Gate driver

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Produttore
3PEAKAllegro MicroSystemsAlpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedBroadcom LimitedDiodes IncorporatedEcon ConnectElantecEPCEPC Space, LLCFairchild Semiconductor
Serie
-*ADP3413ADP3417Advanced Smart Rectifier™Combi-Sense®CoreControl™DS1679EiceDriver™EiceDRIVER™FLEXMOS™Functional Safety (FuSa)
Confezionamento
Digi-Reel®Nastrato in bobina (TR)Nastro pre-tagliato (CT)ScatolaSfusoStrisciaTuboVassoio
Stato del prodotto
AttivoData di acquisto finaleFuori produzione presso Digi-KeyNon per nuovi progettiObsoleto
Programmabile da DigiKey
-Non verificatoVerificato
Configurazione comandata
-Galleggiante/flottanteHigh-side e low-sideHigh-side o low-sideLato inferioreLato superiorePonte interoSemiponteSemiponte, low-side
Tipo di canale
Trifase-IndipendenteSincronoSingolo
N. di driver
123468
Tipo di gate
-FET GaN in modalità potenziataIGBTIGBT, MOSFET a canale NIGBT, MOSFET a canale N, canale PIGBT, MOSFET SiCMOSFET a canale NMOSFET a canale N, canale PMOSFET a canale N, MOSFET SiCMOSFET a canale PMOSFET SiC
Tensione - Alimentazione
-10 ~ 25V-3,5 ~ -10V, 13 ~ 25V0 ~ 100V0 ~ 16V0 ~ 18V0,3 ~ 60V1,8 ~ 13,2V1,8 ~ 5,5V1,8 ~ 6V2,35 ~ 7V2,5 ~ 16V2,5 ~ 6,5V
Tensione logica - VIL, VIH
0,06V, 2,5V0,08V, 2,5V0,25V, 2,4V0,3V, 1,2V0,3V, 1,7V0,4V, 0,7V0,4V, 1,1V0,4V, 1,2V0,4V, 1,6V0,4V, 2,6V0,4V, 5,5V0,48V, 1,4V
Corrente - Uscita di picco (source, drain)
-50mA, 300mA32µA, 400µA1,2 mA, 1,2 mA5mA20mA, 80mA50mA, -50mA, 50mA60 mA, 130 mA90 mA, 180 mA100mA, 100mA125 mA, 250 mA130mA, 130mA
Tipo di ingresso
-Circuito di ingresso RCCMOSCMOS, TTLCMOS/TTLInvertenteInvertente, Non invertenteNon invertentePWM, non invertenteTTLTTL, Non-Inverting
Tensione high-side - Max (bootstrap)
1.2 V1.4 V6 V12 V14 V15 V20 V22 V24 V25 V26 V28 V
Tempo di salita/discesa (tip.)
375 ps, 350 ps450ps, 450ps500ps, 500ps650ps, 700ps650ps, 850ps900ps, 900ps1ns, 1ns2ns, 1,5ns2,5ns, 2,5ns3ns, 2ns3ns, 3ns4ns, 3,5ns
Temperatura di funzionamento
-65°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 115°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 125°C (TA)-55°C ~ 125°C (TJ)-55°C ~ 130°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 85°C (TA)-45°C ~ 125°C (TJ)-40°C ~ 100°C
Grado
-AutomobilisticoMilitare
Qualifica
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-38535LMIL-STD-883
Tipo di montaggio
-A montaggio superficialeForo passanteMontaggio su telaioMontaggio superficiale, fianchi impregnabili
Contenitore/involucro
4-UDFN piazzola esposta, 4-TMLF®4-UQFN6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-UDFN piazzola esposta6-UFBGA, DSBGA6-UFBGA, WLCSP6-VDFN piazzola esposta6-WDFN piazzola esposta6-XFBGA, WLCSP6-XFDFN7-SMD, conduttori piatti7-SSIP conduttori formati
Contenitore del fornitore
4-TQFN (1,2x1,2)5-HVSOF5-SSOP6-DFN (2x2)6-DFN (4x5)6-DSBGA6-MicroFET (2x2)6-SON (3x3)6-TDFN (3x3)6-TDFN-EP (3x3)6-UMLP (2x2)6-WCSPE (0,80x1,2)
Opzioni di magazzino
Opzioni ambientali
Supporti
PRODOTTI MARKETPLACE
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Codice produttore
Quantità disponibile
Prezzo
Serie
Contenitore
Stato del prodotto
Programmabile da DigiKey
Configurazione comandata
Tipo di canale
N. di driver
Tipo di gate
Tensione - Alimentazione
Tensione logica - VIL, VIH
Corrente - Uscita di picco (source, drain)
Tipo di ingresso
Tensione high-side - Max (bootstrap)
Tempo di salita/discesa (tip.)
