3 A (Ta) FET, MOSFET singoli

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Codice produttore	Quantità disponibile	Prezzo	Serie	Contenitore	Stato del prodotto	Tipo FET	Tecnologia	Tensione drain/source (Vdss)	Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	RDSon (max) a Id, Vgs	Vgs(th) max a Id	Carica del gate (Qg) max a Vgs	Vgs (max)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	Funzione FET	Dissipazione di potenza (max)	Temperatura di funzionamento	Grado	Qualifica	Tipo di montaggio	Contenitore del fornitore	Contenitore/involucro

DMG2301L-7 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Diodes Incorporated	323 668 In magazzino	1 : € 0,31000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,05197 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	MOSFET (ossido di metallo)	20 V	3 A (Ta)	2,5V, 4,5V	120mohm a 2,8A, 4,5V	1,2V a 250µA	5.5 nC @ 4.5 V	±8V	476 pF @ 10 V	-	1,5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AO3414 MOSFET N-CH 20V 3A SOT23-3L Alpha & Omega Semiconductor Inc.	832 050 In magazzino	1 : € 0,44000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07769 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	20 V	3 A (Ta)	1,8V, 4,5V	50mohm a 4,2A, 4,5V	1V a 250µA	6.2 nC @ 4.5 V	±8V	436 pF @ 10 V	-	1,4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3	3-SMD, Variante SOT-23-3
AO3421E MOSFET P-CH 30V 3A SOT23-3L Alpha & Omega Semiconductor Inc.	1 152 640 In magazzino	1 : € 0,37000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08214 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	Canale P	MOSFET (ossido di metallo)	30 V	3 A (Ta)	4,5V, 10V	95mohm a 3A, 10V	2,5V a 250µA	8 nC @ 10 V	±20V	215 pF @ 15 V	-	1,4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3	3-SMD, Variante SOT-23-3
CSD17484F4 MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR Texas Instruments	45 630 In magazzino 9 000 Fabbrica	1 : € 0,41000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,09085 Nastrato in bobina (TR)	FemtoFET™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	30 V	3 A (Ta)	1,8V, 8V	121mohm a 500mA, 8V	1,1V a 250µA	1.2 nC @ 4.5 V	12V	195 pF @ 15 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	3-PICOSTAR	3-XFDFN
PMV60ENEAR MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB Nexperia USA Inc.	29 251 In magazzino	1 : € 0,35000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,09560 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	40 V	3 A (Ta)	4,5V, 10V	75mohm a 3A, 10V	2,5V a 250µA	5 nC @ 10 V	±20V	180 pF @ 20 V	-	615mW (Ta), 7.5W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2310-TP MOSFET N-CH 60V 3A SOT23 Micro Commercial Co	97 636 In magazzino	1 : € 0,36000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,09683 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	3 A (Ta)	10V	125mohm a 3A, 4,5V	2V a 250µA	6 nC @ 4.5 V	±20V	247 pF @ 30 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2123L-7 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3 Diodes Incorporated	365 900 In magazzino 798 000 Fabbrica	1 : € 0,41000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,10996 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	MOSFET (ossido di metallo)	20 V	3 A (Ta)	2,5V, 4,5V	72mohm a 3,5A, 4,5V	1,25V a 250µA	7.3 nC @ 4.5 V	±12V	443 pF @ 16 V	-	1,4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML5203TRPBF MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23 Infineon Technologies	101 316 In magazzino	1 : € 0,49000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,13165 Nastrato in bobina (TR)	HEXFET®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	MOSFET (ossido di metallo)	30 V	3 A (Ta)	4,5V, 10V	98mohm a 3A, 10V	2,5V a 250µA	14 nC @ 10 V	±20V	510 pF @ 25 V	-	1,25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDN339AN MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3 onsemi	46 406 In magazzino	1 : € 0,45000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,15172 Nastrato in bobina (TR)	PowerTrench®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	20 V	3 A (Ta)	2,5V, 4,5V	35mohm a 3A, 4,5V	1,5V a 250µA	10 nC @ 4.5 V	±8V	700 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2318DS-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3 Vishay Siliconix	17 927 In magazzino	1 : € 0,48000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,16215 Nastrato in bobina (TR)	TrenchFET®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	40 V	3 A (Ta)	4,5V, 10V	45mohm a 3,9A, 10V	3V a 250µA	15 nC @ 10 V	±20V	540 pF @ 20 V	-	750mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2315BDS-T1-E3 MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 Vishay Siliconix	35 218 In magazzino	1 : € 0,49000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,16526 Nastrato in bobina (TR)	TrenchFET®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	MOSFET (ossido di metallo)	12 V	3 A (Ta)	1,8V, 4,5V	50mohm a 3,85A, 4,5V	900mV a 250µA	15 nC @ 4.5 V	±8V	715 pF @ 6 V	-	750mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ZXMP6A17GTA MOSFET P-CH 60V 3A SOT223 Diodes Incorporated	68 564 In magazzino 280 000 Fabbrica	1 : € 0,57000 Nastro pre-tagliato (CT) 1 000 : € 0,24090 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	3 A (Ta)	4,5V, 10V	125mohm a 2,2A, 10V	1V a 250µA	17.7 nC @ 10 V	±20V	637 pF @ 30 V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-223-3	TO-261-4, TO-261AA
SI7898DP-T1-E3 MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	16 665 In magazzino	1 : € 1,67000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,75015 Nastrato in bobina (TR)	TrenchFET®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	150 V	3 A (Ta)	6V, 10V	85mohm a 3,5A, 10V	4V a 250µA	21 nC @ 10 V	±20V	-	-	1,9W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
