Diodi - Raddrizzatori a ponte

Risultati : 6.160
Produttore
Bourns Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedGeneSiC SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSIXYS Integrated Circuits DivisionKYOCERA AVXMDDMicro Commercial CoMicrochip TechnologyMicrosemi Corporation
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Serie
-*ABSAutomotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, SBR®CBR1CBR1ACoolSiC™DBDBSDIODESTAR™EconoPACK™EconoPACK™2
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Confezionamento
BombolettaBustaDigi-Reel®Nastrato in bobina (TR)Nastrato in scatola (TB)Nastro pre-tagliato (CT)ScatolaSecchioSfusoTuboVassoio
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Stato componente
AttivoData di acquisto finaleFuori produzione presso Digi-KeyNon per nuovi progettiObsoleto
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Tipo di diodo
-Monofase (frenata)Monofase (modulo PFC)Single PhaseThree PhaseTrifase (frenata)Trifase (modulo PFC)
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Tecnologia
-A valangaSchottky al carburo di silicioSchottkyStandardSuper raddrizzatori a barriera
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Tensione - Inversa di picco max
10 V20 V30 V35 V40 V45 V50 V60 V65 V70 V75 V
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Corrente - Media rettificata (Io)
25 mA41 mA83 mA100 mA125 mA140 mA166 mA200 mA215 mA250 mA333 mA
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Tensione - Diretta (Vf) max a If
370 mV @ 1 A400 mV @ 100 mA420 mV @ 1 A440 mV @ 1 A450 mV @ 2 A490 mV @ 500 mA500 mV @ 1 A500 mV @ 2 A500 mV @ 3 A520 mV @ 2 A550 mV @ 1 A
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Corrente - Dispersione inversa a Vr
10 nA @ 50 V100 nA @ 70 V100 nA @ 80 V200 nA @ 500 V500 nA @ 100 V500 nA @ 60 V500 nA @ 80 V1 µA @ 100 V1 µA @ 1000 V1 µA @ 200 V1 µA @ 400 V
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Temperatura di funzionamento
-65°C ~ 125°C (TJ)-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 150°C-65°C ~ 160°C (TA)-65°C ~ 175°C (TJ)-65°C ~ 200°C (TJ)-55°C ~ 105°C (TJ)-55°C ~ 1250°C (TJ)-55°C ~ 125°C (TC)-55°C ~ 125°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C
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Tipo di montaggio
-A montaggio superficialeChassis, montaggio con prigionieriForo passanteGuide DINMontaggio su telaioTerminale QC
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Contenitore/involucro
2-SMD, senza piombo4-BESOP (0,173", 4,40mm di larghezza)4-Circolare, RB-154-Circolare, WOB4-Circolare, WOG4-Circolare, WOM4-Circolare, custodia A4-DIP (0,200", 5,08mm)4-DIP (0,300", 7,62mm)4-EDIP (0,200", 5,08mm)4-EDIP (0,300", 7,62mm)4-EDIP (0,321", 8,15mm)4-ESIP
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Contenitore del fornitore
4-BR DFN4-DF4-DFN (3,5x3,8)4-DFN-A (10,5x8,1)4-DIP4-HD DIP4-LPDIP4-MSB4-MSBL4-MicroDIP/SMD4-MiniDIP4-SDIP4-SIP
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Opzioni di magazzino
Supporti
Opzioni ambientali
PRODOTTI MARKETPLACE
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Confronta
Codice produttore
Prezzo
Magazzino
Fornitore
Produttore
Qtà min
Codice DK
Serie
Contenitore
Stato componente
Tipo di diodo
Tecnologia
Tensione - Inversa di picco max
Corrente - Media rettificata (Io)
Tensione - Diretta (Vf) max a If
Corrente - Dispersione inversa a Vr
Temperatura di funzionamento
Tipo di montaggio
Contenitore/involucro
Contenitore del fornitore
ABSxxx-13
ABS10A-13
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A 4SOPA
€ 0,39000
130.880 - Immediate
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
ABS10A-13DITR-ND
ABS10A-13DICT-ND
ABS10A-13DIDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoSingle PhaseStandard1 kV1 A1.1 V @ 1 A5 µA @ 1000 V-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale4-SMD, ad ala di gabbiano4-SOPA
MB10S-13
MB10S-13
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 800MA MBS
€ 0,39000
177.559 - Immediate
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
MB10S-13DITR-ND
MB10S-13DICT-ND
MB10S-13DIDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoSingle PhaseStandard1 kV800 mA1.1 V @ 800 mA5 µA @ 1000 V-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeTO-269AA, 4-BESOPMBS