Temperatura di funzionamento
Grado
Qualifica
Tipo di montaggio
Contenitore/involucro
Contenitore del fornitore
SOT 26
ZXGD3009E6TA
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26
Diodes Incorporated
20 177
In magazzino
144 000
Fabbrica
1 : € 0,37000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,13007
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Lato inferiore
Singolo
1
MOSFET a canale N
40V (max)
-
2A, 2A
Non invertente
-
210ns, 240ns
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobilistico
AEC-Q101
A montaggio superficiale
SOT-23-6
SOT-26
SOT-23-6
ZXGD3003E6TA
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
Diodes Incorporated
91 982
In magazzino
396 000
Fabbrica
1 : € 0,39000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,18002
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Lato inferiore
Singolo
1
IGBT, MOSFET a canale N
40V (max)
-
5A, 5A
Non invertente
-
8,9ns, 8,9ns
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-6
SOT-23-6
8 SOIC
ADP3110AKRZ-RL
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
onsemi
5 490
In magazzino
1 : € 0,55000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,18252
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Semiponte
Sincrono
2
MOSFET a canale N
4,6 ~ 13,2V
0,8V, 2V
-
Invertente, Non invertente
35 V
20ns, 11ns
0°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
8-SOIC
SOT 26
ZXGD3006E6QTA
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26
Diodes Incorporated
24 240
In magazzino
558 000
Fabbrica
1 : € 0,63000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,24336
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Lato inferiore
Singolo
1
IGBT, MOSFET SiC
40V (max)
-
10A, 10A
Non invertente
-
48ns, 35ns
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-6
SOT-26
SOT 23-5
MCP1416T-E/OT
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Microchip Technology
271 199
In magazzino
1 : € 0,68000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,51700
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Lato inferiore
Singolo
1
IGBT, MOSFET a canale N, canale P
4,5 ~ 18V
0,8V, 2,4V
1,5A, 1,5A
Non invertente
-
20ns, 20ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SOT 23-5
MCP1402T-E/OT
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Microchip Technology
115 549
In magazzino
1 : € 0,69000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,52623
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Lato inferiore
Singolo
1
IGBT, MOSFET a canale N, canale P
4,5 ~ 18V
0,8V, 2,4V
500mA, 500mA
Non invertente
-
19ns, 15ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SOT 23-5
MCP1415T-E/OT
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Microchip Technology
36 022
In magazzino
1 : € 0,69000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,51700
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Lato inferiore
Singolo
1
IGBT, MOSFET a canale N, canale P
4,5 ~ 18V
0,8V, 2,4V
1,5A, 1,5A
Invertente
-
20ns, 20ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SOT 23-5
MCP1401T-E/OT
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Microchip Technology
31 681
In magazzino
1 : € 0,69000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,52623
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Lato inferiore
Singolo
1
IGBT, MOSFET a canale N, canale P
4,5 ~ 18V
0,8V, 2,4V
500mA, 500mA
Invertente
-
19ns, 15ns
-40°C ~ 125°C
-
-
A montaggio superficiale
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SOT-23-5
FAN3111ESX
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
onsemi
30 475
In magazzino
1 : € 0,74000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,26560
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Lato inferiore
Singolo
1
MOSFET a canale N
4,5 ~ 18V
-
1,4A, 1,4A
Non invertente
-
9ns, 8ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
10-DFN
DGD05473FN-7
IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10
Diodes Incorporated
16 042
In magazzino
69 000
Fabbrica
1 : € 0,75000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,28839
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Semiponte
Indipendente
2
MOSFET a canale N
0,3 ~ 60V
0,8V, 2,4V
1,5A, 2,5A
CMOS/TTL
50 V
16ns, 12ns
-40°C ~ 125°C (TA)
-
-
A montaggio superficiale
10-WFDFN piazzola esposta
W-DFN3030-10
8-SOIC
IX4428NTR
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Littelfuse Inc.
