XP2306GN YAGEO XSEMI | Prodotti a semiconduttore discreti

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YAGEO XSEMI

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XP2306GN
Codice DigiKey	5048-XP2306GNTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5048-XP2306GNCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5048-XP2306GNDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	YAGEO XSEMI
Codice produttore	XP2306GN
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 5.3A SOT23
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 5,3 A (Ta) 1,38W (Ta) A montaggio superficiale SOT-23
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	YAGEO XSEMI
Serie	XP2306
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	5,3 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	30mohm a 5,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	1,25V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	8.7 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	603 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,38W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3