SOT143
BGX50AE6327HTSA1
BRIDGE RECT 1P 70V 140MA SOT143
€ 0,41000
17.710 - Immediate
Infineon TechnologiesInfineon Technologies
1
BGX50AE6327HTSA1TR-ND
BGX50AE6327HTSA1CT-ND
BGX50AE6327HTSA1DKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Non per nuovi progettiSingle PhaseStandard70 V140 mA1.3 V @ 100 mA200 nA @ 500 V150°C (TJ)A montaggio superficialeTO-253-4, TO-253AAPG-SOT-143-3D
MBS-1
MB6S-TP
BRIDGE RECT 1P 600V 500MA MBS-1
€ 0,34000
176.867 - Immediate
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
1
MB6S-TPMSTR-ND
MB6S-TPMSCT-ND
MB6S-TPMSDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoSingle PhaseStandard600 V500 mA1 V @ 400 mA5 µA @ 600 V-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeTO-269AA, 4-BESOPMBS-1
MBS-1
MB1S-TP
BRIDGE RECT 1P 100V 500MA MBS-1
€ 0,34000
22.984 - Immediate
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
1
MB1S-TPMSTR-ND
MB1S-TPMSCT-ND
MB1S-TPMSDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoSingle PhaseStandard100 V500 mA1 V @ 400 mA5 µA @ 100 V-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeTO-269AA, 4-BESOPMBS-1
MINI-DIP Pkg
HD04-T
BRIDGE RECT 1P 400V 800MA 4-DIP
€ 0,42000
95.053 - Immediate
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
HD04DITR-ND
HD04DICT-ND
HD04DIDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoSingle PhaseStandard400 V800 mA1 V @ 400 mA5 µA @ 400 V-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale4-SMD, ad ala di gabbiano4-MiniDIP
MINI-DIP Pkg
HD02-T
BRIDGE RECT 1P 200V 800MA 4-DIP
€ 0,42000
69.158 - Immediate
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
HD02DITR-ND
HD02DICT-ND
HD02DIDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoSingle PhaseStandard200 V800 mA1 V @ 400 mA5 µA @ 200 V-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale4-SMD, ad ala di gabbiano4-MiniDIP
MINI-DIP Pkg
HD06-T
BRIDGE RECT 1P 600V 800MA 4-DIP
€ 0,48000
108.827 - Immediate
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
HD06DITR-ND
HD06DICT-ND
HD06DIDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoSingle PhaseStandard600 V800 mA1 V @ 400 mA5 µA @ 600 V-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale4-SMD, ad ala di gabbiano4-MiniDIP
TO-269AA, 4-BESOP
MB2S-E3/80
BRIDGE RECT 1P 200V TO269AA
€ 0,40000
6.289 - Immediate
Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionVishay General Semiconductor - Diodes Division
1
MB2S-E3/80GITR-ND
MB2S-E3/80GICT-ND
MB2S-E3/80GIDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoSingle PhaseStandard200 V500 mA1 V @ 400 mA5 µA @ 200 V-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeTO-269AA, 4-BESOPTO-269AA (MBS)
MB1S
MB1S
BRIDGE RECT 1PH 100V 500MA 4SOIC
€ 0,38000
76.004 - Immediate
onsemionsemi
1
MB1STR-ND
MB1SCT-ND
MB1SDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoSingle PhaseStandard100 V500 mA1 V @ 500 mA5 µA @ 100 V-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeTO-269AA, 4-BESOP4-SOIC
31-DF-S
DF01S-T
BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DF-S
€ 0,48000
45.276 - Immediate
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DF01S-TDITR-ND
DF01S-TDICT-ND
DF01S-TDIDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoSingle PhaseStandard100 V1 A1.1 V @ 1 A10 µA @ 100 V-65°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale4-SMD, ad ala di gabbianoDF-S
MB2S
MB2S
BRIDGE RECT 1P 200V 500MA 4SOIC
€ 0,40000
32.254 - Immediate
onsemionsemi
1
MB2STR-ND
MB2SCT-ND
MB2SDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoSingle PhaseStandard200 V500 mA1 V @ 500 mA5 µA @ 200 V-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeTO-269AA, 4-BESOP4-SOIC
MB4S
MB4S
BRIDGE RECT 1P 400V 500MA 4SOIC
€ 0,40000
2.609 - Immediate
onsemionsemi
1
MB4STR-ND
MB4SCT-ND
MB4SDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoSingle PhaseStandard400 V500 mA1 V @ 500 mA5 µA @ 400 V-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeTO-269AA, 4-BESOP4-SOIC
31-DF-S
DF06S-T
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DF-S
€ 0,40000
31.817 - Immediate
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DF06S-TDITR-ND
DF06S-TDICT-ND