43 829
In magazzino
1 : € 0,77000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 000 : € 0,40794
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Lato inferiore
Indipendente
2
MOSFET a canale N, canale P
4,5 ~ 30V
0,8V, 2,4V
1,5A, 1,5A
Invertente, Non invertente
-
10ns, 8ns
-40°C ~ 125°C (TA)
-
-
A montaggio superficiale
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
8-SOIC
10-DFN
DGD05463FN-7
IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10
Diodes Incorporated
6 455
In magazzino
1 : € 0,77000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,32700
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Semiponte
Sincrono
2
MOSFET a canale N
4,5 ~ 14V
0,8V, 2,4V
1,5A, 2,5A
CMOS/TTL
50 V
17ns, 12ns
-40°C ~ 125°C (TA)
-
-
A montaggio superficiale
10-WFDFN piazzola esposta
W-DFN3030-10
SOT753
UCC27517DBVR
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Texas Instruments
18 799
In magazzino
1 : € 0,78000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,29943
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Lato inferiore
Singolo
1
IGBT, MOSFET a canale N
4,5 ~ 18V
1V, 2,4V
4A, 4A
Invertente, Non invertente
-
8ns, 7ns
-40°C ~ 140°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
IX4310TTR
IX4310TTR
MOSFET DRIVER 2A 24V SOT23
Littelfuse Inc.
23 118
In magazzino
18 000
Fabbrica
1 : € 0,82000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,35011
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Attivo
Non verificato
Lato inferiore
Indipendente
1
MOSFET a canale N, canale P
4.5 ~ 20V
0,8V, 2,5V
2A, 2A
CMOS, TTL
-
7ns, 7ns
-40°C ~ 125°C (TA)
-
-
A montaggio superficiale
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
8-DFN 3x3
IX4427MTR
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN
Littelfuse Inc.
