570mV a 1mA (tip.)600mV a 1,2mA (min)600mV a 1mA (min)600mV a 250µA (min)650mV a 1mA (min)
Carica del gate (Qg) max a Vgs
0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.21 nC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V0.3 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
-10V-10V, +20V-8V, +19V+0,6V, -12V4,2V a 1mA±5V+5,5V, -0,3V+5,5V, -300mV+5,5V, -4V±5,5V+5.75V, -4V+6V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2.195 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 3 V7 pF @ 10 V7.1 pF @ 10 V
Funzione FET
-Diodo di rilevamento temperaturaDiodo Schottky (body)Diodo Schottky (isolato)Modalità di svuotamentoRilevamento della corrente
Dissipazione di potenza (max)
400µW400µW (Ta)100mW100mW (Ta)120mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW150mW (Ta)150mW (Tc)155mW (Ta)178mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-60°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 100°C-55°C ~ 110°C (TA)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 125°C (TA)-55°C ~ 125°C (TJ)-55°C ~ 135°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-AutomobilisticoMilitare
Qualifica
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/601MIL-PRF-19500/603MIL-PRF-19500/614MIL-STD-750
Tipo di montaggio
-A montaggio superficialeForo passanteMontaggio su telaioMontaggio superficiale, fianchi impregnabili
Contenitore del fornitore
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-FCLGA (3,2x2,2)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-PICOSTAR3-PMCP3-PQFN (5x6)
Contenitore/involucro
2-DFN piazzola esposta3-DFN piazzola esposta3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, conduttori piatti3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, conduttori piatti3-SMD, non standard3-SMD, senza piombo
Opzioni di magazzino
Opzioni ambientali
Supporti
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Codice produttore
Quantità disponibile
Prezzo
Serie
Contenitore
Stato del prodotto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
RDSon (max) a Id, Vgs
Vgs(th) max a Id
Carica del gate (Qg) max a Vgs
Vgs (max)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
Funzione FET
Dissipazione di potenza (max)
Temperatura di funzionamento
Grado
Qualifica
Tipo di montaggio
Contenitore del fornitore
Contenitore/involucro
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
65 278
In magazzino
1 : € 0,14000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,02384
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
190mA (Ta), 300mA (Tc)
5V, 10V
4,5ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
116 731
In magazzino
1 : € 0,16000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,02808
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5ohm a 500mA, 10V
2,5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
NX7002AK,215
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
501 900
In magazzino
1 : € 0,18000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,02995
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
190mA (Ta)
5V, 10V
4,5ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
408 179
In magazzino
1 : € 0,18000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03066
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5ohm a 50mA, 5V
2,5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
216 550
In magazzino
1 : € 0,19000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03191
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
50 V
200mA (Ta)
10V
3,5ohm a 220mA, 10V
1,5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
192 666
In magazzino
58 071 000
Fabbrica
1 : € 0,20000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03292
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
380mA (Ta)
5V, 10V
2ohm a 500mA, 10V
2,5V a 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
250 243
In magazzino
1 : € 0,21000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03393
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
320mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6ohm a 500mA, 10V
2,3V a 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1 398 931
In magazzino
1 : € 0,21000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,02219
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
20 V
200mA (Ta)
1,2V, 2,5V
1,2ohm a 100mA, 2,5V
1V a 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
440 150
In magazzino
1 : € 0,21000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03684
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5ohm a 240mA, 10V
2,5V a 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
420 252
In magazzino
1 : € 0,21000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03615
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
30 V
350mA (Ta)
2,5V, 10V
2,8ohm a 250mA, 10V
1,5V a 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
30 527
In magazzino
1 : € 0,21000
Nastro pre-tagliato (CT)
10 000 : € 0,02796
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1,5ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
CST3
SC-101, SOT-883
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 183 225
In magazzino
1 : € 0,22000
Nastro pre-tagliato (CT)
10 000 : € 0,02145
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Non per nuovi progetti
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6ohm a 500mA, 10V
2,4V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobilistico
AEC-Q101
