Gate driver

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Codice produttore	Quantità disponibile	Prezzo	Serie	Contenitore	Stato del prodotto	Programmabile da DigiKey	Configurazione comandata	Tipo di canale	N. di driver	Tipo di gate	Tensione - Alimentazione	Tensione logica - VIL, VIH	Corrente - Uscita di picco (source, drain)	Tipo di ingresso	Tensione high-side - Max (bootstrap)	Tempo di salita/discesa (tip.)	Temperatura di funzionamento	Grado	Qualifica	Tipo di montaggio	Contenitore/involucro	Contenitore del fornitore
MCP1416T-E/OT IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 Microchip Technology	185 206 In magazzino	1 : € 0,68000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,51655 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET (canale N, canale P)	4,5 ~ 18V	0,8V, 2,4V	1,5A, 1,5A	Non invertente	-	20ns, 20ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	SOT-23-5
MCP1402T-E/OT IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 Microchip Technology	38 605 In magazzino	1 : € 0,69000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,52577 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET (canale N, canale P)	4,5 ~ 18V	0,8V, 2,4V	500mA, 500mA	Non invertente	-	19ns, 15ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	SOT-23-5
MCP1415T-E/OT IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 Microchip Technology	16 526 In magazzino	1 : € 0,69000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,51655 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET (canale N, canale P)	4,5 ~ 18V	0,8V, 2,4V	1,5A, 1,5A	Invertente	-	20ns, 20ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	SOT-23-5
MCP1401T-E/OT IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 Microchip Technology	11 284 In magazzino	1 : € 0,69000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,52577 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET (canale N, canale P)	4,5 ~ 18V	0,8V, 2,4V	500mA, 500mA	Invertente	-	19ns, 15ns	-40°C ~ 125°C	-	-	A montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	SOT-23-5
DGD0280WT-7 IC GATE DRVR LOW-SIDE TSOT25-5 Diodes Incorporated	5 761 In magazzino 90 000 Fabbrica	1 : € 0,77000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,35219 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET (canale N, canale P)	4,5 ~ 18V	0,8V, 2V	2,5 A, 2,8 A	CMOS, TTL	-	20ns, 15ns	-40°C ~ 125°C (TA)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	TSOT-23-5
IRS2005STRPBF IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Infineon Technologies	33 136 In magazzino	1 : € 0,77000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,36380 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Semiponte	Indipendente	2	IGBT, MOSFET (canale N)	10 ~ 20V	0,8V, 2,5V	290 mA, 600 mA	Non invertente	200 V	70ns, 30ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)	8-SOIC
IRS2008STRPBF IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Infineon Technologies	1 565 In magazzino	1 : € 0,77000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,36380 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Semiponte	Sincrono	2	MOSFET (canale N)	10 ~ 20V	0,8V, 2,5V	290 mA, 600 mA	Non invertente	200 V	70ns, 30ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)	8-SOIC
LM5109BMAX/NOPB IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Texas Instruments	6 857 In magazzino	1 : € 0,78000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,36700 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Semiponte	Indipendente	2	MOSFET (canale N)	8 ~ 14V	0,8V, 2,2V	1A, 1A	Non invertente	108 V	15ns, 15ns	-40°C ~ 125°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)	8-SOIC
MIC4414YFT-TR IC GATE DRVR LOW-SIDE 4TQFN Microchip Technology	4 339 In magazzino	1 : € 0,82000 Nastro pre-tagliato (CT) 5 000 : € 0,66874 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	MOSFET (canale N)	4,5 ~ 18V	0,8V, 3V	1,5A, 1,5A	Non invertente	-	12ns, 12ns	-40°C ~ 125°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	4-UQFN	4-TQFN (1,2x1,2)
ZXGD3003E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 Diodes Incorporated	82 507 In magazzino 102 000 Fabbrica	1 : € 0,98000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,22164 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET (canale N)	40V (max)	-	5A, 5A	Non invertente	-	8,9ns, 8,9ns	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-6	SOT-23-6
DGD0211CWT-7 IC GATE DRVR LOW-SIDE TSOT25-5 Diodes Incorporated	28 653 In magazzino 1 866 000 Fabbrica	1 : € 1,03000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,23785 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET (canale N)	4,5 ~ 18V	0,8V, 2,4V	1,9A, 1,8A	Invertente, Non invertente	-	15ns, 15ns	-40°C ~ 125°C (TA)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	TSOT-25
UCC27324DR IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC Texas Instruments	1 468 In magazzino	1 : € 1,03000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,49702 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Indipendente	2	MOSFET (canale N, canale P)	4,5 ~ 15V	1V, 2V	4A, 4A	Non invertente	-	20ns, 15ns	-40°C ~ 125°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)	8-SOIC
MIC4127YME-TR IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC Microchip Technology	4 600 In magazzino	1 : € 1,04000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,80249 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Indipendente	2	MOSFET (canale N)	4.5 ~ 20V	0,8V, 2,4V	1,5A, 1,5A	Non invertente	-	20ns, 18ns	-40°C ~ 125°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) piazzola esposta	8-SOIC-EP
