Gate driver

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Codice produttore	Quantità disponibile	Prezzo	Serie	Contenitore	Stato del prodotto	Programmabile da Digi-Key	Configurazione comandata	Tipo di canale	N. di driver	Tipo di gate	Tensione - Alimentazione	Tensione logica - VIL, VIH	Corrente - Uscita di picco (source, drain)	Tipo di ingresso	Tensione high-side - Max (bootstrap)	Tempo di salita/discesa (tip.)	Temperatura di funzionamento	Tipo di montaggio	Contenitore/involucro	Contenitore del fornitore

UP1966E IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12WLCSP EPC	103 254 In magazzino	1 : € 3,33000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 1,09352 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Semiponte	Indipendente	2	FET GaN in modalità potenziata	4,5V ~ 5,5V	0,5V, 2,3V	7,1A, 12,5A	Non invertente	85 V	8ns, 4ns	-40°C ~ 125°C (TJ)	A montaggio superficiale	12-UFBGA, WLCSP	12-WLCSP-B (1,6x1,6)
ZXGD3009E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 Diodes Incorporated	55 690 In magazzino	1 : € 0,36000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,12907 Nastrato in bobina (TR)	Automotive, AEC-Q101	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	MOSFET a canale N	40V (max)	-	2A, 2A	Non invertente	-	210ns, 240ns	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	SOT-23-6	SOT-26
TCK401G,LF IC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPE Toshiba Semiconductor and Storage	51 174 In magazzino	1 : € 0,57000 Nastro pre-tagliato (CT) 5 000 : € 0,20584 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato superiore	Singolo	1	-	2,7V ~ 28V	0,4V, 1,6V	-	Non invertente	-	0,2ms, 1,5µs	-40°C ~ 85°C (TA)	A montaggio superficiale	6-UFBGA, WLCSP	6-WCSPE (0,80x1,2)
ZXGD3003E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 Diodes Incorporated	131 957 In magazzino	1 : € 0,54000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,20928 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET a canale N	40V (max)	-	5A, 5A	Non invertente	-	8,9ns, 8,9ns	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	SOT-23-6	SOT-23-6
DGD0211CWT-7 HV GATE DRIVER TSOT25 T&R 3K Diodes Incorporated	6 835 In magazzino	1 : € 0,59000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,22806 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET a canale N	4,5V ~ 18V	0,8V, 2,4V	1,9A, 1,8A	Invertente, Non invertente	-	15ns, 15ns	-40°C ~ 125°C (TA)	A montaggio superficiale	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	TSOT-25
ZXGD3006E6QTA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 Diodes Incorporated	24 987 In magazzino	1 : € 0,63000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,24148 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET SiC	40V (max)	-	10A, 10A	Non invertente	-	48ns, 35ns	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	SOT-23-6	SOT-26
ADP3120AJCPZ-RL IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN onsemi	11 925 In magazzino	1 : € 0,69000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,26848 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Semiponte	Sincrono	2	MOSFET a canale N	4,6V ~ 13,2V	0,8V, 2V	-	Invertente, Non invertente	35 V	20ns, 11ns	-20°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	8-VFDFN Piazzola esposta	8-DFN (3x3)
ZXGD3004E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 Diodes Incorporated	99 305 In magazzino	1 : € 0,69000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,26965 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET a canale N	40V (max)	-	8A, 8A	Non invertente	-	13,4ns, 12,4ns	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	SOT-23-6	SOT-23-6
FAN3111ESX IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 onsemi	27 560 In magazzino	1 : € 0,81000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,31551 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	MOSFET a canale N	4,5V ~ 18V	-	1,4A, 1,4A	Non invertente	-	9ns, 8ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	SOT-23-5
DGD05463FN-7 IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10 Diodes Incorporated	9 642 In magazzino 33 000 Factory	1 : € 0,77000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,32447 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Semiponte	Sincrono	2	MOSFET a canale N	4,5V ~ 14V	0,8V, 2,4V	1,5A, 2,5A	CMOS/TTL	50 V	17ns, 12ns	-40°C ~ 125°C (TA)	A montaggio superficiale	10-WFDFN Piazzola esposta	W-DFN3030-10
1EDN8511BXUSA1 IC GATE DRV HALF BRD/LOW SOT23-6 Infineon Technologies	42 189 In magazzino	1 : € 0,99000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,37703 Nastrato in bobina (TR)	EiceDriver™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Semiponte, low-side	Singolo	1	MOSFET a canale N, canale P	8V ~ 20V	1,2V, 1,9V	4A, 8A	Invertente, Non invertente	-	6,5ns, 4,5ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	SOT-23-6	PG-SOT23-6-2
ZXGD3103N8TC IC GATE DRVR HI-SIDE/LO-SIDE 8SO Diodes Incorporated	7 770 In magazzino	1 : € 0,92000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,38858 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	High-side o low-side	Singolo	1	MOSFET a canale N	5V ~ 15V	-	2,5 A, 6 A	Non invertente	-	450ns, 21ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", 3,90mm di larghezza)	8-SO
IRS10752LTRPBF IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6 Infineon Technologies	11 822 In magazzino	1 : € 1,13000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,42906 Nastrato in bobina (TR)	µHVIC™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato superiore	Singolo	1	MOSFET a canale N	10V ~ 18V	0,8V, 2,2V	160 mA, 240 mA	Non invertente	100 V	85ns, 40ns	-40°C ~ 125°C (TJ)	A montaggio superficiale	SOT-23-6	PG-SOT23-6