109 540
In magazzino
1 : € 0,84000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 000 : € 0,44879
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Lato inferiore
Indipendente
2
MOSFET a canale N, canale P
4,5 ~ 30V
0,8V, 2,4V
1,5A, 1,5A
Non invertente
-
10ns, 8ns
-40°C ~ 125°C (TA)
-
-
A montaggio superficiale
8-VDFN piazzola esposta
8-DFN (3x3)
IRS2008STRPBF
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Infineon Technologies
30 276
In magazzino
1 : € 0,85000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,36173
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Semiponte
Sincrono
2
MOSFET a canale N
10 ~ 20V
0,8V, 2,5V
290 mA, 600 mA
Non invertente
200 V
70ns, 30ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
8-SOIC
IRS2005STRPBF
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Infineon Technologies
26 486
In magazzino
1 : € 0,85000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,36173
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Semiponte
Indipendente
2
IGBT, MOSFET a canale N
10 ~ 20V
0,8V, 2,5V
290 mA, 600 mA
Non invertente
200 V
70ns, 30ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
8-SOIC
SOT 23-5
1EDN7512BXTSA1
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Infineon Technologies
19 836
In magazzino
1 : € 0,87000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,36891
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Lato inferiore
Singolo
1
MOSFET a canale N
4.5 ~ 20V
-
4A, 8A
Invertente, Non invertente
-
6,5ns, 4,5ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SC-74A, SOT-753
PG-SOT23-5-1
4-TQFN (1.2x1.2)
MIC5019YFT-TR
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 4TQFN
Microchip Technology
49 457
In magazzino
1 : € 0,93000
Nastro pre-tagliato (CT)
5 000 : € 0,73856
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Lato superiore
Singolo
1
MOSFET a canale N
2,7 ~ 9V
0,8V, 3V
-
Non invertente
-
-
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
4-UDFN piazzola esposta, 4-TMLF®
4-TQFN (1,2x1,2)
SOT-23-6 PKG
UCC27511DBVR
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
Texas Instruments
12 481
In magazzino
1 : € 0,93000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,39573
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Lato inferiore
Singolo
1
IGBT, MOSFET a canale N
4,5 ~ 18V
1V, 2,4V
4A, 8A
Invertente, Non invertente
-
8ns, 7ns
-40°C ~ 140°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SOT-23-6
SOT-23-6
SOT-23-5
FAN3100TSX
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
onsemi
24 418
In magazzino
1 : € 0,96000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,38692
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Lato inferiore
Singolo
1
MOSFET a canale N
4,5 ~ 18V
0,8V, 2V
3A, 3A
Invertente, Non invertente
-
13ns, 9ns
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
8-MLF
MIC4127YML-TR
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8MLF
Microchip Technology
9 148
In magazzino
1 : € 1,02000
Nastro pre-tagliato (CT)
5 000 : € 0,74780
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Lato inferiore
Indipendente
2
MOSFET a canale N
4.5 ~ 20V
0,8V, 2,4V
1,5A, 1,5A
Non invertente
-
20ns, 18ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
8-VDFN piazzola esposta, 8-MLF®
8-MLF® (3x3)
8-SOIC Exp Pad
MIC4127YME-TR
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Microchip Technology
13 015
In magazzino
1 : € 1,04000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,80318
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Lato inferiore
Indipendente
2
MOSFET a canale N
4.5 ~ 20V
0,8V, 2,4V
1,5A, 1,5A
Non invertente
-
20ns, 18ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) piazzola esposta
8-SOIC-EP
10-VSON
LM5108DRCR
IC GATE DRVR PWR MGMT
Texas Instruments
12 651
In magazzino
1 : € 1,08000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,45689
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Semiponte
Indipendente
2
MOSFET a canale N
5,5 ~ 16V
-
1,6A, 2,6A
CMOS/TTL
-
11ns, 8ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
A montaggio superficiale
10-VFDFN piazzola esposta
10-VSON (3x3)
8-SOIC
IX4427NTR
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Littelfuse Inc.
55 888
In magazzino
32 000
Fabbrica
1 : € 1,09000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 000 : € 0,46146
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Non verificato
Lato inferiore
Indipendente
2
MOSFET a canale N, canale P
4,5 ~ 30V
0,8V, 2,4V
1,5A, 1,5A
Non invertente
-
10ns, 8ns
-40°C ~ 125°C (TA)
-
-
A montaggio superficiale
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
8-SOIC
Visualizzati
di 6 222

Gate driver


I circuiti integrati di gestione della potenza (PMIC) per gate driver sono dispositivi che forniscono isolamento, amplificazione, spostamento di riferimento, bootstrapping o altre funzioni necessarie per interfacciare i segnali di un dispositivo di controllo in un'applicazione di conversione di potenza ai dispositivi a semiconduttore (solitamente FET o IGBT) attraverso i quali passa l'alimentazione da controllare. Le funzioni specifiche offerte da un particolare dispositivo variano, ma sono correlate alla configurazione dei semiconduttori che deve pilotare.