UCC27519AQDBVRQ1 IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 Texas Instruments	13 124 In magazzino	1 : € 1,07000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,51127 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET (canale N)	4,5 ~ 18V	-	4A, 4A	Non invertente	-	8ns, 7ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q100	A montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	SOT-23-5
UCC27517AQDBVRQ1 IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 Texas Instruments	5 880 In magazzino	1 : € 1,07000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,51127 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET (canale N)	4,5 ~ 18V	1V, 2,4V	4A, 4A	Invertente, Non invertente	-	8ns, 7ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q100	A montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	SOT-23-5
UCC27531DBVR IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 Texas Instruments	4 635 In magazzino	1 : € 1,07000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,51253 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET (canale N)	10 ~ 32V	1,2V, 2,2V	2,5A, 5A	Non invertente	-	15ns, 7ns	-40°C ~ 140°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-6	SOT-23-6
MCP1407T-E/SN IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC Microchip Technology	13 349 In magazzino	1 : € 1,08000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 300 : € 0,82094 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET (canale N, canale P)	4,5 ~ 18V	0,8V, 2,4V	6A, 6A	Non invertente	-	20ns, 20ns	-40°C ~ 125°C	-	-	A montaggio superficiale	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)	8-SOIC
MCP1407-E/SN IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC Microchip Technology	1 603 In magazzino	1 : € 1,08000 Tubo	-	Tubo	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET (canale N, canale P)	4,5 ~ 18V	0,8V, 2,4V	6A, 6A	Non invertente	-	20ns, 20ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)	8-SOIC
2EDL05N06PFXUMA1 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DSO Infineon Technologies	4 124 In magazzino	1 : € 1,10000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,53053 Nastrato in bobina (TR)	EiceDRIVER™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Semiponte	Indipendente	2	IGBT, MOSFET (canale N)	10 ~ 20V	1,1V, 1,7V	-	Non invertente	600 V	48ns, 24ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)	PG-DSO-8
MIC4416YM4-TR IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT143 Microchip Technology	46 497 In magazzino	1 : € 1,12000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,84861 Nastrato in bobina (TR)	IttyBitty®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	MOSFET (canale N)	4,5 ~ 18V	0,8V, 2,4V	1,2A, 1,2A	Non invertente	-	14ns, 16ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-253-4, TO-253AA	SOT-143
MIC4417YM4-TR IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT143 Microchip Technology	12 847 In magazzino	1 : € 1,12000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,84861 Nastrato in bobina (TR)	IttyBitty®	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	MOSFET (canale N)	4,5 ~ 18V	0,8V, 2,4V	1,2A, 1,2A	Invertente	-	14ns, 16ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	TO-253-4, TO-253AA	SOT-143
FAN3180TSX IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 onsemi	5 990 In magazzino	1 : € 1,13000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,50961 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	MOSFET (canale N)	5 ~ 18V	0,8V, 2V	2,5 A, 2,8 A	Non invertente	-	19ns, 13ns	-40°C ~ 125°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	SOT-23-5
IRS2153DSTRPBF IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Infineon Technologies	12 619 In magazzino	1 : € 1,14000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,55352 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Semiponte	Sincrono	2	MOSFET (canale N)	10 ~ 15,4V	-	180 mA, 260 mA	Circuito di ingresso RC	600 V	120ns, 50ns	-40°C ~ 125°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)	8-SOIC
DGD0215WT-7 IC GATE DRVR LOW-SIDE TSOT25 Diodes Incorporated	9 790 In magazzino 36 000 Fabbrica	1 : € 1,16000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,27198 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET (canale N)	4,5 ~ 18V	0,8V, 2,4V	1,9A, 1,8A	Invertente, Non invertente	-	15ns, 15ns	-40°C ~ 125°C (TA)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	TSOT-25 (tipo TH)
IRS4428STRPBF IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC Infineon Technologies	4 136 In magazzino	1 : € 1,17000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,57282 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Indipendente	2	IGBT, MOSFET (canale N)	6 ~ 20V	0,8V, 2,5V	2,3 A, 3,3 A	Invertente, Non invertente	-	25ns, 25ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)	8-SOIC

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I circuiti integrati di gestione della potenza (PMIC) per gate driver sono dispositivi che forniscono isolamento, amplificazione, spostamento di riferimento, bootstrapping o altre funzioni necessarie per interfacciare i segnali di un dispositivo di controllo in un'applicazione di conversione di potenza ai dispositivi a semiconduttore (solitamente FET o IGBT) attraverso i quali passa l'alimentazione da controllare. Le funzioni specifiche offerte da un particolare dispositivo variano, ma sono correlate alla configurazione dei semiconduttori che deve pilotare.

Gate driver

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