3 A (Ta) Transistor - FET, MOSFET - Singoli | FETs, MOSFETs | Transistors | DigiKey

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Codice produttore	Quantità disponibile	Prezzo	Serie	Contenitore	Stato del prodotto	Tipo FET	Tecnologia	Tensione drain/source (Vdss)	Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	RDSon (max) a Id, Vgs	Vgs(th) max a Id	Carica del gate (Qg) max a Vgs	Vgs (max)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	Funzione FET	Dissipazione di potenza (max)	Temperatura di funzionamento	Grado	Qualifica	Tipo di montaggio	Contenitore del fornitore	Contenitore/involucro

AO3421E MOSFET P-CH 30V 3A SOT23-3L Alpha & Omega Semiconductor Inc.	1 067 106 In magazzino	1 : € 0,25000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,05479 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	Canale P	MOSFET (ossido di metallo)	30 V	3 A (Ta)	4,5V, 10V	95mohm a 3A, 10V	2,5V a 250µA	8 nC @ 10 V	±20V	215 pF @ 15 V	-	1,4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3	3-SMD, Variante SOT-23-3
DMP2123L-7 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3 Diodes Incorporated	341 266 In magazzino 639 000 Fabbrica	1 : € 0,27000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08252 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	MOSFET (ossido di metallo)	20 V	3 A (Ta)	2,5V, 4,5V	72mohm a 3,5A, 4,5V	1,25V a 250µA	7.3 nC @ 4.5 V	±12V	443 pF @ 16 V	-	1,4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG2301L-7 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Diodes Incorporated	85 042 In magazzino	1 : € 0,29000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,04786 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	MOSFET (ossido di metallo)	20 V	3 A (Ta)	2,5V, 4,5V	120mohm a 2,8A, 4,5V	1,2V a 250µA	5.5 nC @ 4.5 V	±8V	476 pF @ 10 V	-	1,5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AO3414 MOSFET N-CH 20V 3A SOT23-3L Alpha & Omega Semiconductor Inc.	714 202 In magazzino	1 : € 0,41000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,05180 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	20 V	3 A (Ta)	1,8V, 4,5V	50mohm a 4,2A, 4,5V	1V a 250µA	6.2 nC @ 4.5 V	±8V	436 pF @ 10 V	-	1,4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3	3-SMD, Variante SOT-23-3
IRLML5203TRPBF MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23 Infineon Technologies	8 903 In magazzino	1 : € 0,41000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,11259 Nastrato in bobina (TR)	HEXFET®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	MOSFET (ossido di metallo)	30 V	3 A (Ta)	4,5V, 10V	98mohm a 3A, 10V	2,5V a 250µA	14 nC @ 10 V	±20V	510 pF @ 25 V	-	1,25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ZXMP6A17GTA MOSFET P-CH 60V 3A SOT223 Diodes Incorporated	50 610 In magazzino 463 000 Fabbrica	1 : € 0,52000 Nastro pre-tagliato (CT) 1 000 : € 0,22182 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	3 A (Ta)	4,5V, 10V	125mohm a 2,2A, 10V	1V a 250µA	17.7 nC @ 10 V	±20V	637 pF @ 30 V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-223-3	TO-261-4, TO-261AA
FDC5614P MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6 onsemi	55 282 In magazzino	1 : € 0,57000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,19228 Nastrato in bobina (TR)	PowerTrench®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	3 A (Ta)	4,5V, 10V	105mohm a 3A, 10V	3V a 250µA	24 nC @ 10 V	±20V	759 pF @ 30 V	-	1,6W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SuperSOT™-6	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
FDN339AN MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3 onsemi	42 960 In magazzino	1 : € 0,66000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,15469 Nastrato in bobina (TR)	PowerTrench®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	20 V	3 A (Ta)	2,5V, 4,5V	35mohm a 3A, 4,5V	1,5V a 250µA	10 nC @ 4.5 V	±8V	700 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PHT6NQ10T,135 MOSFET N-CH 100V 3A SOT223 Nexperia USA Inc.	11 945 In magazzino	1 : € 0,73000 Nastro pre-tagliato (CT) 4 000 : € 0,30038 Nastrato in bobina (TR)	TrenchMOS™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	100 V	3 A (Ta)	10V	90mohm a 3A, 10V	4V a 1mA	21 nC @ 10 V	±20V	633 pF @ 25 V	-	1,8W (Ta), 8,3W (Tc)	-65°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
NTF3055L108T1G MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 onsemi	19 710 In magazzino 123 000 Fabbrica	1 : € 1,12000 Nastro pre-tagliato (CT) 1 000 : € 0,32946 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	3 A (Ta)	5V	120mohm a 1,5A, 5V	2V a 250µA	15 nC @ 5 V	±15V	440 pF @ 25 V	-	1,3W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-223 (TO-261)	TO-261-4, TO-261AA
NTF3055-100T1G MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 onsemi	9 707 In magazzino	1 : € 1,27000 Nastro pre-tagliato (CT) 1 000 : € 0,37844 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	3 A (Ta)	10V	110mohm a 1,5A, 10V	4V a 250µA	22 nC @ 10 V	±20V	455 pF @ 25 V	-	1,3W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-223 (TO-261)	TO-261-4, TO-261AA
RJK4002DPD-00#J2 MOSFET N-CH 400V 3A MP3A Renesas Electronics Corporation	9 000 In magazzino	1 : € 1,87000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,52091 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	400 V	3 A (Ta)	10V	2,9ohm a 1,5A, 10V	-	6 nC @ 10 V	±30V	165 pF @ 25 V	-	30W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	MP-3A	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
EPC2054 TRANS GAN 200V DIE 43MOHM EPC	1 198 In magazzino	1 : € 2,24000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,68264 Nastrato in bobina (TR)	eGaN®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	GaNFET (nitruro di gallio)	200 V	3 A (Ta)	5V	43mohm a 1A, 5V	2,5V a 1mA	4.3 nC @ 5 V	+6V, -4V	573 pF @ 100 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	Stampo	Stampo
