Name: SQM100N04-2M7_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQM100N04-2M7_GE3TR-ND
Price: 4.0138 EUR
Availability: InStock

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SQM100N04-2M7_GE3
Codice DigiKey	742-SQM100N04-2M7_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SQM100N04-2M7_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SQM100N04-2M7_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQM100N04-2M7_GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 100 A (Tc) 157W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SQM100N04-2M7_GE3 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 145 nC @ 10 V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs (max) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7910 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 157W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 100 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 2,7mohm a 30A, 10V	Codice componente base SQM100
Vgs(th) max a Id 3,5V a 250µA

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 3,29000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 4,01380

SQM100N04-2M7_GE3