FDS2670 MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC onsemi	4 359 In magazzino	1 : € 1,69000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,76413 Nastrato in bobina (TR)	PowerTrench®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	200 V	3 A (Ta)	10V	130mohm a 3A, 10V	4,5V a 250µA	43 nC @ 10 V	±20V	1228 pF @ 100 V	-	2,5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	8-SOIC	8-SOIC (0,154", 3,90mm di larghezza)
EPC2054 TRANS GAN 200V DIE 43MOHM EPC	41 330 In magazzino	1 : € 1,61000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,84239 Nastrato in bobina (TR)	eGaN®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	GaNFET (nitruro di gallio)	200 V	3 A (Ta)	5V	43mohm a 1A, 5V	2,5V a 1mA	4.3 nC @ 5 V	+6V, -4V	573 pF @ 100 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	Stampo	Stampo
FDS2734 MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC onsemi	2 445 In magazzino	1 : € 1,89000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,85326 Nastrato in bobina (TR)	UltraFET™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	250 V	3 A (Ta)	6V, 10V	117mohm a 3A, 10V	4V a 250µA	45 nC @ 10 V	±20V	2610 pF @ 100 V	-	2,5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	8-SOIC	8-SOIC (0,154", 3,90mm di larghezza)
SI7439DP-T1-E3 MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	9 999 In magazzino	1 : € 3,63000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 1,76347 Nastrato in bobina (TR)	TrenchFET®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	MOSFET (ossido di metallo)	150 V	3 A (Ta)	6V, 10V	90mohm a 5,2A, 10V	4V a 250µA	135 nC @ 10 V	±20V	-	-	1,9W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SI7439DP-T1-GE3 MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	7 905 In magazzino	1 : € 3,63000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 1,76347 Nastrato in bobina (TR)	TrenchFET®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	MOSFET (ossido di metallo)	150 V	3 A (Ta)	6V, 10V	90mohm a 5,2A, 10V	4V a 250µA	135 nC @ 10 V	±20V	-	-	1,9W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
PMV90ENER MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB Nexperia USA Inc.	18 190 In magazzino	1 : € 0,42000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07492 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	30 V	3 A (Ta)	4,5V, 10V	72mohm a 3A, 10V	2,5V a 250µA	5.5 nC @ 10 V	±20V	160 pF @ 15 V	-	460mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG3401LSN-7 MOSFET P-CH 30V 3A SC59 Diodes Incorporated	27 844 In magazzino 543 000 Fabbrica	1 : € 0,36000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07974 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	MOSFET (ossido di metallo)	30 V	3 A (Ta)	2,5V, 10V	50mohm a 4A, 10V	1,3V a 250µA	25.1 nC @ 10 V	±12V	1326 pF @ 15 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SC-59-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2303-TP MOSFET P-CH 30V 3A SOT23 Micro Commercial Co	4 957 In magazzino	1 : € 0,37000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08214 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	MOSFET (ossido di metallo)	30 V	3 A (Ta)	10V	180mohm a 2A, 4,5V	3V a 250µA	10 nC @ 10 V	±20V	226 pF @ 100 V	-	250mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K336R,LF MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	26 949 In magazzino	1 : € 0,39000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08556 Nastrato in bobina (TR)	U-MOSVII-H	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	30 V	3 A (Ta)	4,5V, 10V	95mohm a 2A, 10V	2,5V a 100µA	1.7 nC @ 4.5 V	±20V	126 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23F	SOT-23-3 conduttori piatti
AO3413 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3L Alpha & Omega Semiconductor Inc.	25 503 In magazzino	1 : € 0,39000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08556 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	MOSFET (ossido di metallo)	20 V	3 A (Ta)	1,8V, 4,5V	97mohm a 3A, 4,5V	1V a 250µA	6.1 nC @ 4.5 V	±8V	540 pF @ 10 V	-	1,4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3	3-SMD, Variante SOT-23-3
SSM3K344R,LF MOSFET N-CH 20V 3A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	31 863 In magazzino	1 : € 0,41000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08898 Nastrato in bobina (TR)	U-MOSVII-H	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	20 V	3 A (Ta)	1,5V, 4,5V	71mohm a 3A, 4,5V	1V a 1mA	2 nC @ 4 V	±8V	153 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23F	SOT-23-3 conduttori piatti
SI2302-TP MOSFET N-CH 20V 3A SOT-23 Micro Commercial Co	94 623 In magazzino	1 : € 0,41000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,09025 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	20 V	3 A (Ta)	2,5V, 4,5V	72mohm a 3,6A, 4,5V	1,2V a 50µA	10 nC @ 4.5 V	±8V	237 pF @ 10 V	-	1,25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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I transistor a effetto di campo (FET) discreti sono ampiamente utilizzati nella conversione di potenza, nel controllo motori, nell'illuminazione a stato solido e in altre applicazioni in cui la loro capacità di poter essere accesi e spenti ad alte frequenze mentre trasportano notevoli quantità di corrente rappresenta un vantaggio. Sono utilizzati quasi ovunque per applicazioni che richiedono tensioni nominali di alcune centinaia di volt o meno, al di sopra delle quali diventano più competitivi altri tipi di dispositivi, come gli IGBT.

3 A (Ta) FET, MOSFET singoli

3 A (Ta) FET, MOSFET singoli

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