FDS2670 MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC onsemi	4 441 In magazzino	1 : € 2,27000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,67534 Nastrato in bobina (TR)	PowerTrench®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	200 V	3 A (Ta)	10V	130mohm a 3A, 10V	4,5V a 250µA	43 nC @ 10 V	±20V	1228 pF @ 100 V	-	2,5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	8-SOIC	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
FDS2734 MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC onsemi	10 154 In magazzino 30 000 Fabbrica	1 : € 2,47000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,75348 Nastrato in bobina (TR)	UltraFET™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	250 V	3 A (Ta)	6V, 10V	117mohm a 3A, 10V	4V a 250µA	45 nC @ 10 V	±20V	2610 pF @ 100 V	-	2,5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	8-SOIC	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
SI7439DP-T1-E3 MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	7 220 In magazzino	1 : € 3,44000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 1,67348 Nastrato in bobina (TR)	TrenchFET®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	MOSFET (ossido di metallo)	150 V	3 A (Ta)	6V, 10V	90mohm a 5,2A, 10V	4V a 250µA	135 nC @ 10 V	±20V	-	-	1,9W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
DMG2301L-13 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Diodes Incorporated	5 337 In magazzino 810 000 Fabbrica	1 : € 0,28000 Nastro pre-tagliato (CT) 10 000 : € 0,03621 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	MOSFET (ossido di metallo)	20 V	3 A (Ta)	2,5V, 4,5V	120mohm a 2,8A, 4,5V	1,2V a 250µA	5.5 nC @ 4.5 V	±8V	476 pF @ 10 V	-	1,5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PMV60ENEAR MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB Nexperia USA Inc.	32 679 In magazzino	1 : € 0,32000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08803 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	40 V	3 A (Ta)	4,5V, 10V	75mohm a 3A, 10V	2,5V a 250µA	5 nC @ 10 V	±20V	180 pF @ 20 V	-	615mW (Ta), 7.5W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG3401LSN-7 MOSFET P-CH 30V 3A SC59 Diodes Incorporated	15 174 In magazzino 366 000 Fabbrica	1 : € 0,33000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07342 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	MOSFET (ossido di metallo)	30 V	3 A (Ta)	2,5V, 10V	50mohm a 4A, 10V	1,3V a 250µA	25.1 nC @ 10 V	±12V	1326 pF @ 15 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SC-59-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2310-TP MOSFET N-CH 60V 3A SOT23 Micro Commercial Co	62 186 In magazzino	1 : € 0,34000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,09189 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	60 V	3 A (Ta)	10V	125mohm a 3A, 4,5V	2V a 250µA	6 nC @ 4.5 V	±20V	247 pF @ 30 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PMV90ENER MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB Nexperia USA Inc.	25 183 In magazzino	1 : € 0,36000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,07878 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	30 V	3 A (Ta)	4,5V, 10V	72mohm a 3A, 10V	2,5V a 250µA	5.5 nC @ 10 V	±20V	160 pF @ 15 V	-	460mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI3442BDV-T1-E3 MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP Vishay Siliconix	24 581 In magazzino	1 : € 0,36000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,16841 Nastrato in bobina (TR)	TrenchFET®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Data di acquisto finale	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	20 V	3 A (Ta)	2,5V, 4,5V	57mohm a 4A, 4,5V	1,8V a 250µA	5 nC @ 4.5 V	±12V	295 pF @ 10 V	-	860mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	6-TSOP	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
AO3413 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3L Alpha & Omega Semiconductor Inc.	27 480 In magazzino	1 : € 0,37000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08119 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale P	MOSFET (ossido di metallo)	20 V	3 A (Ta)	1,8V, 4,5V	97mohm a 3A, 4,5V	1V a 250µA	6.1 nC @ 4.5 V	±8V	540 pF @ 10 V	-	1,4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-3	3-SMD, Variante SOT-23-3
CSD17484F4 MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR Texas Instruments	75 870 In magazzino	1 : € 0,39000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08304 Nastrato in bobina (TR)	FemtoFET™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	30 V	3 A (Ta)	1,8V, 8V	121mohm a 500mA, 8V	1,1V a 250µA	2.04 nC @ 8 V	12V	195 pF @ 15 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	3-PICOSTAR	3-XFDFN
SI2302-TP MOSFET N-CH 20V 3A SOT-23 Micro Commercial Co	39 298 In magazzino	1 : € 0,39000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08564 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Canale N	MOSFET (ossido di metallo)	20 V	3 A (Ta)	2,5V, 4,5V	72mohm a 3,6A, 4,5V	1,2V a 50µA	10 nC @ 4.5 V	±8V	237 pF @ 10 V	-	1,25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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3 A (Ta) Transistor - FET, MOSFET - Singoli

I transistor a effetto di campo (FET) discreti sono ampiamente utilizzati nella conversione di potenza, nel controllo motori, nell'illuminazione a stato solido e in altre applicazioni in cui la loro capacità di poter essere accesi e spenti ad alte frequenze mentre trasportano notevoli quantità di corrente rappresenta un vantaggio. Sono utilizzati quasi ovunque per applicazioni che richiedono tensioni nominali di alcune centinaia di volt o meno, al di sopra delle quali diventano più competitivi altri tipi di dispositivi, come gli IGBT.

3 A (Ta) Transistor - FET, MOSFET - Singoli

3 A (Ta) Transistor - FET, MOSFET - Singoli

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