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Contenitore
Stato del prodotto
Tipo di IGBT
Configurazione
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
Corrente - Collettore (Ic) max
Potenza - Max
Vce(on) max a Vge, Ic
Corrente - Interruzione collettore (max)
Capacità di ingresso (Cies) a Vce
Ingresso
Termistore NTC
Temperatura di funzionamento
Tipo di montaggio
Contenitore/involucro
Contenitore del fornitore
MMIX4B20N300
MMIX4B20N300
IGBT F BRIDGE 3000V 34A 24SMPD
IXYS
20
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1 : € 97,71000
Tubo
Tubo
Attivo-Ponte intero3000 V34 A150 W3,2V a 15V, 20A--StandardNo-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeModulo 24-SMD, 9 conduttori24-SMPD
IGBT H BRIDGE 2500V 23A 24SMPD
MMIX4G20N250
IGBT H BRIDGE 2500V 23A 24SMPD
IXYS
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1 : € 77,88000
Tubo
-
Tubo
Attivo-Semiponte2500 V23 A100 W3,1V a 15V, 20A10 µA1.19 nF @ 15 VStandardNo-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeModulo 24-SMD, 9 conduttori24-SMPD
IGBT TRANS 3000V 38A
MMIX4B22N300
IGBT TRANS 3000V 38A
IXYS
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1 : € 113,39000
Tubo
Tubo
Attivo-Ponte intero3000 V38 A150 W2,7V a 15V, 22A35 µA2.2 nF @ 25 VStandardNo-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeModulo 24-SMD, 9 conduttori24-SMPD
IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD
IXA20PG1200DHG-TRR
IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD
IXYS
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200 : € 10,55790
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-
Nastrato in bobina (TR)
AttivoPTSemiponte1200 V32 A130 W2,1V a 15V, 15A125 µA-StandardNo-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeModulo 9-SMDISOPLUS-SMPD™.B
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
IXA40RG1200DHG-TRR
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
IXYS
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200 : € 12,11040
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Nastrato in bobina (TR)
AttivoPTSemiponte1200 V63 A230 W2,15V a 15V, 35A150 µA-StandardNo-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeModulo 9-SMDISOPLUS-SMPD™.B
IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD
IXA20PG1200DHG-TUB
IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD
IXYS
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20 : € 13,47150
Sfuso
-
Sfuso
AttivoPTSemiponte1200 V32 A130 W2,1V a 15V, 15A125 µA-StandardNo-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeModulo 9-SMDISOPLUS-SMPD™.B
IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD
IXA30PG1200DHG-TRR
IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD
IXYS
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200 : € 13,67195
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-
Nastrato in bobina (TR)
AttivoPTSemiponte1200 V43 A150 W2,2V a 15V, 25A2.1 mA-StandardNo-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeModulo 9-SMDISOPLUS-SMPD™.B
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
IXA40RG1200DHG-TUB
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
IXYS
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Sfuso
Sfuso
AttivoPTSemiponte1200 V63 A230 W2,15V a 15V, 35A150 µA-StandardNo-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeModulo 9-SMDISOPLUS-SMPD™.B
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
IXA40PG1200DHG-TUB
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
IXYS
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Sfuso
-
Sfuso
AttivoPTSemiponte1200 V63 A230 W2,15V a 15V, 35A150 µA-StandardNo-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeModulo 9-SMDISOPLUS-SMPD™.B
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
IXA40PG1200DHG-TRR
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
IXYS
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-
Nastrato in bobina (TR)
AttivoPTSemiponte1200 V63 A230 W2,15V a 15V, 35A150 µA-StandardNo-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeModulo 9-SMDISOPLUS-SMPD™.B
IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD
IXA30PG1200DHG-TUB
IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD
IXYS
0
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Sfuso
-
Sfuso
AttivoPTSemiponte1200 V43 A150 W2,2V a 15V, 25A2.1 mA-StandardNo-55°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeModulo 9-SMDISOPLUS-SMPD™.B
i4-Pac-5
FII40-06D
IGBT H BRIDGE 600V 40A I4PAK5
IXYS
0
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Obsoleto
-
Sfuso
ObsoletoNPTSemiponte600 V40 A125 W2,2V a 15V, 25A600 µA1.6 nF @ 25 VStandardNo-55°C ~ 150°C (TJ)Foro passantei4-Pac™-5ISOPLUS i4-PAC™
IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5
FII24N17AH1
IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5
IXYS
0
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Attivo
-
Scatola
AttivoNPTSemiponte1700 V18 A140 W6V a 15V, 16A100 µA2.4 nF @ 25 VStandardNo-55°C ~ 150°C (TJ)Foro passantei4-Pac™-5ISOPLUS i4-PAC™
IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5
FII24N17AH1S
IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5
IXYS
0
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Attivo
-
Scatola
AttivoNPTSemiponte1700 V18 A140 W6V a 15V, 16A100 µA2.4 nF @ 25 VStandardNo-Foro passantei4-Pac™-5ISOPLUS i4-PAC™
IGBT H BRIDGE 600V 30A I4PAK5
FII30-06D
IGBT H BRIDGE 600V 30A I4PAK5
IXYS
0
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Obsoleto
-
Tubo
ObsoletoNPTSemiponte600 V30 A100 W2,4V a 15V, 20A600 µA1.1 nF @ 25 VStandardNo-55°C ~ 150°C (TJ)Foro passantei4-Pac™-5ISOPLUS i4-PAC™
IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
FII30-12E
IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
IXYS
0
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Obsoleto
-
Tubo
ObsoletoNPTSemiponte1200 V33 A150 W2,9V a 15V, 20A200 µA1.2 nF @ 25 VStandardNo-55°C ~ 150°C (TJ)Foro passantei4-Pac™-5ISOPLUS i4-PAC™
IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5
FII50-12E
IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5
IXYS
0
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Obsoleto
-
Tubo
ObsoletoNPTSemiponte1200 V50 A200 W2,6V a 15V, 30A400 µA2 nF @ 25 VStandardNo-55°C ~ 150°C (TJ)Foro passantei4-Pac™-5ISOPLUS i4-PAC™
IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5
FII24N170AH1
IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5
IXYS
0
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Obsoleto
-
Tubo
ObsoletoNPTSemiponte1700 V18 A140 W6V a 15V, 16A100 µA2.4 nF @ 25 VStandardNo-55°C ~ 150°C (TJ)Foro passantei4-Pac™-4, isolatoISOPLUS i4-PAC™
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Array IGBT


I transistor bipolari a gate isolato (IGBT) sono dispositivi a semiconduttori di potenza ad alta efficienza e a commutazione rapida, a tre terminali, e sono utilizzati principalmente come interruttori elettronici. Sono utilizzati negli alimentatori a commutazione in applicazioni ad alta potenza come azionamenti a frequenza variabile (VFD), veicoli elettrici, treni, ballast per lampade e condizionatori dell'aria, così come negli amplificatori a commutazione, nei sistemi audio e nei sistemi di controllo industriali. Gli array IGBT contengono più dispositivi in un unico contenitore in configurazioni a ponte intero o a semiponte.