DF06S-TDIDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoSingle PhaseStandard600 V1 A1.1 V @ 1 A10 µA @ 600 V-65°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale4-SMD, ad ala di gabbianoDF-S
MB-S PKG
KMB26STR
BRIDGE RECT 1PHASE 60V 2A MBS
€ 0,44000
43.673 - Immediate
SMC Diode SolutionsSMC Diode Solutions
1
1655-1887-2-ND
1655-1887-1-ND
1655-1887-6-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoSingle PhaseSchottky60 V2 A700 mV @ 2 A100 µA @ 60 V-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale4-SMD, ad ala di gabbianoMBS
MDB6S
MDB6S
BRIDGE RECT 1P 600V 1A 4MICRODIP
€ 0,44000
103.980 - Immediate
onsemionsemi
1
MDB6SFSTR-ND
MDB6SFSCT-ND
MDB6SFSDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoSingle PhaseStandard600 V1 A1.1 V @ 1 A10 µA @ 600 V-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale4-SMD, ad ala di gabbiano4-MicroDIP/SMD
MDB10S
MDB10S
BRIDGE RECT 1PH 1KV 1A 4MICRODIP
€ 0,44000
409.646 - Immediate
onsemionsemi
1
MDB10SFSTR-ND
MDB10SFSCT-ND
MDB10SFSDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoSingle PhaseStandard1 kV1 A1.1 V @ 1 A10 µA @ 1000 V-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale4-SMD, ad ala di gabbiano4-MicroDIP/SMD
31-DF-S
DF08S-T
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DF-S
€ 0,47000
33.460 - Immediate
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DF08S-TDITR-ND
DF08S-TDICT-ND
DF08S-TDIDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoSingle PhaseStandard800 V1 A1.1 V @ 1 A10 µA @ 800 V-65°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale4-SMD, ad ala di gabbianoDF-S
31-DF-S
DF10S-T
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DF-S
€ 0,50000
47.254 - Immediate
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DF10S-TDITR-ND
DF10S-TDICT-ND
DF10S-TDIDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoSingle PhaseStandard1 kV1 A1.1 V @ 1 A10 µA @ 1000 V-65°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale4-SMD, ad ala di gabbianoDF-S
DF204ST-G
DF204ST-G
BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A DFS
€ 0,53000
42.838 - Immediate
20.000 - Factory
Comchip TechnologyComchip Technology
1
641-1464-2-ND
641-1464-1-ND
641-1464-6-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoSingle PhaseStandard400 V2 A1.1 V @ 2 A10 µA @ 400 V-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale4-SMD, ad ala di gabbianoDFS
31-DF-S
DF1510S-T
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DF-S
€ 0,60000
58.494 - Immediate
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DF1510SDITR-ND
DF1510SDICT-ND
DF1510SDIDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoSingle PhaseStandard1 kV1.5 A1.1 V @ 1.5 A10 µA @ 1000 V-65°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale4-SMD, ad ala di gabbianoDF-S
CDBHM1100L-HF
CDBHM1100L-HF
BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A MBS
€ 0,62000
23.912 - Immediate
Comchip TechnologyComchip Technology
1
641-1429-2-ND
641-1429-1-ND
641-1429-6-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoSingle PhaseSchottky100 V1 A850 mV @ 1 A500 µA @ 100 V-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeTO-269AA, 4-BESOPMBS
CD-MBL_DF_HD
CD-HD2004
BRIDGE RECT 1PHASE 40V 2A
€ 0,66000
12.469 - Immediate
Bourns Inc.Bourns Inc.
1
CD-HD2004TR-ND
CD-HD2004CT-ND
CD-HD2004DKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoSingle PhaseSchottky40 V2 A500 mV @ 2 A200 µA @ 40 V-55°C ~ 125°C (TC)A montaggio superficialeChip, terminali concavi-
DFS
DF1508S-E3/77
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A DFS
€ 0,61000
5.993 - Immediate
Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionVishay General Semiconductor - Diodes Division
1
DF1508S-E3/77GITR-ND
DF1508S-E3/77GICT-ND
DF1508S-E3/77GIDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoSingle PhaseStandard800 V1.5 A1.1 V @ 1.5 A10 µA @ 800 V-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficiale4-SMD, ad ala di gabbianoDFS
MB10S
MB10S
BRIDGE RECT 1P 1KV 500MA 4SOIC
€ 0,60000
47.362 - Immediate
11.280.000 - Factory
onsemionsemi
1
MB10STR-ND
MB10SCT-ND
MB10SDKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoSingle PhaseStandard1 kV500 mA1 V @ 500 mA5 µA @ 1000 V-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeTO-269AA, 4-BESOP4-SOIC
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