A montaggio superficiale
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
839 205
In magazzino
1 : € 0,22000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03795
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6ohm a 300mA, 10V
1,5V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TA)
Automobilistico
AEC-Q101
A montaggio superficiale
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
434 026
In magazzino
1 : € 0,22000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03714
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Non per nuovi progetti
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6ohm a 500mA, 10V
2,4V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobilistico
AEC-Q101
A montaggio superficiale
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
88 090
In magazzino
1 : € 0,22000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03726
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5ohm a 240mA, 10V
2,6V a 250µA
0.81 nC @ 5 V
±30V
40 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-101 SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
56 286
In magazzino
1 : € 0,22000
Nastro pre-tagliato (CT)
10 000 : € 0,02857
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
350mA (Ta)
5V, 10V
2,8ohm a 200mA, 10V
2,1V a 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
350W (Ta), 3,1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-883
SC-101, SOT-883
4 630 312
In magazzino
1 : € 0,23000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,04228
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
20 V
800mA (Ta)
1,5V, 4,5V
235mohm a 800mA, 4,5V
1V a 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SSM
SC-75, SOT-416
SOT-23-3
AO3416
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
757 843
In magazzino
1 : € 0,23000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,06994
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Non per nuovi progetti
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
20 V
6,5 A (Ta)
1,8V, 4,5V
22mohm a 6,5A, 4,5V
1V a 250µA
16 nC @ 4.5 V
±8V
1160 pF @ 10 V
-
1,4W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-3
3-SMD, Variante SOT-23-3
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
637 025
In magazzino
1 : € 0,23000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03955
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
50 V
200mA (Ta)
0,9V, 4,5V
2,2ohm a 200mA, 4,5V
800mV a 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
UMT3F
SC-85
TO-236AB
BSH105,215
MOSFET N-CH 20V 1.05A TO236AB
Nexperia USA Inc.
424 772
In magazzino
1 : € 0,23000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,06994
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Non per nuovi progetti
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
20 V
1,05 A (Ta)
1,8V, 4,5V
200mohm a 600mA, 4,5V
570mV a 1mA (tip.)
3.9 nC @ 4.5 V
±8V
152 pF @ 16 V
-
417mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
788 997
In magazzino
1 : € 0,24000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,04098
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
350mA (Ta)
10V
1,6ohm a 500mA, 10V
2,1V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW (Ta)
150°C (TJ)
Automobilistico
AEC-Q101
A montaggio superficiale
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMG6968U-7
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Diodes Incorporated
501 896
In magazzino
1 : € 0,24000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,06518
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Non per nuovi progetti
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
20 V
6,5 A (Ta)
1,8V, 4,5V
25mohm a 6,5A, 4,5V
900mV a 250µA
8.5 nC @ 4.5 V
±12V
151 pF @ 10 V
-
1,3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
155 680
In magazzino
12 483 000
Fabbrica
1 : € 0,24000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,04039
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
100 V
170mA (Ta)
10V
6ohm a 170mA, 10V
2V a 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
915 015
In magazzino
1 : € 0,25000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,04302
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
60 V
320mA (Ta)
10V
1,6ohm a 300mA, 10V
1,5V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW (Ta), 830mW (Tc)
-55°C ~ 150°C (TA)
Automobilistico
AEC-Q101
A montaggio superficiale
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
DMN2005K-7
MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Diodes Incorporated
682 976
In magazzino
270 000
Fabbrica
1 : € 0,25000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,06518
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Canale N
MOSFET (ossido di metallo)
20 V
300mA (Ta)
1,8V, 2,7V
1,7ohm a 200mA, 2,7V
900mV a 100µA
-
±10V
-
-
350mW (Ta)
-65°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Visualizzati
di 32 538

Canale N FET, MOSFET singoli


I transistor a effetto di campo (FET) discreti sono ampiamente utilizzati nella conversione di potenza, nel controllo motori, nell'illuminazione a stato solido e in altre applicazioni in cui la loro capacità di poter essere accesi e spenti ad alte frequenze mentre trasportano notevoli quantità di corrente rappresenta un vantaggio. Sono utilizzati quasi ovunque per applicazioni che richiedono tensioni nominali di alcune centinaia di volt o meno, al di sopra delle quali diventano più competitivi altri tipi di dispositivi, come gli IGBT.