FAN3100TSX IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 onsemi	6 037 In magazzino	1 : € 1,01000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,42837 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Data di acquisto finale	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	MOSFET a canale N	4,5V ~ 18V	0,8V, 2V	3A, 3A	Invertente, Non invertente	-	13ns, 9ns	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	SOT-23-5
DGD2304S8-13 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Diodes Incorporated	6 039 In magazzino 1 375 000 Factory	1 : € 1,10000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,46630 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Semiponte	Indipendente	2	IGBT, MOSFET a canale N	10V ~ 20V	0,7V, 2,3V	290 mA, 600 mA	Non invertente	600 V	70ns, 35ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", 3,90mm di larghezza)	8-SO
IX4428NTR IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC IXYS Integrated Circuits Division	56 216 In magazzino	1 : € 1,15000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 000 : € 0,47162 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Indipendente	2	MOSFET a canale N, canale P	4,5V ~ 30V	0,8V, 2,4V	1,5A, 1,5A	Invertente, Non invertente	-	10ns, 8ns	-40°C ~ 125°C (TA)	A montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", 3,90mm di larghezza)	8-SOIC
IRS2005STRPBF IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Infineon Technologies	31 161 In magazzino	1 : € 1,28000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,48430 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Semiponte	Indipendente	2	IGBT, MOSFET a canale N	10V ~ 20V	0,8V, 2,5V	290 mA, 600 mA	Non invertente	200 V	70ns, 30ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", 3,90mm di larghezza)	8-SOIC
IRS2008STRPBF IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Infineon Technologies	6 462 In magazzino	1 : € 1,28000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,48430 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Semiponte	Sincrono	2	MOSFET a canale N	10V ~ 20V	0,8V, 2,5V	290 mA, 600 mA	Non invertente	200 V	70ns, 30ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", 3,90mm di larghezza)	8-SOIC
IX4427MTR IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN IXYS Integrated Circuits Division	120 161 In magazzino	1 : € 1,22000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 000 : € 0,51885 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Indipendente	2	MOSFET a canale N, canale P	4,5V ~ 30V	0,8V, 2,4V	1,5A, 1,5A	Non invertente	-	10ns, 8ns	-40°C ~ 125°C (TA)	A montaggio superficiale	8-VDFN Piazzola esposta	8-DFN (3x3)
IX4428MTR IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN IXYS Integrated Circuits Division	17 880 In magazzino	1 : € 1,22000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 000 : € 0,51885 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Indipendente	2	MOSFET a canale N, canale P	4,5V ~ 30V	0,8V, 2,4V	1,5A, 1,5A	Invertente, Non invertente	-	10ns, 8ns	-40°C ~ 125°C (TA)	A montaggio superficiale	8-VDFN Piazzola esposta	8-DFN (3x3)
NCP5104DR2G IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC onsemi	4 990 In magazzino	1 : € 1,26000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,53220 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Semiponte	Sincrono	2	IGBT, MOSFET a canale N	10V ~ 20V	0,8V, 2,3V	250mA, 500mA	Non invertente	600 V	85ns, 35ns	-40°C ~ 125°C (TJ)	A montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", 3,90mm di larghezza)	8-SOIC
DGD2104MS8-13 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Diodes Incorporated	66 234 In magazzino 185 000 Factory	1 : € 1,29000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,54402 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Semiponte	Sincrono	2	IGBT, MOSFET a canale N	10V ~ 20V	0,8V, 2,5V	290 mA, 600 mA	Non invertente	600 V	70ns, 35ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", 3,90mm di larghezza)	8-SO
MCP1402T-E/OT IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 Microchip Technology	94 511 In magazzino	1 : € 0,77000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,58288 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET a canale N, canale P	4,5V ~ 18V	0,8V, 2,4V	500mA, 500mA	Non invertente	-	19ns, 15ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	SOT-23-5
MCP1401T-E/OT IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 Microchip Technology	58 933 In magazzino	1 : € 0,77000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,58288 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET a canale N, canale P	4,5V ~ 18V	0,8V, 2,4V	500mA, 500mA	Invertente	-	19ns, 15ns	-40°C ~ 125°C	A montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	SOT-23-5
FAN7382MX IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP onsemi	29 409 In magazzino	1 : € 1,42000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,60082 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Semiponte	Indipendente	2	IGBT, MOSFET a canale N	10V ~ 20V	0,8V, 2,5V	350 mA, 650 mA	Non invertente	600 V	60ns, 30ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", 3,90mm di larghezza) Piazzola esposta	8-SOP

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I circuiti integrati di gestione della potenza (PMIC) per gate driver sono dispositivi che forniscono isolamento, amplificazione, spostamento di riferimento, bootstrapping o altre funzioni necessarie per interfacciare i segnali di un dispositivo di controllo in un'applicazione di conversione di potenza ai dispositivi a semiconduttore (solitamente FET o IGBT) attraverso i quali passa l'alimentazione da controllare. Le funzioni specifiche offerte da un particolare dispositivo variano, ma sono correlate alla configurazione dei semiconduttori che deve pilotare.

Gate driver

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