Name: SQJ951EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ951EP-T1_GE3TR-ND
Price: 2.379 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SQJ951EP-T1_GE3
Codice DigiKey	SQJ951EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJ951EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQJ951EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQJ951EP-T1_GE3
Descrizione	MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 30A 56W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SQJ951EP-T1_GE3 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Carica del gate (Qg) max a Vgs 50nC a 10V
Produttore Vishay Siliconix	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1680pF a 10V
Serie TrenchFET®	Potenza - Max 56W
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Stato componente Attivo	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Configurazione 2 canali P (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8 doppio
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 30A	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 doppio
RDSon (max) a Id, Vgs 17mohm a 7,5A, 10V	Codice componente base SQJ951
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA