Gate driver

Risultati : 15
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)Sfuso
Stato del prodotto
AttivoObsoleto
Configurazione comandata
Lato superioreSemiponte
Tipo di canale
IndipendenteSincronoSingolo
N. di driver
124
Tensione - Alimentazione
4,5 ~ 16,5V4,5 ~ 5,5V9 ~ 13,2V10,8 ~ 13,2V10,8 ~ 16,5V14,5 ~ 17,5V
Tensione logica - VIL, VIH
0,5V, 4V1V, 2,5V1V, 4V4V, 7V-
Corrente - Uscita di picco (source, drain)
500mA, 500mA800mA, 1A900 mA, 1,1 A1A, 1A2A, 2A3A, 3A-
Tensione high-side - Max (bootstrap)
30 V40 V48 V50 V75 V500 V
Tempo di salita/discesa (tip.)
13ns, 15ns15ns, 15ns30ns, 20ns32ns, 36ns45ns, 35ns50ns, 35ns110ns, 50ns
Temperatura di funzionamento
-65°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 125°C (TJ)-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficialeForo passante
Contenitore/involucro
8-DIP (0,300", 7,62mm)8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)14-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)16-TSSOP (larghezza 0,173", 4,40mm)24-SOIC (larghezza 0,295", 7,50mm)PowerPAK®MLP33-10
Contenitore del fornitore
8-PDIP8-SOIC14-SOIC16-TSSOP24-SOICPowerPAK®MLP33-10
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Opzioni ambientali
Supporti
PRODOTTI MARKETPLACE
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Confronta
Codice produttore
Quantità disponibile
Prezzo
Serie
Contenitore
Stato del prodotto
Programmabile da DigiKey
Configurazione comandata
Tipo di canale
N. di driver
Tipo di gate
Tensione - Alimentazione
Tensione logica - VIL, VIH
Corrente - Uscita di picco (source, drain)
Tipo di ingresso
Tensione high-side - Max (bootstrap)
Tempo di salita/discesa (tip.)
Temperatura di funzionamento
Tipo di montaggio
Contenitore/involucro
Contenitore del fornitore
8-SOIC
SI9910DY-T1-E3
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Vishay Siliconix
0
In magazzino
Obsoleto
-
Nastrato in bobina (TR)
ObsoletoNon verificatoLato superioreSingolo1MOSFET a canale N10,8 ~ 16,5V-1A, 1ANon invertente500 V50ns, 35ns-40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)8-SOIC
8-DIP
SI9910DJ-E3
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
Vishay Siliconix
0
In magazzino
Obsoleto
-
Sfuso
ObsoletoNon verificatoLato superioreSingolo1MOSFET a canale N10,8 ~ 16,5V-1A, 1ANon invertente500 V50ns, 35ns-40°C ~ 150°C (TJ)Foro passante8-DIP (0,300", 7,62mm)8-PDIP
8-SOIC
SI9910DY-E3
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Vishay Siliconix
0
In magazzino
Obsoleto
-
Sfuso
ObsoletoNon verificatoLato superioreSingolo1MOSFET a canale N10,8 ~ 16,5V-1A, 1ANon invertente500 V50ns, 35ns-40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)8-SOIC
8-SOIC
SI9912DY-E3
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Vishay Siliconix
0
In magazzino
Obsoleto
-
Nastrato in bobina (TR)
ObsoletoNon verificatoSemiponteSincrono2MOSFET a canale N4,5 ~ 5,5V-1A, 1ANon invertente30 V30ns, 20ns-40°C ~ 125°C (TJ)A montaggio superficiale8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)8-SOIC
8-SOIC
SI9912DY-T1-E3
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Vishay Siliconix
0
In magazzino
Obsoleto
-
Nastrato in bobina (TR)
ObsoletoNon verificatoSemiponteSincrono2MOSFET a canale N4,5 ~ 5,5V-1A, 1ANon invertente30 V30ns, 20ns-40°C ~ 125°C (TJ)A montaggio superficiale8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)8-SOIC
8-SOIC
SI9913DY-T1-E3
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Vishay Siliconix
0
In magazzino
Obsoleto
-
Nastrato in bobina (TR)
ObsoletoNon verificatoSemiponteSincrono2MOSFET a canale N4,5 ~ 5,5V-1A, 1ANon invertente30 V30ns, 20ns-40°C ~ 125°C (TJ)A montaggio superficiale8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)8-SOIC
14-SOIC
SI9976DY-E3
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
Vishay Siliconix
0
In magazzino
Obsoleto
-
Sfuso
ObsoletoNon verificatoSemiponteSincrono2MOSFET a canale N4,5 ~ 16,5V1V, 4V500mA, 500mANon invertente40 V110ns, 50ns-40°C ~ 125°C (TJ)A montaggio superficiale14-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)14-SOIC
14-SOIC
SI9976DY-T1-E3
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
Vishay Siliconix
0
In magazzino
Obsoleto
-
Nastrato in bobina (TR)
ObsoletoNon verificatoSemiponteSincrono2MOSFET a canale N4,5 ~ 16,5V1V, 4V500mA, 500mANon invertente40 V110ns, 50ns-40°C ~ 125°C (TJ)A montaggio superficiale14-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)14-SOIC
24-SOIC
SI9978DW-E3
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SOIC
Vishay Siliconix
0
In magazzino
Obsoleto
-
Sfuso
ObsoletoNon verificatoSemiponteSincrono4MOSFET a canale N14,5 ~ 17,5V1V, 4V-Non invertente40 V110ns, 50ns-40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale24-SOIC (larghezza 0,295", 7,50mm)24-SOIC
24-SOIC
SI9978DW-T1-E3
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SOIC
Vishay Siliconix
0
In magazzino
Obsoleto
-
Nastrato in bobina (TR)
ObsoletoNon verificatoSemiponteSincrono4MOSFET a canale N14,5 ~ 17,5V1V, 4V-Non invertente40 V110ns, 50ns-40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale24-SOIC (larghezza 0,295", 7,50mm)24-SOIC
16-TSSOP
SIP41101DQ-T1-E3
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16TSSOP
Vishay Siliconix
0
In magazzino
Attivo
-
Nastrato in bobina (TR)
AttivoNon verificatoSemiponteSincrono2MOSFET a canale N4,5 ~ 5,5V1V, 2,5V3A, 3ANon invertente30 V15ns, 15ns-40°C ~ 125°C (TJ)A montaggio superficiale16-TSSOP (larghezza 0,173", 4,40mm)16-TSSOP
IC GATE DRVR HALF-BRIDG MLP33-10
SIP41103DM-T1-E3
IC GATE DRVR HALF-BRIDG MLP33-10
Vishay Siliconix
0
In magazzino
Obsoleto
-
Nastrato in bobina (TR)
ObsoletoNon verificatoSemiponteSincrono2MOSFET a canale N4,5 ~ 5,5V0,5V, 4V900 mA, 1,1 ANon invertente50 V32ns, 36ns-40°C ~ 125°C (TJ)A montaggio superficialePowerPAK®MLP33-10PowerPAK®MLP33-10
8-SOIC
SIP41104DY-T1-E3
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Vishay Siliconix
0
In magazzino
Obsoleto
-
Nastrato in bobina (TR)
ObsoletoNon verificatoSemiponteSincrono2MOSFET a canale N4,5 ~ 5,5V0,5V, 4V900 mA, 1,1 ANon invertente50 V32ns, 36ns-40°C ~ 125°C (TJ)A montaggio superficiale8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)8-SOIC
8-SOIC
SIP41109DY-T1-E3
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Vishay Siliconix
0
In magazzino
Obsoleto
-
Nastrato in bobina (TR)
ObsoletoNon verificatoSemiponteSincrono2MOSFET a canale N10,8 ~ 13,2V1V, 4V800mA, 1ANon invertente48 V45ns, 35ns-40°C ~ 125°C (TJ)A montaggio superficiale8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)8-SOIC
8-SOIC
SIP41111DY-T1-E3
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Vishay Siliconix
0
In magazzino
Attivo
-
Nastrato in bobina (TR)
AttivoNon verificatoSemiponteIndipendente2MOSFET a canale N9 ~ 13,2V4V, 7V2A, 2ANon invertente75 V13ns, 15ns-65°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)8-SOIC
Visualizzati
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Gate driver


I circuiti integrati di gestione della potenza (PMIC) per gate driver sono dispositivi che forniscono isolamento, amplificazione, spostamento di riferimento, bootstrapping o altre funzioni necessarie per interfacciare i segnali di un dispositivo di controllo in un'applicazione di conversione di potenza ai dispositivi a semiconduttore (solitamente FET o IGBT) attraverso i quali passa l'alimentazione da controllare. Le funzioni specifiche offerte da un particolare dispositivo variano, ma sono correlate alla configurazione dei semiconduttori che deve pilotare.